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[发明专利]Ⅲ-V族氮化物基有机/无机杂化纳米结构太阳电池-CN200910029602.9无效
发明人：曹冰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种III-V族氮化物基有机/无机复合纳米结构太阳电池。它的太阳电池工作区结构为在氮化物衬底上制备氮化物基纳米柱阵列，以有机聚合物材料填充沿c轴方向的氮化物基纳米柱阵列的间隙；通过确定纳米柱的排布与柱间距，构成二维光子晶体结构，达到对太阳光能量的最大限度的吸收和减反；纳米柱间的有机填充聚合物吸收太阳光产生激子，激子被分解为正、负载流子，并传输到氮化物纳米柱，利用氮化物纳米柱沿c轴方向的强极化场自发分离电子空穴对，电子空穴沿纳米柱传输到纳米柱的两端被电极收集，无需p-n结而实现光伏输出；以上结构的开路电压只取决于氮化物的禁带宽度，采用III-V族氮化物宽禁带材料，能达到提高太阳电池光电转换效率的目的。
氮化物有机无机纳米结构太阳电池

[发明专利]一种氧化锌基有机/无机杂化纳米结构太阳电池-CN200910031366.4无效
发明人：曹冰;韩琴;张桂菊 -专利权人：苏州大学
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌基有机/无机杂化纳米结构太阳电池。它的太阳电池工作区结构为在衬底上制备氧化锌基纳米柱阵列，通过确定纳米柱的排布与柱间距，构成二维光子晶体结构，达到对太阳光能量的最大限度的吸收和减反；同时以有机聚合物材料填充沿c轴方向的纳米柱阵列的间隙，纳米柱间的有机填充聚合物吸收太阳光产生激子，激子被分解为正、负载流子，并传输到Zn0基材料纳米柱，利用氧化锌纳米柱沿c轴方向的强极化场自发分离电子空穴对，电子空穴沿纳米柱传输到纳米柱的两端被电极收集，无需
一种氧化锌有机无机纳米结构太阳电池

[发明专利]锂离子电池负极结构的制造方法及锂离子电池负极结构-CN201911000230.7在审
发明人：钟高阔;訾孟飞;任传来;安峰;李江宇 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01M4/1391 文献下载
摘要：本发明涉及电池负极结构的技术领域，尤其是涉及锂离子电池负极结构的制造方法及锂离子电池负极结构。方法包括如下步骤：提供一集流体板；贴附一多孔纳米模板在所述集流体板上；以脉冲激光沉积方式形成多个纳米阵列柱在所述多孔纳米模板的孔洞内；移除多孔纳米模板，移除后纳米阵列柱凸出地阵列固着于所述集流体板上，其中纳米阵列柱直径介于90‑300nm，纳米阵列柱的高度介于50‑400nm，纳米阵列柱之间的间距介于65‑125nm。电池负极上的纳米阵列柱高度有序，与集流体板紧密结合，能够提供优异的导电性和超低的离子扩散电阻。
锂离子电池负极结构制造方法

[发明专利]纳米结构柔性薄膜太阳电池制备方法-CN201010559291.X有效
发明人：李微;闫礼;李巍;赵彦民;杨立;冯金晖;刘兴江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米结构柔性薄膜太阳电池制备方法，包括以下制备过程：①将纳米孔膜粘贴在柔性铝箔衬底上；②在纳米孔膜中生成纳米柱：③在生成纳米柱的纳米孔膜上生成CIGS吸收层；④在CIGS吸收层上沉积顶电极层本发明的采用n型纳米柱部分生长于纳米孔膜中，部分位于纳米孔膜的上面；p型CIGS吸收层部分生长在纳米孔膜上面的纳米柱上面和纳米柱之间，形成太阳电池的pn结的立柱结构，更加利于光生载流子传输，减少复合的几率
纳米结构柔性薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法-CN201810643246.9在审
发明人：李俊泽;李沫;张建;张健 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基水平纳米柱壳核结构阵列LED的制备方法，制备形成的一个LED结构单元中包含：在蓝宝石上外延出非掺与掺杂氮化镓薄膜的基片；纳米压印制备的光栅阵列图形的SiO₂掩膜层；MOCVD选区外延出的氮化镓基多量子阱壳核结构水平纳米柱阵列，其中壳为InGaN/GaN有源层和p型GaN；纳米柱阵列间隙的透明介质填充层；刻蚀出的台面及电极。本发明具有以下优点：使用纳米压印能克服传统光刻技术衍射极限制备出百纳米以下的窗口区；通过光栅阵列图形掩膜衬底结合MOCVD二次外延，实现纳米柱阵列的尺寸、位置精确控制；纳米柱阵列LED中纳米柱数量可根据功率需求灵活改变；本发明制备得到的结构在可见光通讯、高分辨智能显示及光电互联方面都有潜在的应用价值。
制备纳米柱阵列壳核结构纳米柱氮化镓基光栅阵列纳米压印阵列LED 氮化镓基多量子阱氮化镓薄膜可见光功率需求光刻技术透明介质图形掩膜选区外延衍射极限智能显示蓝宝石电极台面窗口区高分辨潜在的填充层掩膜层衬底刻蚀源层掺杂互联灵活通讯应用

