“胞内区”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果7243876个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种泛素化缺失的嵌合抗原受体及其用途-CN201910302508.X有效
发明人：王皞鹏;李文涛;邱士真;魏平 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C07K19/00 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌合抗原受体，包括：依次连接的胞外结构域、跨膜结构域、胞内结构域；所述胞外结构域包括抗原识别区；所述胞内结构域包括依次连接的共刺激信号传导区和CD3ζ胞内区，形成共刺激信号传导区‑CD3ζ胞内区；所述共刺激信号传导区‑CD3ζ胞内区为野生型共刺激信号传导区‑CD3ζ胞内区中的赖氨酸突变为精氨酸形成的多肽。本发明为CAR‑T的优化改造提供了一种方法，将CAR的胞内段所有赖氨酸位点突变为精氨酸，阻断了CAR受抗原刺激后产生的泛素化修饰。该策略对不同的CAR及变换不同的胞内共刺激域均适用，尤其是针对CAR‑T在实体瘤中增殖能力不佳的问题提供了一种解决思路。
一种泛素化缺失嵌合抗原受体及其用途

[发明专利]改良型抗CD19 CAR-T细胞-CN201810509014.4有效
发明人：严勇朝;朱益林;陈思毅 -专利权人：北京马力喏生物科技有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C07K19/00 文献下载
摘要：该嵌合抗原受体包括：胞外区，所述胞外区包括单链抗体和铰链区，所述单链抗体包括单链抗体的重链可变区和轻链可变区，所述单链抗体特异性识别抗原人CD19，所述铰链区包括含55个氨基酸残基的人CD8α分子胞外段和3个附加氨基酸残基AAA，所述AAA位于所述人CD8α分子胞外段的N端；跨膜区，所述跨膜区包括人CD8α分子跨膜段，所述人CD8α分子跨膜段与所述胞外区的铰链区相连，并且嵌入到所述T淋巴细胞的细胞膜中；胞内区，所述胞内区包括含7个氨基酸残基的人CD8α分子胞内段和4‑1BB分子胞内段以及CD3ζ链胞内段，所述胞内区与所述跨膜区的人CD8α分子跨膜段相连。
改良 cd19 car 细胞

[发明专利]一种CAR嵌合抗原受体序列及应用其的CAR-NK细胞-CN201910914392.5有效
发明人：步磊;潘伟飙;蔡子悦 -专利权人：汕头普罗凯融生物医药科技有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C07K19/00 文献下载
摘要：本发明提供提供一种CAR嵌合抗原受体序列，包括单链抗体结构、胞外区结构、跨膜区结构和胞内区结构；胞外区结构的蛋白多肽序列选自CD8α蛋白多肽序列的片段；跨膜区结构的蛋白多肽序列选自NKG2D蛋白多肽序列的片段；胞内区结构包括2B4胞内区结构或/和CD3ζ胞内区结构，2B4胞内区结构的蛋白多肽序列选自2B4蛋白多肽序列的片段，CD3ζ胞内区结构的蛋白多肽序列选自CD3ζ蛋白多肽序列的片段。
一种 car 嵌合抗原受体序列应用 nk 细胞

[发明专利]一种混合元胞型集成IGBT器件-CN201910085987.4在审
发明人：阳平 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2019-01-29 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种混合元胞型集成IGBT器件，其有源区包括沟槽元胞区(2)和平面元胞区(3)，沟槽元胞区由沟槽型IGBT元胞构成，平面元胞区由平面型IGBT元胞构成。本发明的混合元胞型集成IGBT器件，单一芯片内同时具有沟槽型和平面型IGBT元胞结构，并具有两个独立的控制栅极，结合了两者的优点，具有更优的器件性能。
元胞元胞区沟槽型单一芯片控制栅极器件性能元胞结构平面型胞区面型面元源区

