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[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法-CN201310206973.6有效
发明人：张化宇;汪桂根;崔林;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2013-05-29 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括如下几个步骤：步骤A:在蓝宝石基片的一个面上磁控溅射金属铝膜；步骤B:在金属铝膜上施涂光刻胶膜，烘干;步骤C:进行激光干涉曝光、显影，获得光刻胶图形；步骤D:以金属铝膜上图形化光刻胶为掩膜，采用反应离子刻蚀金属铝膜和去胶，在蓝宝石基片上获得金属铝膜凸台的图形化金属铝膜；步骤E:进行低温热处理，使图形化金属铝膜充分氧化成为图形化多晶Al2O3膜;步骤F:将得到的图形化多晶Al2O3膜进行高温热处理，使图形化多晶Al2O3膜完全转化为图形化单晶Al2O3膜，即得到图形化蓝宝石衬底。本发明的图形化蓝宝石衬底的制备方法，工艺简单易行，成本低，面积大。
一种图形蓝宝石衬底制备方法

[发明专利]金刚石基复合材料界面热阻的优化方法-CN202210288129.1在审
发明人：吴改;戚梓俊;梁康;沈威;李瑞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供金刚石基复合材料界面热阻的优化方法，包括：步骤1.初步建立未考虑图形化界面的热源和金刚石散热材料超晶胞基础模型；步骤2.从散热材料和热源材料中择一作为基准材料，另一个作为嵌合材料；步骤3.确定基准材料的图形化几何参数P、S、H；步骤4.确定基准材料的图形化排列参数L1、L2、A；步骤5.根据图形化几何参数和图形化排列参数构建具有图形化界面的复合材料模型；步骤6.对模型进行弛豫，使得体系达到平衡态；通过分子动力学模拟，计算材料界面热阻；步骤7.调整改变图形化几何参数和图形化排列参数中的至少一个参数，重复步骤3至6，获得多组数据，确定界面热阻的最小值和所对应的图形化参数
金刚石复合材料界面优化方法

[发明专利]一种基于QT的继电保护装置逻辑图形化配置方法-CN201710086001.6在审
发明人：薛钟;董贝;张云 -专利权人：南京国电南自电网自动化有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于QT的继电保护装置逻辑图形化配置方法步骤1、将继电保护装置的继电保护逻辑按照功能和用途进行划分，划分为不同的基础逻辑模型；步骤2、将所有的基础逻辑模型进行图形化建模生成图形化逻辑图元，且根据实际情况为每一个图形化逻辑图元生成对应数量的输入和输出；步骤3、通过图形化配置工具为每一个图形化逻辑图元关联具体的代码实现；步骤4、通过图形化配置工具建立不同的图形化逻辑图元之间的连接关系；步骤5、通过图形化配置工具对整套继电保护逻辑进行编译、检查和仿真，并且生成XML格式的继电保护逻辑配置文件。
一种基于 qt 保护装置逻辑图形配置方法

[发明专利]高效率、低成本、大面积图形化蓝宝石衬底的制备方法-CN201310272318.0无效
发明人：张化宇;汪桂根;崔林;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学深圳研究生院
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种高效率、低成本、大面积图形化蓝宝石衬底的制备方法，包括如下几个步骤：步骤A:在光栅结构图形硬模板上旋涂甲苯稀释的PDMS；步骤B:在甲苯稀释的PDMS上涂覆PDMS预聚物;步骤C:脱模，获得PDMS软压印模板；步骤D:在蓝宝石基片的一个面上磁控溅射金属铝膜；步骤E:脱模，获得紫外固化胶图形;步骤F:以金属铝膜上图形化紫外固化胶为掩膜；步骤G:进行低温热处理，使图形化金属铝膜充分氧化成为图形化多晶Al2O3膜;步骤H:将得到的图形化多晶Al2O3膜进行高温热处理，即得到图形化蓝宝石衬底。本发明获得的用于氮化物外延生长的图形化蓝宝石衬底，工艺简单易行，生产效率高，成本低，面积大。
高效率低成本大面积图形蓝宝石衬底制备方法

