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[发明专利]脊形阵列半导体激光器及其制作方法-CN201610578278.6有效
发明人：黄莹;李德尧;刘建平;张立群;张书明;杨辉 -专利权人：杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明提供一种脊形阵列半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括多个脊形部，所述多个脊形部的宽度不相等。本发明提出的脊形阵列半导体激光器，通过在外延结构的顶部设置多个脊形部，多个脊形部的宽度不相等，能够降低激光器在工作时有源区中心与有源区两侧的温差，从而使得整个激光器结构温度分布均匀，使得激光器工作时输出特性一致
阵列半导体激光器及其制作方法

[发明专利]半导体激光装置的制造方法及半导体激光条的检查方法-CN200810130888.5有效
发明人：鹿岛孝之;伊藤启司;牧田幸治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：在半导体基板上，使第1导电型的包覆层、活性层、第2导电型的第1包覆层及第2导电型的第2包覆层依次进行晶体生长，对上述第2导电型的第2包覆层进行加工，形成带状的多个脊形结构部，在与上述脊形结构部的长度方向正交的方向上裂开，形成激光条；将在脊形结构部的长度方向上隔开指定的间隔而排列脊形结构部后的列排列多个；该列和邻接的列，在脊形结构部的长度方向上错开，以使得脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的另一端部在脊形结构部的长度方向上互相重叠；使脊形结构部的端部和邻接的脊形结构部的端部相重叠的区域裂开。
半导体激光装置制造方法检查

[发明专利]一种基于脊形电极结构的纳米线排列与定位方法-CN201210391210.9有效
发明人：黄辉;渠波;刘蓬勃 -专利权人：黄辉;渠波;刘蓬勃
申请日： 2012-10-01 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于脊形电极结构的纳米线排列与定位方法，其特征是：利用脊形电极结构顶端的电场强度最大效应，通过电场力将纳米线精确定位在脊形结构顶端。在单晶材料衬底上制备的脊形结构侧壁，通常由{110}和{111}等晶面族构成，因此脊形结构的尖锥宽度可以达到纳米级尺度，从而实现纳米线的精确排列与定位；同时脊形结构顶部的胶体还可以有效防止纳米线被电场击穿和损坏
一种基于电极结构纳米排列定位方法

[发明专利]一种具有窗口结构的半导体激光器及其制备方法-CN202110287426.X在审
发明人：苏建;王潇潇;吴萌萌;徐现刚;郑兆河 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有窗口结构的半导体激光器及其制备方法。所述激光器包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N‑限制层、N‑波导层、量子阱有源区、P‑波导层、P‑限制层、接触层、绝缘层以及P面电极；所述P‑限制层上设置有脊形结构，所述脊形结构包括P‑限制层和接触层形成的脊形发光结构，以及绝缘层与脊形发光结构之间的空白区域形成的窗口结构，所述窗口结构位于脊形发光结构的一端，轴对称分布于脊形发光结构两侧。本发明提供的具备窗口结构的半导体激光器，兼具脊形激光器两种常见结构的优势。既可以有效改善光斑，又能够提高光电参数合格率。
一种具有窗口结构半导体激光器及其制备方法

[发明专利]一种馈源组件及馈源系统-CN202310845727.9在审
发明人：弓金刚;张学刚;许智;朱正贤;徐鸣;卢绍鹏;白张龙 -专利权人：银河航天（西安）科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01Q13/02 文献下载
摘要：本说明书提供一种馈源组件及馈源系统，馈源组件包括级联的四脊喇叭、第一十字形耦合器、移相器、十字形耦合器组和脊波导功分器，十字形耦合器组包括第二十字形耦合器和第三十字形耦合器。喇叭的内壁采用指数曲线结构，内壁设置的脊采用两段指数曲线结构。第一十字形耦合器、第二十字形耦合器和第三十字形耦合器包括一个四脊圆波导结构的公共端口和四个单脊波导结构的耦合端口，四脊圆波导结构包括锥结构和适配锥结构的四脊结构。移相器包括两个曲线渐变结构的45°脊波导移相器和一个用于连接两个45°脊波导移相器的180°拐弯脊波导连接器。该馈源组件能够覆盖超宽频带范围，且具有良好的性能。
一种馈源组件系统

