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[发明专利]一种用于生成结构色的多层级微纳结构-CN202211385454.6在审
发明人：万晓霞;章倩;吕嘉旭;薛智爽;师祎菲 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于生成结构色的多层级微纳结构。该多层级微纳结构，包括衬底以及呈点阵状排布在衬底上的若干个结构色呈色单元；其中，结构色呈色单元由若干个点阵状排布的纳米柱所形成；当不同结构色呈色单元所确定的基色不同时，结构色呈色单元中所含有的纳米柱的整体排布状况不同，排布状况为排布周期、排布数量和纳米柱尺寸参数中的至少一者。以上提供的用于生成结构色的多层级微纳结构，根据纳米柱结构与结构色呈色单元基色光谱的影响规律，利用结构色呈色单元的排列密度和大小控制结构色的阶调层次，实现颜色的混合，以解决现有结构色生成方法生成的结构色数量少
一种用于生成结构多层级微纳

[发明专利]一种在光纤表面制备一维硅纳米结构阵列的方法-CN201310733552.9有效
发明人：左则文 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在光纤表面制备一维硅纳米结构的方法，通过对具有柱状微结构的多晶硅薄膜进行化学刻蚀，获得在光纤表面的一维硅纳米结构阵列。所述方法在清洁的石英光纤纤芯表面沉积非晶硅薄膜；然后对非晶硅进行高温退火，得到具有柱状微结构的多晶硅薄膜，并使部分柱晶分离；以HF酸加H2O2腐蚀溶液对多晶硅薄膜进行化学刻蚀，优先腐蚀掉柱晶之间的多孔界面层，使得柱晶之间进一步分离，并减小柱晶的尺寸，从而获得硅纳米线阵列；进一步的刻蚀导致柱晶从光纤表面脱离，留下下层的锥形纳米结构阵列。本制备方法简单，成本低廉，可以制备出分层的一维硅纳米结构阵列，能够对纳米线的长度、直径、掺杂类型及水平等实现有效控制，并且通过光纤盘绕或管式沉积设备可以实现长距离光纤上一维硅纳米结构阵列的制备，甚至允许卷到卷的制备过程
一种光纤表面制备一维硅纳米结构阵列方法

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN201811641059.3有效
发明人：雷卉;曹蔚然 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：该量子点发光二极管包括底电极、顶电极以及设置在所述底电极和所述顶电极之间的量子点发光层，所述量子点发光二极管为底发射型量子点发光二极管，所述底电极靠近所述量子点发光层的表面设置有纳米柱微结构；所述纳米柱微结构中的纳米柱的侧边包覆有用于形成环形微腔的第一材料层，相邻两纳米柱侧边包覆的所述第一材料层之间设有第二材料，所述第一材料层的折射率大于所述纳米柱的折射率，且所述第一材料层的折射率大于第二材料的折射率。该纳米柱微结构在光输出方向对输出光进行一定程度的振荡放大、限制引导，降低波导模式，从而提高器件出光效率。
量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]SiC/TiO₂结构与功能仿生型纳米骨骼材料及其制备方法-CN201310217441.2有效
发明人：陈旭;董文钧 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： A61L27/02 文献下载
摘要：本发明公开一种取向生长SiC纳米柱与韧性TiO2纳米纤维复合的纳米骨骼材料及其制备方法，所述材料是在钛金属基片上生长多壁韧性TiO2纳米纤维，构成网孔状结构，然后通过磁控溅射技术在所述TiO2纳米纤维表面制备出取向生长、定向排列SiC纳米柱，增强材料其力学特性与功能。基于多级结构仿生与功能仿生原理，SiC/TiO2结构与功能仿生型纳米骨骼材料呈现多级有序结构，实现了人工骨骼材料弹性模量与人体骨骼相匹配的特点，并且首次解决了人工骨骼材料硬度和韧性不匹配的矛盾。
sic tio sub 结构功能仿生纳米骨骼材料及其制备方法

[发明专利]一种纳米压印用模版的制备及其应用-CN201110404116.8无效
发明人：宋玉军 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米压印用模版的制备及其应用，属于先进材料及纳米结构加工技术领域。制备纳米压印用模版的方法包括制备纳米柱与表面支撑层；在另外一基板上制备过渡层；将过渡层和表面支撑层粘接牢固；将多孔纳米氧化铝模版腐蚀掉，形成具有规则的突出的纳米柱结构的纳米压印用模版的步骤。本发明的纳米压印用模版的特征尺寸可以小到5纳米，使用该模版可以低成本、大批量制备大面积无缺陷的规则排列的具有不同横截面形状的纳米线或纳米管。
一种纳米压印模版制备及其应用

