[发明专利]脊形阵列半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201610578278.6 | 申请日： | 2016-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN107645121B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 黄莹;李德尧;刘建平;张立群;张书明;杨辉 | 申请（专利权）人： | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 11257 北京正理专利代理有限公司 | 代理人： | 李远思 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种脊形阵列半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，所述脊形半导体层包括多个脊形部，所述多个脊形部的宽度不相等。本发明提出的脊形阵列半导体激光器，通过在外延结构的顶部设置多个脊形部，多个脊形部的宽度不相等，能够降低激光器在工作时有源区中心与有源区两侧的温差，从而使得整个激光器结构温度分布均匀，使得激光器工作时输出特性一致。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 半导体激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种脊形阵列半导体激光器，包括衬底、形成于所述衬底上的外延结构，所述外延结构的顶部具有脊形半导体层，其特征在于，所述脊形半导体层包括阵列的多个脊形部，所述多个脊形部的宽度不相等；/n所述外延结构包括依次设置于所述衬底上的缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层以及上限制层，所述上限制层为所述脊形半导体层；/n所述脊形半导体层上形成有顶电极；所述脊形阵列半导体激光器，包括覆盖层，所述覆盖层仅位于所述脊形半导体层的每一脊形部与所述顶电极之间；/n所述脊形阵列半导体激光器，包括绝缘层，所述绝缘层仅位于所述脊形半导体层的每一脊形部的两侧与所述顶电极之间。/n
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