[发明专利]单模量子级联激光器线阵列结构-CN200810118963.6无效
发明人：高瑜;刘峰奇;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-08-27 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：一种单模量子级联激光器线阵列结构，其特征在于，该结构包括：一衬底；多个脊形单元，该多个脊形单元依序纵向制作在衬底上，形成脊形结构列；一隔离层，该隔离层制作在多个脊形单元和衬底的表面，该隔离层在该多个脊形单元的上表面为断开
单模量子级联激光器阵列结构

[发明专利]具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构及其制备方法-CN202310891494.6在审
发明人：赵武;张立晨;王俊;程洋;苏建昆 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明揭示了一种具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构及其制备方法，具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的脊形结构，所述脊形结构包括在所述半导体衬底层上依次层叠的下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；所述脊形结构在慢轴方向的宽度自上至下递增，所述脊形结构在慢轴方向的两侧均具有特征侧壁，所述特征侧壁为上波导层、有源层和下波导层在慢轴方向侧部的侧壁；所述特征侧壁的若干间隔的区域朝向脊形结构中凹陷构成若干光栅槽，光栅槽和光栅槽之间的脊形结构构成侧壁光栅结构。具有侧壁光栅结构的边发射半导体发光结构能提高电光转换效率和发光功率。
具有侧壁光栅结构发射半导体发光及其制备方法

[发明专利]一种十字形耦合器及馈源组件-CN202310845720.7有效
发明人：弓金刚;张学刚;许智;朱正贤;徐鸣;卢绍鹏;白张龙 -专利权人：银河航天（西安）科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本说明书提供一种十字形耦合器及馈源组件，所述十字形耦合器包括一个四脊圆波导结构的公共端口和四个单脊波导结构的耦合端口，其中，公共端口的底部和四个耦合端口连接，四脊圆波导结构包括锥结构和适配锥结构的四脊结构，四脊结构与四个耦合端口的单脊之间按照预设转角设置。通过在十字形耦合器上使用包括锥结构和适配锥结构的四脊圆波导结构的公共端口，以及四个单脊波导结构的耦合端口，实现了覆盖超宽频带良好的射频性能，能够覆盖超宽频带范围，且具有良好的性能。
一种十字形耦合器馈源组件

[发明专利]基于条形脊形波导混合结构的光学多模干涉耦合器-CN202310386870.6在审
发明人：李泽正;高旭东;徐珍珠;朱宇鹏 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种基于条形脊形波导混合结构的光学多模干涉耦合器，涉及集成光学领域。该耦合器一体化成形，从信号的输入至输出方向依次包括：脊形结构的单模输入波导、锥形渐变输入波导，条形结构的多模波导、脊形结构的锥形渐变输出波导、单模输出波导。脊形结构的波导包括脊部波导和平板区波导；单模输入波导的脊部波导宽度与锥形渐变输入波导的最小脊部波导宽度相等；锥形渐变输入波导的最大脊部波导宽度之和小于多模波导的宽度；锥形渐变输出波导的最大脊部波导宽度之和小于多模波导的宽度；锥形渐变输出波导的最小脊部波导宽度与单模输出波导的脊部宽度相等。基于上述耦合器，组成电子元器件的结构，无需使用传统渐变转换结构。
基于条形脊形波导混合结构光学干涉耦合器

[发明专利]一种防水离心式雾化发生器-CN201711197697.6在审
发明人：林杉柏;甘琪 -专利权人：中山市恒和电子科技有限公司
申请日： 2017-11-25 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： F24F6/16 文献下载
摘要：一种防水离心式雾化发生器，包括发生器本体，所述发生器本体由底板和雾化盘组成，所述发生器本体内设有能驱动雾化盘转动的驱动电机，所述底板与雾化盘之间设有防水结构。通过在雾化盘上设置若干第二环形凸脊和在底板上设置若干第一环形凸脊，相邻两条第一环形凸脊之间形成一条第一环形凹槽，相邻两条第二环形凸脊之间形成一条第二环形凹槽。第一环形凸脊插入第二环形凹槽内，第二环形凸脊插入第一环形凹槽内，形成防水结构。水雾被若干第一环形凸脊和若干第二环形凸脊所阻挡，不易进入雾化发生器的内部，导致电子元件短路，导致发生危险，而且提高使用寿命。
一种防水离心雾化发生器

