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[发明专利]一种载流子迁移率高的二维光电半导体材料及其应用-CN202211481651.8在审
发明人：王晓;杨晓新;李江宇 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料技术领域，特别涉及一种载流子迁移率高的二维光电半导体材料及其应用。该半导体材料的化学式为Be3B2C3，所述Be3B2C3的单层晶胞由三个铍原子、两个硼原子和三个碳原子组成，每个所述碳原子以平面方式与三个铍原子和两个硼原子结合；其中，所述Be3B2C3的晶格常数为#imgabs0#该载流子迁移率高的二维光电半导体材料是一种新的二维半导体材料Be3B2C3，具有高鲁棒性、合适的带隙以及极高的载流子迁移率。通过杂化泛函计算，其本征直接带隙为1.97eV，对可见光具有响应。光吸收系数可达105cm‑1数量级，优于常见的硅、MAPbI3等光伏材料。此外，它在室温下的载流子迁移率达到了破纪录的8×105cm2V‑1s‑1。
一种载流子迁移率二维光电半导体材料及其应用

[发明专利]基于扫描探针显微镜的电介质高分辨陷阱成像方法及系统-CN202310544793.2在审
发明人：刘凯鑫;黄博远;宋春林;张凤元;李江宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01Q60/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于扫描探针显微镜的电介质高空间分辨陷阱成像方法及系统，方法包括：记录撤去电压后样品表面形貌图像序列和表面电势图像序列；根据表面形貌图像序列校对图像偏移，并从校对后的表面电势图像序列中提取得到各像素点的表面电势衰减数据；根据各像素点的表面电势衰减数据，通过拟合、计算确定各像素点的陷阱分布信息；根据所有像素点的陷阱分布信息，对应各像素点的原位置形成与薄膜表面形貌对应的深、浅陷阱能级峰值图像和/或深、浅陷阱密度峰值图像。本方法在纳米尺度实现样品的陷阱特性的直接成像，具有空间分辨率高、可直观对比等优点。
基于扫描探针显微镜电介质分辨陷阱成像方法系统

[发明专利]一种固态电解质的离子电导率的原位测定方法-CN202310546005.3在审
发明人：程实;黄博远;王芳;靳洪允;李江宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01Q60/36 文献下载
摘要：本发明公开一种固态电解质的离子电导率的原位测定方法，包括步骤：将待测固态电解质置于原子力显微镜装置中，对其施加偏压形成预设方向的电场；沿与电场方向平行的方向，对待测固态电解质进行扫描，得到电势随时间变化的斜线；根据所述电势随时间变化的斜线，测定固态电解质的离子电导率。本发明首次利用原子力显微镜原位测试固态电解质离子电导率，弥补了原子力显微镜在该领域的空白，且该方法测试过程简便，复现性好。
一种固态电解质离子电导率原位测定方法

[发明专利]力栅晶体管及其制备方法、电子器件-CN202310925395.5在审
发明人：黄博远;李江宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请提供一种力栅晶体管及其制备方法、电子器件。该晶体管包括具有凹部的衬底、半导体薄膜层、第一电极以及第二电极。其中，半导体薄膜层覆盖在凹部处，并且半导体薄膜层的第一端部和第二端部均覆盖在凹部之外的衬底上；第一电极和第二电极设置在上述凹部的两侧；半导体薄膜层被配置为在外力的作用下通过挠曲电极化的方式调控第一电极与第二电极之间的半导体薄膜层的电导率。本申请实施例的技术方案能够实现通过力控的方式调控晶体管的导通特性，无需额外设置电栅极，而且能够简化晶体管的结构。
晶体管及其制备方法电子器件

[发明专利]利用CoFe2-CN202110778227.9有效
发明人：钟高阔;李江宇;陈骞鑫;程明强 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N30/85 文献下载
摘要：本申请公开了一种利用CoFe2O4定向调控PMN‑PT薄膜生长取向的压电材料。PMN‑PT薄膜材料包括具有特定晶面取向的衬底、形成于衬底上的底电极层、形成于底电极层上的调控层、以及形成于调控层上的外延层，调控层为基于底电极层生长的CFO层，外延层为基于调控层生长的PMN‑PT层，PMN‑PT层的外延取向为[111]；其制备方法为：选取晶面取向为[100]或[110]或[111]的STO基片作为衬底，在STO基片上生成SRO层，在SRO底电极层上生成CFO层，在CFO调控层上生成PMN‑PT层。本申请能够在不同衬底或不同取向的衬底上制备得到特定取向的PMN‑PT外延薄膜材料。
利用 cofe base sub