[发明专利]可调谐纳米柱和纳米间隙电极结构及其方法-CN202080035540.7在审
发明人： S·金;C·崔;保罗·莫拉 -专利权人：罗斯威尔生命技术公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：纳米光刻的新方法提供了可用于分子电子传感器中的纳米级结构,诸如用于核苷酸测序。在各个实施方式中，可调谐纳米柱在多对电极上方的抗蚀剂层中纳米图案化的孔中生长，所得纳米柱充当埋在抗蚀剂层下方的电极的垂直延伸。纳米柱的暴露顶面尺寸有限，因而在一对纳米柱中的纳米柱之间提供单个或至多几个桥分子的受控结合。
调谐纳米间隙电极结构及其方法

[发明专利]一种Ge2-CN202010154259.7有效
发明人：李东方;袁艳萍;陈继民;张成宇;施承坤 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-03-07 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明目的是提供一种Ge2Sb2Te5纳米柱与金属纳米球形成的柱‑球异质结构以及实现这种结构的制备工艺综合考虑金属表面等离激元与相变材料的固有特性，通过金属纳米球与介质纳米柱的结合，一方面相变介质材料的引入使得该柱‑球异质结构实现光场的在线调谐，另一方面GST介质材料所产生的磁响应进一步为光场调控提供了额外的维度通过激光加工介质纳米柱并实现金属纳米球与介质纳米柱自组装的工艺，不仅实现了上述结构灵活、高效、图案化制备，并且介质纳米柱与金属纳米球的多形态耦合方式为光场调控进一步扩展了空间，在超表面器件等领域具有广泛应用前景
一种 ge base sub

[发明专利]钛/钛合金多孔或致密体表面HA中空纳米柱涂层及制备方法-CN202310886487.7在审
发明人：憨勇;叶晶 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明属于一种钛/钛合金表面涂层制备方法，针对金属钛呈生物惰性，应用时需要对其表面进行活化改性，中空纳米柱可实现植入体的功能多样化。本发明为解决目前缺少关于中空HA纳米柱制备及性能研究，难以得到性能较好的中空HA纳米柱的技术问题，提供一种钛/钛合金多孔或致密体表面HA中空纳米柱涂层及制备方法。对钛/钛合金多孔或致密体先后进行微弧氧化处理和水热处理，进行水热处理时将钛/钛合金多孔或致密体悬置于水热处理溶液上方，在重力和表面张力的作用下，HA纳米柱生长速率快，在纳米柱柱心来不及成核生长的情况下，无法形成结晶状态良好的实心纳米柱结构，而是形成内部为空心的HA纳米柱结构。
钛合金多孔致密体表 ha 中空纳米涂层制备方法

[发明专利]表面增强拉曼光谱(SERS)感测基板及其制造方法-CN201310289016.4在审
发明人：任贻均;游竟维 -专利权人：任贻均;汎锶科艺股份有限公司
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：表面增强拉曼光谱(SERS)感测基板第一实施例包含:一基板；成长于基板上的多层金属/介电质材料搭配的纳米直柱结构，纳米直柱结构具有一组态，纳米直柱结构成长完成后是大约平行于基板法线方向。
表面增强光谱 sers 感测基板及其制造方法

[发明专利]一种比色传感器及其制作方法及其测试系统-CN201910755521.0在审
发明人：李龙杰;史丽娜;牛洁斌;陈生琼;谢常青;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G01N21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种比色传感器结构及其制备方法及其测试系统。该传感器包括：衬底；形成在衬底上的薄膜结构，薄膜结构为十字形柱纳米结构；以及十字形柱纳米结构形成十字形柱纳米结构阵列，用于承载待测样品，由十字形柱纳米结构阵列中的米氏共振引起的结构色探测待测样品的折射率变化本发明传感器采用周期纳米结构，体积小，易于携带，样品折射率变化导致传感器结构色发生变化，容易观察。
十字形柱纳米结构纳米结构阵列薄膜结构待测样品衬底比色传感器传感器结构发明传感器样品折射率折射率变化测试系统结构色体积小传感器共振米氏制备探测承载携带观察