[发明专利]FXYD6胞内区蛋白的表达和纯化方法-CN201110259079.6无效
发明人：周宁新 -专利权人：周宁新
申请日： 2011-09-02 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C12N15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种FXYD6胞内区蛋白的表达和纯化的方法，是采用核苷酸序列如SEQ ID No：2和SEQ ID No：3所示的引物对、利用PCR技术扩增FXYD6胞内区序列后，将扩增出的FXYD6胞内区序列插入到表达载体pGEX-6P-1中，构建重组载体pGEX-6P-1-FXYD6胞内区；再将重组载体转化于宿主细胞中，并在宿主细胞中表达FXYD6胞内区重组蛋白；表达的重组蛋白进行鉴定后，通过亲和层析柱进行纯化，经过纯化的蛋白再通过本发明提供了FXYD6胞内区的纯化蛋白，进一步可应用于制备FXYD6蛋白胞内区的单克隆抗体。为进一步研究FXYD6组织分布提供了有利工具。
fxyd6 胞内区蛋白表达纯化方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管器件-CN201610010199.5有效
发明人：李宇柱 -专利权人：常州中明半导体技术有限公司
申请日： 2016-01-08 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括金属集电极、P型集电极、N型场终止层和N‑漂移区，晶体管顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞和虚拟原胞通过沟槽栅分开，沟槽栅结构由相互接触的多晶硅栅电极和栅氧化层组成，有源原胞包括N+发射区和P+接触区，它们通过介质层的窗口和金属发射极相连，有源原胞和虚拟原胞都包含P型阱区，有源原胞内的P型阱区通过P+接触区和发射极电极相连，虚拟原胞内的P型阱区是不连续的，而且其电位悬空本发明在具有虚拟原胞的IGBT结构的基础上，把悬空P型深阱变成较浅的悬空P型阱区，而且悬空P型阱区不连续，从而提高器件的载流子浓度，获得更低的正向饱和压降，进一步降低了工艺成本。
一种绝缘栅双极型晶体管器件

[实用新型]提高UIS的超结MOSFET结构-CN201720446551.X有效
发明人：白玉明;徐承福;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种提高UIS的超结MOSFET结构，包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层，N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区；元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于所述N‑型外延层中的一对元胞区P柱；一对元胞区P柱顶端分别连接有一P型体区；P型体区顶部，形成有N+型体接触区和P+型体区；P型体区、N+型体接触区和P+型体区都位于N‑型外延层内；在元胞区范围内，N‑型外延层表面形成有栅极结构，所述栅极结构位于一对元胞区P柱之间；终端区的N‑型外延层中形成有至少一个终端区P柱。
提高 uis mosfet 结构

[发明专利]超级结功率器件终端结构-CN201110391839.9有效
发明人：张帅;刘远良 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结功率器件终端结构，包括原胞区和终端区，原胞区和终端区有沟槽，原胞内的沟槽和终端区的沟槽成正交相接，原胞区内的沟槽处向内收缩，使得终端区沟槽与原胞区内沟槽相交的长方形区域对角线长度尺寸最大值不超过原胞区内沟槽宽度的
超级功率器件终端结构

[发明专利]T淋巴细胞及其应用-CN202110763406.5在审
发明人：王保垒;都晓龙;彭亮;王先进;叶立军 -专利权人：深圳市菲鹏生物治疗股份有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C12N5/0783 文献下载
摘要：该T淋巴细胞共表达融合蛋白以及嵌合抗原受体，所述嵌合抗原受体识别肿瘤抗原，其中，所述嵌合抗原受体包括：胞外区；跨膜区，所述跨膜区与所述胞外区相连，并且嵌入到所述转基因淋巴细胞的细胞膜中；胞内区，所述胞内区与所述跨膜区相连，并且所述胞内区包括免疫共刺激分子胞内段；所述融合蛋白包括：免疫检查点单链抗体和T细胞激活分子。
淋巴细胞及其应用

[发明专利]嵌合抗原受体修饰的T细胞及其用途-CN201510324558.X有效
发明人：齐菲菲;鲁薪安;何霆 -专利权人：北京艺妙神州医疗科技有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C12N15/62 文献下载
摘要：本发明提供了嵌合抗原受体修饰的T细胞及其用途，所述嵌合抗原受体包含顺序连接的信号肽、胞外结合区、任选的铰链区、跨膜区和胞内信号区，其中所述胞外结合区的核苷酸序列如SEQ ID No4或SEQ ID No5
嵌合抗原受体修饰细胞及其用途

