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[发明专利]一种载银二氧化钛纳米柱阵列光催化剂的制备方法-CN201910021974.0有效
发明人：赵艳;许靖晗;蒋毅坚 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B01J23/50 文献下载
摘要：一种载银二氧化钛纳米柱阵列光催化剂的制备方法属于材料制备及光催化的技术领域。该催化剂的特点有：具有高度有序的纳米柱结构，银纳米粒子沉积于纳米柱内部。制备工艺是在阳极氧化铝模板上使用原子层沉积法沉积一层二氧化钛，然后使用真空蒸镀在二氧化钛柱内壁沉积银纳米颗粒，从而获得外部为二氧化钛纳米柱，内部为银纳米颗粒的光催化剂结构。在特殊的纳米结构作用下，载银二氧化钛纳米柱阵列在紫外‑可见光波段展现出良好的光吸收和光催化效率，促进了对纳米阵列结构的研究。
一种载银二氧化纳米阵列光催化剂制备方法

[发明专利]一种纳米柱VCSEL光源结构及其制备方法-CN202110119745.X有效
发明人：程成;肖黎明 -专利权人：湖北光安伦芯片有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米柱VCSEL光源结构及其制备方法，纳米柱VCSEL光源结构包括绝缘衬底以及纳米柱VCSEL，纳米柱VCSEL的一端设有N型布拉格反射镜层，纳米柱VCSEL的另一端设有P型布拉格反射镜层，N型布拉格反射镜层与P型布拉格反射镜层之间设有量子阱，纳米柱VCSEL设置在绝缘衬底上，绝缘衬底、纳米柱VCSEL上覆盖有钝化保护层，将纳米柱VCSEL固定在绝缘衬底上，纳米柱VCSEL的N型布拉格反射镜层上制作有N型电极，纳米柱VCSEL的P型布拉格反射镜层上制作有P型电极。本发明具有结构简单、极低阈值电流密度、高光电转换效率，低能耗等优点，为未来纳米光学器件的设计与单芯片光集成，微纳激光光源制备提供了新的思路。
一种纳米 vcsel 光源结构及其制备方法

[发明专利]嵌套金刚石散热层的纳米柱LED结构及制备方法-CN202110546574.9有效
发明人：许晟瑞;赵颖;马凯立;彭若诗;范晓萌;杜金娟;张雅超;张金风;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌套金刚石散热层的纳米柱LED结构及制备方法，该纳米柱LED结构包括：衬底层；成核层，位于衬底层上；第一n型掺杂GaN层，位于成核层上；键合层，间隔分布在第一n型掺杂GaN层上；金刚石层，位于键合层上；若干纳米柱LED结构，位于第一n型掺杂GaN层上，且每个纳米柱LED结构均嵌套于金刚石层和键合层中；若干第一电极，位于第一n型掺杂GaN层上，且位于金刚石层之间，若干第一电极与若干纳米柱LED结构一一对应；若干第二电极，一一对应的设置在纳米柱LED结构上。该纳米柱LED结构将纳米柱LED结构嵌套于金刚石层中，同时解决了器件的散热问题和出光问题，提高了器件的性能。
嵌套金刚石散热纳米 led 结构制备方法

[发明专利]一种轴向纳米柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备-CN202310227346.4在审
发明人：李国强;柴吉星;王文樑;陈亮 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种轴向纳米柱阵列异质结光电探测器芯片及其制备；光电探测器芯片，包括依次层叠排布的位于衬底背面的底电极、衬底、InxGa1‑xN纳米柱、InN纳米柱和顶电极；其中，0≤x＜1。光电探测器芯片为轴向纳米柱阵列异质结探测器，其中，轴向纳米柱阵列异质结结构相较于薄膜横向结构、纳米柱核壳结构等能缩短载流子渡越距离，提高探测器的响应速度。
一种轴向纳米阵列异质结光电探测器芯片及其制备