[发明专利]用于亚波长分辨率成像的超透镜-CN201780031669.9在审
发明人： F·卡帕索;W·T·陈;R·C·德弗林;M·科拉沙尼内加德;J·欧;A·朱;C·罗格斯-卡梅斯;I·米施拉 -专利权人：哈佛学院院长及董事
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：具有相位分布的超透镜包括基板和设置在基板上的多个纳米结构。所述纳米结构中的每个个体纳米结构赋予光相移，该光相移根据该个体纳米结构在基板上的位置而变化。纳米结构的光相移限定超透镜的相位分布。能够通过例如改变纳米鳍的朝向或改变纳米柱的直径来实现变化的光相移。
纳米结构相移透镜基板相位分布纳米柱亚波长分辨率成像赋予

[发明专利]贵金属有序纳米结构阵列及其制备方法和用途-CN201510351090.3有效
发明人：陈斌;孟国文;黄竹林;周飞 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种贵金属有序纳米结构阵列及其制备方法和用途。阵列为组成金‑银合金纳米六棱柱阵列或多孔金纳米六棱柱阵列的纳米六棱柱的柱端置有位于六角处的高度≤20nm的凸起，纳米六棱柱的柱结构周期为470～500nm，纳米六棱柱的柱高为50～200nm，纳米六棱柱的柱壁为凹弧形，相邻纳米六棱柱的柱间隙为5～50nm；方法为使用二次阳极氧化法得到孔直径为160～380nm、孔周期为470～500nm、孔间为六边凹凸结构阵列的通孔氧化铝模板后，先将通孔氧化铝模板作为模具覆于金‑银合金薄膜或多孔金薄膜上
贵金属有序纳米结构阵列及其制备方法用途

[发明专利]具有阵列结构电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN201910973098.1在审
发明人：刘玉申;况亚伟;张树德;魏青竹;倪志春;洪学鹍;杨希峰 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有阵列结构电子传输层的钙钛矿太阳能电池，包括透明导电玻璃衬底，所述衬底上设置银纳米柱周期阵列结构，所述银纳米柱上制备TiO
电子传输层钙钛矿衬底空穴传输层光生电荷金属薄膜阵列结构吸收层银纳米核壳透明导电玻璃周期阵列结构纳米柱阵列太阳能电池导电电极电路供电收集效率注入效率制备

[发明专利]一种偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱及其制备方法-CN201711272755.7在审
发明人：余璇;于晓明 -专利权人：浙江海洋大学
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该Mg掺杂ZnO纳米柱的化学结构组成为MgxZnO；其中，0.7≤x≤0.9。其制备方法主要包括以下步骤配制纳米柱前驱溶液和制备Mg掺杂ZnO纳米柱，在配制纳米柱前驱溶液过程中Zn2+/Mg2+/pH值缓冲剂三者的摩尔比为1x1，其中x是化学计量比的偏离值，其在0.7≤x≤0.9本发明偏离化学计量比的Mg掺杂ZnO纳米柱制备方法简单，成本低，溶液组分易调控，可重复性强，适用于大面积商业化生产制造，制成的Mg掺杂ZnO纳米柱具有强光散射性能，在太阳能电池及光探测器件等领域有重要应用前景
一种偏离化学计量 mg 掺杂 zno 纳米及其制备方法

[发明专利]基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片-CN202210591840.4在审
发明人：束方洲;吕旺泽;陶一;张冬芹 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明公开一种基于硅与锗锑碲复合纳米柱阵列可调谐的红外窄带滤光片，包括衬底及形成于衬底表面的硅与锗锑碲复合纳米柱阵列；所述硅与锗锑碲复合纳米柱阵列包括多个周期性排布的硅与锗锑碲复合纳米柱，所述硅与锗锑碲复合纳米柱自下而上为硅、锗锑碲、硅三层纳米柱结构，所述硅与锗锑碲复合纳米柱三层的横截面都为矩形且尺寸相同；所述红外窄带滤光片的工作波长可通过锗锑碲相变动态调节。
基于锗锑碲复合纳米阵列调谐红外窄带滤光

