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[发明专利]银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置-CN201410235754.5有效
发明人：曲连杰;郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种银纳米线薄膜及其制备方法、阵列基板、显示装置；银纳米线薄膜包括形成在基板上的银纳米线层和形成在所述银纳米线层上的保护层；银纳米线薄膜的制备方法包括以下步骤：在基板上形成银纳米线层；在所述银纳米线层上方形成保护层；通过一次构图工艺，形成银纳米线图案，所述银纳米线图案的上方有保护层覆盖。本发明通过在银纳米线薄膜的成膜工艺中添加银纳米线抗氧化处理工艺，可以减少由于银纳米线层放置时间过长引起的膜层氧化问题，同时可以增加银纳米线层的导电能力，提升产品性能和寿命。
纳米薄膜及其制备方法阵列显示装置

[发明专利]基于铜纳米线的电热织物及其制备方法-CN202210281260.5在审
发明人：毕曙光;贾丽萍;肖明;朱全全;冉建华;姜会钰;蔡光明;程德山 -专利权人：武汉纺织大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： D06N3/04 文献下载
摘要：本申请提供的一种基于铜纳米线的电热织物及其制备方法，其中基于铜纳米线的电热织物包括层叠设置的基材层和保护层，所述基材层负载有铜纳米线和/或所述基材层与所述保护层之间设有铜纳米线功能层。上述铜纳米线电热织物，通过在负载有铜纳米线的基材层上设置保护层或在铜纳米线功能层是设置保护层，利用保护层隔绝空气，既能保护铜纳米线不被氧化，还能避免铜纳米线从基材层上脱落，从而增强铜纳米线电热织物的电热性能
基于纳米电热织物及其制备方法

[实用新型]一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器-CN201821166538.X有效
发明人：郭海中;姚江峰;相文峰 -专利权人：郑州大学;中国石油大学（北京）
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种Ni纳米线阵列太赫兹衰减器，其特征在于：其包括基底、有序排列在所述基底上的Ni纳米线层以及涂覆在所述Ni纳米线层上的保护层。所述Ni纳米线阵列层包括相互正交的若干Ni纳米线阵列层。各所述Ni纳米线阵列层均包括多组平行间隔排列的Ni纳米线阵列单元，且所述上层Ni纳米线阵列层中的各组Ni纳米线阵列单元均与所述下层Ni纳米线阵列层中的各组Ni纳米线阵列单元相正交。
纳米线阵列衰减器本实用新型纳米线层基底平行间隔排列保护层正交的涂覆下层正交上层应用

[发明专利]具有曲面形状的薄膜加热器及其制备方法-CN202211629879.7在审
发明人：胡跃辉;陈义川;闵志坚;戴寅杰;胡方 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H05B3/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有曲面形状的薄膜加热器及其制备方法，银纳米线功能体设置于基体器具的表面，银纳米线功能体包括多个银纳米线层，银纳米线层包括并行排布的银纳米线，多个银纳米线层整体的外表面设置有由活性金属氧化物纳米颗粒形成的包裹层，多个银纳米线层之间叠层设置；本发明提供的具有曲面形状的薄膜加热器及其制备方法，银纳米线层中银纳米线之间的并行的设置，线‑线结点少，透光特性增强，且活性金属氧化物纳米颗粒修饰银纳米线之间的线‑线结点和包裹银纳米线，使银纳米线之间的线‑线结点接触紧密，降低结点电阻。
具有曲面形状薄膜加热器及其制备方法

[发明专利]纳米线结构的制造-CN201510707073.9在审
发明人：臧辉;刘兵武 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本发明涉及纳米线结构的制造。其中本发明提供有助于制造纳米线结构例如一个或多个纳米线场效应晶体管的方法。例如，该方法包括：设置衬底；在该衬底上方设置第一材料层及第二材料层，该第一材料层与该第二材料层交错；移除该第一材料层及第二材料层的部分，该移除形成包括第一材料纳米线及第二材料纳米线的多个纳米线堆叠；自至少一个纳米线堆叠移除该第一材料纳米线；以及自至少另一个纳米线堆叠移除该第二材料纳米线，其中，该至少一个纳米线堆叠及至少另一个纳米线堆叠分别包括一个或多个p型纳米线堆叠及一个或多个n型纳米线堆叠。
纳米结构制造