[发明专利]一种利用图形化管理特定类型网络配置命令的方法-CN201711134809.3有效
发明人：黄倩;郑大伟;相京霞;顾恩光;刘冬;刘幸幸 -专利权人：国网山东省电力公司临沂供电公司;国网山东省电力公司;国网山东省电力公司泰安供电公司;国网山东省电力公司潍坊供电公司;国网山东省电力公司滨州供电公司;国网山东省电力公司曲阜市供电公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H04L12/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形化网络管理方法，包括以下步骤：步骤S100，从图形化界面中，选取待配置的网络设备(例如交换机)和功能命令；如果所述功能命令为参数变化的设置命令，那么执行步骤S200，如果所述功能命令为需要回显的命令，那么执行步骤S300；步骤S200，在图形化界面中，显示第一弹出窗口；步骤S300，在图形化界面中，显示第二弹出窗口。本发明能够在图形化操作界面下，有效处理参数变化的设置命令或者需要回显的命令。
一种利用图形管理特定类型网络配置命令方法

[发明专利]一种图形化测试流程配置方法及装置-CN201611023699.9在审
发明人：曹宝华 -专利权人：南京捷希科技有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种图形化测试流程配置方法，包括如下步骤按照测试流程中步骤的先后顺序配置图形化模块；根据所述图形化模块获取流程数据，并与相对应的待测设备绑定；根据所述流程数据调用所述图形化模块对相对应的所述待测设备进行测试本发明还提供一种基于所述图形化测试流程配置方法的装置。
一种图形测试流程配置方法装置

[发明专利]图形化膜层的方法、形成栅极、MOS晶体管的方法-CN201110139487.8有效
发明人：何其旸;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种图形化膜层的方法、形成栅极、MOS晶体管的方法，所述图形化膜层的方法包括：提供基底；在所述基底上形成图形化的牺牲层；在所述基底上形成需要图形化的膜层，所述膜层的上表面与所述图形化的牺牲层的上表面相平；在所述膜层上形成图形层，所述图形层和图形化的牺牲层共同定义出膜层图形化的图形；以所述图形层为掩膜刻蚀所述膜层，形成图形化的膜层；去除所述图形层、图形化的牺牲层。本技术方案以图形层为掩膜刻蚀膜层时即完成了对膜层的图形化，节省了刻蚀膜层的步骤。
图形化膜层方法形成栅极 mos 晶体管

[发明专利]在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法-CN201910192567.6有效
发明人：张韵;倪茹雪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供一种在侧向外延薄膜上自对准形成图形及制备外延材料的方法，包括：S1：制备图形化衬底；S2：在图形化衬底上通过侧向外延合并生长的方式，制备表面合并的侧向外延薄膜；S3：通过在步骤S1所制备的图形化衬底背面进行曝光处理使得在步骤S2所制备的侧向外延薄膜上自对准形成图形并制备自对准图形化光刻胶；进一步的可继续后续步骤制备外延材料，S4：以步骤S3所制备的自对准图形化光刻胶为掩膜对侧向外延薄膜进行加工；以及S5：清除自对准图形化光刻胶掩膜
侧向外延薄膜对准形成图形制备材料方法

[发明专利]接触孔形成方法-CN200810205386.4有效
发明人：赵林林 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-31 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔形成方法，包括：在基底上顺序形成刻蚀停止层、介质层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，获得图形化的所述介质层；去除所述图形化的抗蚀剂层，执行所述去除操作时，反应腔室的压力小于20mT，或者，采用包含氧气的反应气体去除所述图形化的抗蚀剂层，所述氧气的流量范围为400sccm-800sccm；以图形化的所述介质层为掩膜，获得图形化的所述刻蚀停止层，以暴露所述基底；其中，获得图形化的所述介质层、去除所述图形化的抗蚀剂层和获得图形化的所述刻蚀停止层的步骤在同一所述反应腔室内进行，且各步骤之间均不执行清洗操作。
接触形成方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202010211618.8在审
发明人：邵克坚;张大明;陈云;刘昭 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括如下步骤：提供待刻蚀材料层；于待刻蚀材料层的表面形成第一掩膜层；得到包括图形化区域的第一图形化掩膜层，图形化区域内包括若干个间隔排布的图形结构；于图形结构的表面、相邻图形结构的间隙底部及第一图形化掩膜层的表面形成侧墙材料层；于侧墙材料层表面形成第二掩膜层；得到第二图形化掩膜层，第二图形化掩膜层包括开口；开口位于图形化区域外侧；基于第二图形化掩膜层对侧墙材料层、第一图形化掩膜层及待刻蚀材料层进行刻蚀；去除第二图形化掩膜层；并继续刻蚀待刻蚀材料层以于待刻蚀材料层内形成第一沟槽及第二沟槽。本发明可以简化工艺步骤，降低生产成本，提高生产效率；可以保证产品的良率。
半导体结构制备方法