[发明专利]一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法-CN201810649493.X有效
发明人：曹立新;梁晨希;孙帅;刘海萍;毕四富 -专利权人：哈尔滨工业大学（威海）
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01N33/531 文献下载
摘要：本发明涉及一种冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极的制备方法，其采用化学沉积‑电沉积方法在孔径为80~200 nm的聚碳酸酯滤膜上沉积金，得到三维金纳米柱阵列电极；在三维金纳米柱阵列电极表面通过循环伏安法电聚合修饰聚硫堇，形成聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；在聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极上结合戊二醛，再将冈田酸抗体固定到戊二醛上，形成冈田酸抗体/戊二醛/聚硫堇/三维金纳米柱阵列电极；最后用牛血清蛋白封闭电极，制得冈田酸三维金纳米柱阵列免疫电极本发明电极具有三维结构，表面积大，制备简单，稳定性好，抗体固定牢固，操作简便，检测限低，灵敏度高，可实现快速检测。
一种冈田酸三维纳米阵列免疫电极制备方法

[发明专利]一种石墨烯基复合材料及其制备方法、应用-CN202211390497.3在审
发明人：唐召军;唐声权;曾凡光;李晓华;赵雨莹;郭晓琴;陈雷明;卫萌 -专利权人：郑州航空工业管理学院
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明适用于石墨烯材料技术领域，提供了一种石墨烯基复合材料的制备方法，包括以下步骤：提供硅纳米孔柱阵列；在硅纳米孔柱阵列上沉积催化剂镍纳米晶；以沉积有镍纳米晶的硅纳米孔柱阵列作为基底，以甲烷作为碳源，以氩气和氢气的混合气体作为载气本发明通过在硅纳米孔柱阵列上沉积催化剂纳米级金属镍，生长平行于基底的石墨烯纳米片，克服垂直基底的结构不稳定，与石墨烯垂直基底的结构相比，在电子发射过程中极大的增强了发射稳定性，同时石墨烯的横向纳米尺度具有比较高的周长面积比
一种石墨复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种QLED器件及其制备方法-CN201710724540.8有效
发明人：刘佳;曹蔚然;梁柱荣 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种QLED器件及其制备方法，包括石墨烯阴极、纳米金属中空柱、电子功能层、量子点发光层和阳极；所述纳米金属中空柱设置于所述石墨烯阴极上；所述电子功能层设置于所述纳米金属中空柱内和所述纳米金属中空柱间隙中；所述量子点发光层设置于所述纳米金属中空柱上和电子功能层上；所述阳极设置于所述量子点发光层上。本发明采用上述结构来增加电子注入，平衡载流子，增加QLED器件效率。一方面，G和金属在氧气作用下，氧化形成O‑‑X+偶极子，有助于电子注入。另一方面，电子功能层与纳米结构接触，可以增加接触面积，增加注入量。同时，金属层的存在可以阻挡空穴，从而有效的平衡了电子和空穴，增加了效率。
一种 qled 器件及其制备方法

[发明专利]高密度电容器结构及方法-CN201610258597.9有效
发明人：李偉健;裴成文;王平川 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-04-22 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及高密度电容器结构及方法，具体提供的是基于半导体纳米柱的阵列的高密度电容器结构。该高密度电容器结构可以是多个电容器，其中各该半导体纳米柱充当该多个电容器其中一者的底电极，或者该高密度电容器结构可以是大面积金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，其中该半导体纳米柱充当后续所形成用于该MIM电容器的底电极的支撑结构。
高密度电容器结构方法

[发明专利]一种钙钛矿结构纳米片自组装钛酸铅纳米柱的制备方法-CN200910101092.1无效
发明人：徐刚;何万波;江伟;李卓斌;任召辉;魏晓;韩高荣;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-08-03 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明涉及钙钛矿结构纳米片自组装钛酸铅纳米柱的制备方法。采用两步沉淀法，制备用于水热反应的钛、铅的羟基氧化物混合沉淀。经过滤、清洗后，将混合沉淀与氢氧化钾和去离子水混合，在密闭的反应釜中于160～240℃水热处理5～48小时，获得钙钛矿结构钛酸铅纳米片自组装成的钛酸铅纳米柱。钛酸铅纳米柱的长度为5μm～20μm之间，直径为0.4μm～1μm之间，构成钛酸铅纳米柱的钙钛矿结构钛酸铅纳米片的厚度为2～10nm之间。本发明工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于规模化生产。
一种钙钛矿结构纳米组装钛酸铅制备方法

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