[发明专利]光伏结构和在短柱上采用纳米线的制造方法-CN200880132827.0无效
发明人： S.V.马泰;N.P.科巴亚施;S-Y.王 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：光伏电池（100）、（200）的光伏结构（105）和制造光伏结构（105）、（100）、（200）的方法（300）采用具有被连接到短柱（120）的基部的纳米线（140）和包围短柱的电隔离层（130）。短柱是衬底表面（112）的组成部分。纳米线远离衬底表面延伸并且比短柱更宽。纳米线基部覆于隔离层的、邻近于短柱的部分之上。半导体结包括纳米线。方法（300）包括形成（320）短柱；从短柱生长（340）纳米线；和以保形方式涂覆（360）纳米线。纳米颗粒（150）被施加（322）到衬底表面。使用纳米颗粒作为掩模，隔离层在衬底表面上产生（324）并且嵌入其中。在纳米颗粒下面的衬底表面的一部分形成短柱。纳米颗粒（150）在短柱上催化纳米线生长（340）。短柱比纳米颗粒更窄。
结构短柱上采用纳米制造方法

[发明专利]一种光吸收复合结构及其应用-CN201610520865.X有效
发明人：程强;贾志浩;宋金霖;周奕帆;刘杨 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池表面减反系统领域，并公开了一种光吸收复合结构，该复合结构包括硅基底及设置在硅基底上的多个光栅纳米柱结构，并且这些光栅纳米柱结构呈行列分布，每个所述光栅纳米柱结构均包括二维光栅和纳米柱，其中，所述二维光栅呈长方体形状并且所述纳米柱均呈圆柱形，所述纳米柱的中心线经过所述二维光栅的中心点，所述二维光栅的底面与所述硅基底的顶面接触并且这两个面固定连接在一起，所述二维光栅的顶面与所述纳米柱的底面接触并且这两个面固定连接在一起本复合结构是由二维光栅和纳米柱两种结构组成，可以形成多种效应，增强了其对太阳光的吸收性能。
一种光吸收复合结构及其应用

[发明专利]具有纳米结构针尖的电子发射体以及使用该电子发射体的电子柱-CN200880024514.3无效
发明人：金浩燮 -专利权人：电子线技术院株式会社
申请日： 2008-07-28 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有纳米结构针尖的电子发射体，以及使用该电子发射体的电子柱。具体而言，涉及一种电子发射体，其包括可容易地发射出电子的纳米结构针尖，该纳米结构针尖由纳米碳管(CNT)、氧化锌纳米管(ZnO纳米管)、氧化锌纳米棒、氧化锌纳米柱、氧化锌纳米线、氧化锌纳米粒子等等所组成；以及涉及使用该电子发射体的电子柱。
具有纳米结构针尖电子发射以及使用

[发明专利]一种纳米柱森林的加工方法-CN200910080158.3有效
发明人：毛海央;吴文刚;吴迪;郝一龙;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-03-24 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米柱森林的加工方法，其步骤包括：1)准备并清洗所选用的衬底；2)在衬底的表面上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光和显影，最后形成光刻胶图形；3)对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成一层图形化的纳米点状结构；4)用纳米点状结构为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成初始纳米柱；5)在初始纳米柱表面保形沉积薄膜；6)通过各向异性刻蚀薄膜，在初始纳米柱的周围形成侧墙；7)以包裹侧墙的初始纳米柱为掩模，各向异性刻蚀衬底，形成纳米柱；8)去除纳米柱表面上的侧墙残留，得到图形化的纳米柱森林结构。使用本发明制作的图形化纳米柱森林可广泛应用于新能源器件、生物医学检测器件、微流控器件、电子器件以及纳米压印中。
一种纳米森林加工方法

[发明专利]一种波长依赖型双功能全介质超表面结构-CN201910565342.0在审
发明人：陆大全;卞凯;胡巍 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种波长依赖型双功能全介质超表面结构，包括衬底层、上层纳米结构和下层纳米结构；在所述衬底层的上端面和下端面分别设置有上层纳米结构和下层纳米结构，所述上层纳米结构由同一规格但摆放角度各异的椭圆或矩形纳米柱排列组成，而下层纳米结构由另一规格但摆放角度各异的椭圆或矩形纳米柱排列组成；所述上层纳米结构和下层纳米结构中各个椭圆或矩形纳米柱的摆放角度根据期望的相位分布确定。
纳米结构下层纳米柱椭圆上层表面结构波长依赖衬底层全介质双功能摆放光学系统入射波长相位分布集成度上端面下端面期望