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201810744372.3在审
发明人：马克·范达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括在半导体基板上形成纳米线基础层。形成第一纳米线于纳米线基础层上。形成栅极结构于纳米线基础层上并缠绕第一纳米线。第二纳米线以由下而上的方式形成在第一纳米线上并与第一纳米线接触。形成源极/漏极区域于栅极结构上并缠绕第二纳米线。
纳米线基础层半导体装置栅极结构缠绕源极/漏极区域半导体基板制造

[发明专利]无源自供能用压电纳米线的制备方法及压电纳米线-CN202110004843.9有效
发明人：秘立鹏;孙睿;刁凤新;史昌明;佟敏;党乐;王磊磊;陈忠源 -专利权人：国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院;国网河南省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10N30/30 文献下载
摘要：本发明属于无源自供能领域，提供了一种无源自供能用压电纳米线的制备方法及压电纳米线。其中，无源自供能用压电纳米线的制备方法包括在基片上溅射ZnO纳米线生长的种子层；将ZnO纳米线生长溶液与种子层反应，在种子层上生长ZnO纳米线；反应结束后，清洗种子层及ZnO纳米线；采用等离子溅射工艺在ZnO纳米线的上层制备出压电层电极，最终得到无源自供能用压电纳米线。
无源自供能用压电纳米制备方法

[发明专利]一种柔性电致变色薄膜及制备方法、电致变色器件-CN201610052580.8有效
发明人：俞书宏;王金龙;刘建伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2016-01-25 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性电致变色薄膜，包括柔性透明基底、银纳米线和氧化钨纳米线共组装的第一层纳米线薄膜、以及银纳米线和氧化钨纳米线共组装的第二层纳米线薄膜；所述第一层纳米线薄膜复合在柔性透明基底上；所述第二层纳米线薄膜交叉复合在所述第一层纳米线薄膜上本发明采用氧化钨纳米线对可见光具有较小的吸收，使共组装的纳米线薄膜具有良好的透过率，又采用具有良好的导电性的银纳米线，使共组装的纳米线薄膜具有良好的导电性，使共组装的纳米线薄膜能作为导电基底，克服了传统电致变色器件需要脆性ITO作为导电基底的限制；而且通过对银纳米线和氧化钨纳米线进行共组装制备纳米线薄膜，改变两种纳米线比例调节薄膜的透过率和导电性。
一种柔性变色薄膜制备方法器件

[发明专利]纳米线薄膜及其制造方法-CN201010208087.3有效
发明人：许嘉麟 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：一种纳米线薄膜，其中，该纳米线薄膜包括第一基板以及依次层迭于该第一基板上的纳米线层、热塑性高分子膜层及第二基板，其中该纳米线层由多个纳米线组成，该纳米线的延伸方向平行于该第一基板。与现有技术相比，本发明所提供的纳米线薄膜具有大面积规则排列的纳米线，适合规模化生产。本发明还涉及该纳米线薄膜的制造方法。
纳米薄膜及其制造方法

[发明专利]基于多重随机纳米线网络的储备池系统-CN202310715854.7在审
发明人：王丽丹;唐健峰;夏磊;李广隶;付军;杨斌;段书凯 -专利权人：西南大学
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：一种基于多重随机纳米线网络的储备池系统，包括输入层、随机纳米线网络层、训练层和输出层，其中：所述输入层采集具有时间序列属性的向量数据组，向量数据组经归一化处理转化为电压输入矩阵Win；随机纳米线网络层设置有N层依次串联的纳米线网络；输入层逐个传送所述电压输入矩阵Win中的电压给第一纳米线网络层；第一纳米线网络层的输出端连接有第二纳米线网络层与训练层；第二纳米线网络层的输出端连接有第三纳米线网络层输入端与训练层，直至第N纳米线网络层的输出端连接训练层；训练层输出端连接输出层，输出层输出权重矩阵Wout。
基于多重随机纳米网络储备系统