[发明专利]一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法-CN201611245848.6有效
发明人：董培涛;吴学忠;张晨煜;曾学盛;王朝光;王俊峰;陈剑 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱及其制备方法。该表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱包括衬底，衬底上设有阵列型银纳米柱，阵列型银纳米柱的表面包覆有金膜；阵列型银纳米柱的柱长为400nm～800nm，阵列型银纳米柱的柱直径为80nm～100nm，相邻银纳米柱之间的距离70nm～80nm，阵列型银纳米柱表面的金膜厚度为20nm～30nm。制备方法包括：（1）倾斜镀膜法在衬底上制备阵列型银纳米柱；（2）纳米电镀金膜，得到表面包覆有金膜的阵列型银纳米柱。本发明的阵列型银纳米柱表面包覆金膜技术具有结构稳定、与生物样品之间亲和性好等优点，该制备方法操作安全便捷、成本低廉、效率高、且对环境友好。
一种表面包覆有金膜阵列纳米及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201010240858.7有效
发明人：周明杰;黄杰;汪磊 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包括：透明基体；透明导电电极，设于透明基体上；第一缓冲层，设于透明导电电极上；第一纳米柱阵列层，设于第一缓冲层上；第二纳米柱阵列层，间隔设于第一纳米柱阵列层上，第二纳米柱阵列层包括周期性间隔排布的多个第二纳米柱，该多个第二纳米柱构成二维光子晶体结构；光活性层，填充于第一纳米柱阵列层和第二纳米柱阵列层之间，且渗透进入第一纳米柱阵列层和第二纳米柱阵列层内部；第二缓冲层，设于第二纳米柱阵列层上；及导电电极，设于第二缓冲层上
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]自旋转移矩纳米柱微波振荡器及其调控方法-CN202010485624.2有效
发明人：卢志红;冯金地;李斯阳 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：本发明提供自旋转移矩纳米柱微波振荡器及其调控方法，包括采用单一材料的坡莫合金薄膜；坡莫合金薄膜的下层刻蚀成长度为最长边的片状长方体，记为底座，作为固定层；上层刻蚀成高度为最长边的纳米柱，作为自由层。本发明通过对底座宽度和厚度的调控，提高纳米柱磁矩振荡的振幅；改变纳米柱尺寸，调控纳米柱内部磁矩运动状态；在底座结构纳米柱阵列微波振荡器上，通过调控纳米柱间距达到多个纳米柱磁矩振荡信号互相锁相(即同步)，大幅度提高纳米柱阵列振荡器振荡信号的振幅、功率输出；沿底座最长边施加变化的外磁场来调控纳米柱阵列振荡器振幅以及通过加载变化的直流电流密度来调控纳米柱阵列振荡器频率。
自旋转移纳米微波振荡器及其调控方法

[发明专利]纳米针阵列及其制备方法和应用-CN202010662482.2有效
发明人：杨扬;史鹏;张文军 -专利权人：深圳市安瑞生物科技有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米针阵列及其制备方法和应用。本发明纳米针阵列制备方法包括的步骤有：在基底表面上形成待刻蚀基材膜层；在所述待刻蚀基材膜层表面形成用于刻蚀纳米针阵列的掩膜层；从所述掩膜层至所述基底的方向，对形成有所述掩膜层的所述待刻蚀基材膜层表面进行第一刻蚀处理，形成纳米柱阵列；对所述纳米柱阵列中的纳米柱的顶端进行第二刻蚀处理，在所述纳米柱顶端形成尖端结构，形成纳米针阵列。所述纳米针阵列所含的纳米针包括纳米针本体，在所述纳米针本体的针头部为尖端结构。
纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]基于银纳米线-石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构、器件及制备方法-CN201910393502.8有效
发明人：郭道友;刘琦;王顺利;李培刚;唐为华 -专利权人：唐为华
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于银纳米线‑石墨烯/氧化镓纳米柱的光电探测结构及相应的制备方法，以及光电探测器。所述结构包括：衬底、形成于所述衬底上的氧化镓纳米柱、形成于所述氧化镓纳米柱上的银纳米线‑石墨烯复合薄膜。所述方法包括在衬底上生成氧化镓纳米柱，在所述氧化镓纳米柱上转移形成石墨烯薄膜，在所述石墨烯薄膜上附着银纳米线。本发明具有制备工艺简单、成本低廉、易大规模生产等优点。
基于纳米石墨氧化光电探测结构器件制备方法