[实用新型]一种波长依赖型双功能全介质超表面结构-CN201920979330.8有效
发明人：陆大全;卞凯;胡巍 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种波长依赖型双功能全介质超表面结构，包括衬底层、上层纳米结构和下层纳米结构；在所述衬底层的上端面和下端面分别设置有上层纳米结构和下层纳米结构，所述上层纳米结构由同一规格但摆放角度各异的椭圆或矩形纳米柱排列组成，而下层纳米结构由另一规格但摆放角度各异的椭圆或矩形纳米柱排列组成；所述上层纳米结构和下层纳米结构中各个椭圆或矩形纳米柱的摆放角度根据期望的相位分布确定。
一种波长依赖功能介质表面结构

[发明专利]形成带帽纳米柱-CN201080069728.X有效
发明人： P.马迪洛维奇;Q.魏;A.M.富勒 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2010-10-21 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B82B1/00 文献下载
摘要：本文提供形成具有带帽纳米柱的物品，所述物品包括在其上形成有纳米结构阵列的基底，所述纳米结构阵列包括多个纳米柱，所述多个纳米柱具有第一厚度的茎部分和第二厚度的帽部分，所述第二厚度不同于所述第一厚度。
形成纳米

[发明专利]反射型纳米柱表面等离子体滤光器-CN201310039825.X无效
发明人：姜潇潇;谷琼婵;刘少楠;杨明;魏永涛;张宝健;王凤文;司光远 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种反射型纳米柱表面等离子体滤光器，所述滤光器包括衬底和纳米柱，所述纳米柱均匀对称的分布在所述衬底表面。所述纳米柱的直径为300-500纳米，所述纳米柱的高度为200-500纳米，所述纳米柱的柱间距为0-880纳米，所述纳米柱的分布周期为纳米柱直径与纳米柱柱间距之和。采用本发明的反射型纳米柱表面等离子体滤光器有效地解决了滤光器件的偏振敏感性问题，具有灵敏的反射分光效果并且可以最大幅度提高滤光器的性能和反射效率，且分辨率高、性能结构稳定可靠、使用寿命长、应用范围广，能准确再现各种所保存的数据
反射纳米表面等离子体滤光

[外观设计]纳米柱(A)-CN201930016350.0有效
发明人：邓振伟 -专利权人：邓振伟
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：纳米柱(A)。;2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于培养硝化细菌，净化水质的产品。;3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。
纳米柱(A)

[发明专利]一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法-CN201310256681.3有效
发明人：刘斌;张荣;庄喆;葛海雄;郭旭;谢自力;陈鹏;修向前;赵红;陈敦军;陆海;顾书林;韩平;郑有炓 -专利权人：南京大学
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法，在氮化镓衬底上生长介质薄膜，利用紫外软压印双层胶剥离技术得到金属有序纳米柱（孔）结构，通过反应离子刻蚀方法得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构，并利用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀得到直径不同的氮化镓有序纳米柱（孔）阵列。在氮化镓衬底上生长包括SiO2、SiNx的一层介质薄膜，将PMMA和紫外固化胶依次旋涂在衬底样品表面;利用紫外软压印技术在紫外固化胶上形成大面积、低缺陷的有序纳米孔（柱）阵列结构，接着利用反应离子刻蚀技术刻蚀残余胶和PMMA，随后蒸镀金属薄膜剥离得到金属纳米柱（孔）阵列结构。反应离子刻蚀方法刻蚀介质薄膜层结构，得到直径变化可调的介质纳米柱（孔）结构。
一种利用紫外压印制备有序氮化纳米阵列方法

[发明专利]一种无胶复合的铝箔纸-CN201710229397.5在审
发明人：杜威;陶香君;郭杰 -专利权人：滁州卷烟材料厂
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： B32B15/20 文献下载
摘要：本发明公开一种无胶复合的铝箔纸，包括铝箔衬纸和铝箔，该铝箔的表面结构为纳米柱阵列结构，即表面由圆柱形纳米颗粒阵列组成，纳米柱的高度为0.5微米‑3微米，纳米柱的直径为80纳米‑300纳米，纳米柱之间的间距为100纳米‑2000纳米。
一种复合铝箔纸