[发明专利]纳米线电极和电容电极及纳米线电极和电容电极的制备方法-CN202011382114.9有效
发明人：武青青;朱建军;林威豪 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米线电极和电容电极及纳米线电极和电容电极的制备方法，所述纳米线电极包括位于金属层上的纳米线阵列；所述纳米线阵列包括多个纳米线结构，所述纳米线结构包括：金属纳米线中间核，且所述金属纳米线中间核垂直于所述衬底；包覆层，所述包覆层包覆所述金属纳米线中间核；赝电容层，所述赝电容层覆盖所述包覆层的表面,所述纳米线电极为核壳结构，为赝电容层附着提供支持提高赝电容材料的负载量，从而带来更高的赝电容容量的电容电极。
纳米电极电容制备方法

[发明专利]一种碳包银纳米线-CN202111459460.7有效
发明人：曾西平;叶晃青;李艳玲;林仪珊 -专利权人：深圳市华科创智技术有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明属于银纳米线制备技术领域，具体涉及一种碳包银纳米线。所述碳包银纳米线包括位于芯层的银纳米线和包覆在所述芯层表面的纳米碳层；所述银纳米线的直径为10‑2000nm，长度为1‑100μm；所述纳米碳层的厚度为1‑10nm。本发明的碳包银纳米线，通过在银纳米线表面包覆纳米碳层，能够很好地防止纳米银的氧化和银迁移效应的发生，提高了银纳米线的稳定性，保证了相关银纳米线器件的可靠性；并且，本发明的碳包银纳米线形状均匀，包覆稳定，
一种包银纳米

[发明专利]半导体感测装置及制作方法-CN201410718153.X有效
发明人：冉晓雯;蔡娟娟;余沛慈;庄明谚;叶佳俊 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体感测装置及制作方法，半导体感测装置包括纳米线导电层、半导体感测层以及导电层，纳米线导电层包括多个相连的导电纳米线，其中这些导电纳米线之间形成间隙，半导体感测层电性连接纳米线导电层，导电层电性连接半导体感测层，半导体感测层配置于纳米线导电层与导电层之间。
半导体装置制作方法

[发明专利]一种散热结构以及OLED显示装置-CN201710861102.6有效
发明人：王欣欣;贾文斌;彭锐;叶志杰;胡月;宋丽芳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开一种散热结构以及OLED显示装置，散热结构包括相对设置的热膨胀层和散热层、第一纳米线以及第二纳米线，其中：第一纳米线阵列分布在热膨胀层与散热层相对的表面上，第二纳米线阵列分布在散热层与热膨胀层相对的表面，第一纳米线和第二纳米线交错排布，部分第一纳米线与第二纳米线相接触；热膨胀层背离散热层的表面形成热量导入面，热源上局部温度较高处进入到热膨胀层的热量较多，带动第一纳米线运动的距离较远，更多的第一纳米线与第二纳米线相接触，热量传导更多地传导至散热层，并扩散到外部，使局部温度较高处的温度下降，进而使得热源温度均匀，能够解决热源散热不均的问题，散热效果较好，且结构简单。
一种散热结构以及 oled 显示装置

[发明专利]硅纳米线器件的制作方法-CN201110328162.4有效
发明人：景旭斌;杨斌;郭明升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅纳米线器件的制作方法，包括以下步骤：在衬底上形成硅纳米线；依次沉积无定形碳层和绝缘抗反射涂层；干法刻蚀去除部分硅纳米线上方的绝缘抗反射涂层和无定形碳层暴露硅纳米线器件区；在上述结构表面沉积氧化膜；在硅纳米线器件区内形成连通至硅纳米线的金属焊垫；在上述结构表面沉积钝化层；采用光刻刻蚀工艺，在金属焊垫上形成接触孔，去除硅纳米线器件区外的硅纳米线上方的钝化层、氧化膜和绝缘抗反射涂层，停留在无定形碳层上；采用灰化工艺，去除硅纳米线器件区外的硅纳米线上方的无定形碳层，暴露出硅纳米线。本发明利用无定形碳层的各向同性刻蚀和各向异性刻蚀的特性，消除了硅纳米线器件中器件区以外的硅纳米线的侧墙。
纳米器件制作方法

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