[发明专利]基于等离子工艺的同步生成并图形化石墨烯的方法-CN201911299960.1在审
发明人：霍晓迪;金鹏;王占国;杜鹏 -专利权人：中国科学院半导体研究所;天津市海杰金属制品制造有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开提供一种基于等离子工艺的同步生成并图形化石墨烯的方法，包括：步骤S1：在基底上制备金属催化剂膜；步骤S2：对步骤S1制备的金属催化剂膜进行加工生成图形化金属催化剂膜层；以及步骤S3：利用等离子体化学气相沉积工艺同步生成并图形化石墨烯，完成图形化石墨烯的制备；能够简化工艺流程，不需先生成石墨烯，再进行刻蚀进行图形化，而是同步完成石墨烯的制备和图形化。
基于等离子工艺同步生成图形化石方法

[发明专利]图形化编程的自动编译方法-CN201710269436.4有效
发明人：黄翰;秦亮;梁展宁;郝志峰;范衠 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06F8/34 文献下载
摘要：本发明提供图形化编程的自动编译方法，其主要包括以下步骤：图形化程序内存分配、图形化程序线程分配、图形化程序存储结构解析和图形化程序可执行文件生成。基于图形化编程的自动编译生成图形化程序对应可执行文件，用户根据功能要求自由组合图形化模块而形成程序，采用基于图形化编程的自动编译方法对图形化程序进行编译，生成可在控制器直接运行的文件。本发明不需要复杂的编译器和编译环境，就可以通过本发明自动生成图形化程序对应晦涩难懂的可执行文件，然后通过数据交换将生成的可执行文件传至控制器运行进而达到图形化程序相应的动作效果。
图形编程自动编译方法

[发明专利]一种图形化石墨烯的制备方法-CN201410112147.X无效
发明人：周雄图;郭太良;张永爱;胡海龙;李福山;叶芸;胡立勤;林木飞;吴朝兴 -专利权人：福州大学
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C01B31/04 文献下载
摘要：本发明公开一种图形化石墨烯的制备方法，首先以固态物质为碳源，对固态碳源进行图形化，然后生长高质量图形化石墨烯，具体包括以下步骤：（1）在设置有催化剂的基底上均匀涂覆一层固态碳源物质；（2）对固态碳源物质进行图形化；（3）图形化的固态碳源物质经高温反应形成图形化的石墨烯。该方法直接生长图形化石墨烯，不会对石墨烯造成污染和损伤，且制备工艺简单，图形化精度高。
一种图形化石制备方法

[发明专利]一种将核电站DCS系统的ICC组态转为IEE图形化组态的方法-CN202210567707.5在审
发明人：马一鸣;齐箫;杨子华;原上草;余前军;王棋超;任洁;明星;蒋哲凡 -专利权人：中核核电运行管理有限公司;秦山核电有限公司
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供了一种将核电站DCS系统的ICC组态转为IEE图形化组态的方法，包括以下步骤：步骤S1：搭建平台；步骤S2：在图形化组态服务器系统中安装IEE图形化软件；步骤S3：在图形化组态服务器系统中建立数据库，用于存储组态数据；步骤S4：采集ICC组态数据和DCS功能逻辑图到数据库中，按照DCS功能逻辑图对ICC组态数据进行模块化分类；步骤S5：根据DCS功能逻辑图上的模块样式，在数据库中建立模块显示样式；步骤S6：在IEE图形化软件中添加控制器信息和ECB信息；步骤S7：根据DCS功能逻辑图将数据库中的ICC组态导入到IEE图形化软件中并转化为IEE图形化组态；步骤S8：添加信号跳转点；步骤S9：下装至现场控制器
一种核电站 dcs 系统 icc 组态转为 iee 图形方法

[发明专利]一种石墨烯图形化生长方法-CN201710364847.1在审
发明人：张大勇;金智;史敬元;彭松昂;黄昕楠;姚尧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯图形化生长方法，其中包括步骤一、在衬底表面形成镍层，用于提供石墨烯的生长衬底；步骤二、将表面图形化模板覆盖在所述镍层表面，在所述镍层表面生成与所述表面图形化模板相对应的石墨烯图形。本发明能够利用覆盖在金属镍表面的图形化模板对镍表面石墨烯生长的选择性限制作用，在金属镍表面生成图形化石墨烯。本发明工艺简单，生产效率高，并且图形化模板可以重复利用，有效避免石墨烯表面的污染。
一种石墨图形化生方法

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