[实用新型]一种防水离心式雾化发生器-CN201721610877.8有效
发明人：林杉柏;甘琪 -专利权人：中山市恒和电子科技有限公司
申请日： 2017-11-25 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： F24F6/16 文献下载
摘要：一种防水离心式雾化发生器，包括发生器本体，所述发生器本体由底板和雾化盘组成，所述发生器本体内设有能驱动雾化盘转动的驱动电机，所述底板与雾化盘之间设有防水结构。通过在雾化盘上设置若干第二环形凸脊和在底板上设置若干第一环形凸脊，相邻两条第一环形凸脊之间形成一条第一环形凹槽，相邻两条第二环形凸脊之间形成一条第二环形凹槽。第一环形凸脊插入第二环形凹槽内，第二环形凸脊插入第一环形凹槽内，形成防水结构。水雾被若干第一环形凸脊和若干第二环形凸脊所阻挡，不易进入雾化发生器的内部，导致电子元件短路，导致发生危险，而且提高使用寿命。
环形凸脊环形凹槽底板发生器本体雾化盘离心式雾化防水结构发生器防水驱动雾化盘雾化发生器发生危险驱动电机使用寿命短路水雾转动阻挡

[发明专利]半导体发光器件及其制造方法-CN200580000925.5无效
发明人：内田史朗;东条刚 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2005-06-15 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：在衬底(10)上，第一导电类型的第一覆层(11)、有源层(12)、以及第二导电类型的第二覆层(17)分层形成，该第二覆层(17)部分地具有作为电流集聚结构的脊形RD。在脊形部分的第二覆层具有这样的结构，该结构包括在接近所述有源层的一侧的高带隙的第一脊形层(15)和在远离所述有源层的一侧的低带隙的第二脊形层(16)。该半导体发光器件通过用外延生长在衬底上分层形成第一覆层、有源层、以及第二导电类型的第二覆层，然后将第二覆层的一部分剪裁成脊形来制造。形成第二覆层使得第一脊形层和第二脊形层被包括在将具有脊形的部分中。
半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]一种脊形半导体激光二极管的制备方法-CN201810678555.X在审
发明人：张雨;于军;张新;朱振 -专利权人：潍坊华光光电子有限公司
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：一种脊形半导体激光二极管的制备方法，包括：(1)制备GaN LD外延片(2)利用掩膜、光刻工艺在所述GaN LD外延片的表面制备脊形结构，所述脊形结构的底边被光刻至所述P型波导层(3)向所述GaN LD本发明在所述未设置脊形结构的P型波导层上、在所述脊形结构的侧壁上以及脊形结构的两端均设置有由离子注入方法制备的绝缘层，从而得到最小脊条宽度为1μm的激光器，易实现单模，热稳定性好，且不需要剥离，工艺简单
脊形结构制备激光器外延片绝缘层半导体激光二极管脊形蒸镀离子加厚表面制备光刻工艺热稳定性电极侧壁单模镀膜管芯光刻解理小脊掩膜切割剥离

[发明专利]氮化镓基半导体激光器及其制作方法-CN201811627027.8在审
发明人：任霄钰;李德尧;刘建平;张立群;张书明;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器，包括衬底和设于衬底底部的底电极以及依次层叠设置于衬底顶部的外延结构、绝缘层、顶电极，外延结构的顶部具有脊形半导体层，脊形半导体层具有第一脊形部和欧姆接触层，欧姆接触层设于第一脊形部上由于开口的宽度小于第一脊形部的宽度，使得第一脊形部中央的载流子密度大于第一脊形部两侧的载流子密度，基模的增益只有很小的降低，而高阶模的增益则降低很多，同时，由于第一脊形部的宽度足够大，可以增加氮化镓基半导体激光器的光功率
氮化半导体激光器及其制作方法

[发明专利]脊形半导体激光器及其制作方法-CN201610583933.7有效
发明人：黄莹;李德尧;刘建平;张立群;张书明;杨辉 -专利权人：杭州增益光电科技有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01S5/227 文献下载
摘要：本发明提供一种脊形半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括脊形部以及位于脊形部两侧的第一台阶部和第二台阶部；在所述脊形部的两侧面以及所述第一台阶部和第二台阶部的上表面本发明提出的半导体激光器能够抑制载流子向脊形两侧的扩展，提高载流子的注入效率。此外，P型氮化铝镓上限制层与N型氮化铝镓离子注入层形成P‑N结，当激光器工作在正向时，此P‑N结工作在反向，漏电较小，即使激光器无绝缘层，也可以阻止电流从脊形部两侧注入。
半导体激光器及其制作方法

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