[发明专利]能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件-CN201910773747.3有效
发明人：陈钱;许生根;张金平;姜梅 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种能降低正向导通压降的沟槽IGBT器件，其每个元胞内包括两个相邻的元胞沟槽，元胞内相邻的元胞沟槽间设置第二导电类型第二发射区以及第一导电类型载流子存贮区；在第一导电类型载流子存贮区的下方设置浮空区域，所述浮空区域的两端与元胞内两元胞沟槽的外侧壁接触，所述浮空区域包括第一导电类型浮空区以及第二导电类型浮空区，第二导电类型第二发射区、第一导电类型载流子存贮区的两端分别与两元胞沟槽的侧壁接触；发射极金属与第一导电类型发射区、第二导电类型第一发射区以及第二导电类型第二发射区欧姆接触。
降低向导通压降沟槽 igbt 器件

[实用新型]提高截止效果的沟槽型功率MOS器件-CN201220000743.5有效
发明人：朱袁正;秦旭光;丁磊 -专利权人：无锡新洁能功率半导体有限公司
申请日： 2012-01-04 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高截止效果的沟槽型功率MOS器件，其包括位于半导体基板中心区的元胞区及位于元胞区外圈的终端保护区，终端保护区环绕包围元胞区；元胞区包括若干并联设置的元胞，元胞采用沟槽结构；终端保护区包括位于内圈的至少一个分压保护环及位于外圈的截止环，分压保护环采用沟槽结构；所述截止环对应第二导电类型阱层内的上部设有第一导电类型注入区；在覆盖于截止环的绝缘介质层上刻蚀有第二欧姆接触孔，第二欧姆接触孔内填充有第二金属层，所述第二金属层并覆盖于截止环上对应的绝缘介质层上；第二金属层与截止环内的第一导电类型注入区及第二导电类型阱层欧姆接触。
提高截止效果沟槽功率 mos 器件

[发明专利]共表达抗MSLN嵌合抗原受体和无功能EGFR的转基因淋巴细胞及其用途-CN201710056385.7在审
发明人：严勇朝;朱益林;陈思毅 -专利权人：北京马力喏生物科技有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C12N5/10 文献下载
摘要：本发明提出了一种转基因淋巴细胞、一种构建体和一种治疗癌症的治疗组合物，该转基因淋巴细胞表达无功能EGFR以及表达嵌合抗原受体，其中，所述嵌合抗原受体包括：胞外区，所述胞外区包括单链抗体的重链可变区和轻链可变区，所述单链抗体特异性识别抗原MSLN；跨膜区，所述跨膜区与所述胞外区相连，并且嵌入到所述T淋巴细胞的细胞膜中；胞内区，所述胞内区与所述跨膜区相连，并且所述胞内区包括CD28或4‑1BB的胞内段以及CD3ζ
转基因淋巴细胞嵌合抗原胞内区胞外区跨膜区单链抗体肿瘤细胞细胞膜淋巴细胞表达轻链可变区特异性识别治疗组合物重链可变区杀伤能力杀伤作用治疗癌症高表达共表达构建体抗原内段嵌入

[实用新型]一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片-CN201921289193.1有效
发明人：丁文华;习毓;陈骞;周新棋;智晶;田欢 -专利权人：西安卫光科技有限公司
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内引线MOSFET版图结构及MOSFET芯片，包括MOSFET版，MOSFET版上设置有结终端，结终端的内部设置有元胞区，元胞区内设置有栅Pad和源pad。本实用新型取消了元胞区和结终端区的过渡区域，元胞区周围可以直接设计结终端区，从而有效缩小了芯片尺寸，适用于小电流的MOSFET芯片。
一种引线 mosfet 版图结构芯片

[实用新型]超结MOSFET多结终端结构-CN201720441794.4有效
发明人：白玉明;徐承福;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超结MOSFET多结终端结构，包括N+型衬底及形成于所述N+型衬底上的N‑型外延层；N‑型外延层包括元胞区和包围所述元胞区的终端区；元胞区中形成有至少一个晶体管单元，晶体管单元包括形成于N‑型外延层中的一对元胞区P柱；所述一对元胞区P柱顶端分别连接有一P型体区；P型体区顶部形成有N+型体接触区；在元胞区范围内，N‑型外延层表面形成有栅极结构，栅极结构位于一对元胞区P柱之间，与一对元胞区P柱上方的N+型体接触区分别接触；终端区中的N‑型外延层中形成有至少一个终端区P柱；终端区中每个终端区P柱顶端都连接有一个P‑型体区。
mosfet 终端结构

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top