[实用新型]原子力显微镜原位测试薄膜样品的制样装置及制样系统-CN202223320475.8有效
发明人：张凤元;刘凯鑫;黄博远;李江宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种原子力显微镜原位测试薄膜样品的制样装置及制样系统，制样装置包括：绝缘树脂体，第一电极，第二电极，第一导线以及第二导线。第一电极和第二电极夹持薄膜；第一宽端、第二宽端以及薄膜靠近第一宽端的一侧，均平齐于绝缘树脂体的表面；在垂直于薄膜的方向上，第一宽端和第二宽端对应设置，且第一窄端和第二窄端错开设置。当第一电极和第二电极分别连接在薄膜两侧时，第一宽端和第二宽端相对应设置，第一窄端和第二窄端是相互错开的，从而确保引出电极时不会相互干扰。通过薄膜与本申请的制样装置形成薄膜样品，以供原子力显微镜进行测试，确保了获取更多薄膜样品微观结构信息。
原子显微镜原位测试薄膜样品装置系统

[发明专利]基于人工智能原子力显微镜的材料识别方法和装置-CN202111615524.8在审
发明人：黄博远;谭州瑜;朱庆丰;李江宇 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于人工智能原子力显微镜的材料识别方法和装置，所述方法包括：获取显微镜扫描图像；将所述显微镜扫描图像输入至预先训练的材料识别模型中，获得所述图像分类模型输出的分类结果，其中，所述材料识别模型基于仿真样本图像训练得到；根据所述分类结果确定所述显微镜扫描图像对应的目标材料。本发明实施例提供了一种结构简单、适用性广的材料识别模型，提高了材料识别效率和准确性。
基于人工智能原子显微镜材料识别方法装置

[发明专利]一种用于检测材料极性的高通量系统及检测方法-CN202211598815.5在审
发明人：张园;李江宇;黄博远;黎长建 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测材料极性的高通量系统及检测方法，其中，所述用于检测材料极性的高通量系统包括激光发射装置、激光透射装置以及显微成像装置，所述激光透射装置位于所述激光发射装置的一侧，用于接收所述激光发射装置发射的激光束；所述显微成像装置位于所述激光透射装置的一侧，用于接收所述激光透射装置传递的激光束并聚焦于极性高通量样品上，以激发极性高通量样品产生光学二次谐波信号，所述显微成像装置接收光学二次谐波信号。本发明通过显微成像装置将激光束聚焦于极性高通量样品上，以激发极性高通量样品产生光学二次谐波信号，并获取作用于极性高通量样品的光学二次谐波信号。
一种用于检测材料极性通量系统方法

[发明专利]可同时提高储能密度与储能效率的层状复合弛豫铁电材料及其制备方法-CN202110736742.0有效
发明人：钟高阔;陈骞鑫;李江宇;黄明强;任传来;安峰;张园 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01G4/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种可同时提高储能密度与储能效率的层状复合弛豫铁电材料及其制备方法。层状复合弛豫铁电材料包括刚性衬底、形成于刚性衬底上的下电极层、形成于下电极层上的层状复合弛豫铁电层、以及形成于层状复合弛豫铁电层上的上电极层，层状复合弛豫铁电层为具有弛豫铁电性的多层结构薄膜，多层结构薄膜包括依次重复多周期叠加生长于下电极层上的下层和上层；其制备方法为：选取STO基片，在STO基片上生成SRO层，在SRO层上生成多层BTO‑STO层形成层状复合弛豫铁电层，在层状复合弛豫铁电层上生成SRO层，得到层状复合弛豫铁电材料。本申请的层状复合弛豫铁电材料具有优异的储能密度与储能效率。
同时提高密度效率层状复合弛豫铁电材料及其制备方法

[发明专利]原子力显微镜原位测试薄膜样品的制样装置、系统、方法-CN202211580757.3在审
发明人：黄博远;刘凯鑫;张凤元;李江宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子力显微镜原位测试薄膜样品的制样装置、系统、方法，制样装置包括：绝缘树脂体，第一电极，第二电极，第一导线以及第二导线。第一电极和第二电极夹持薄膜；第一宽端、第二宽端以及薄膜靠近第一宽端的一侧，均平齐于绝缘树脂体的表面；在垂直于薄膜的方向上，第一宽端和第二宽端对应设置，且第一窄端和第二窄端错开设置。当第一电极和第二电极分别连接在薄膜两侧时，第一宽端和第二宽端相对应设置，第一窄端和第二窄端是相互错开的，从而确保引出电极时不会相互干扰。通过薄膜与本申请的制样装置形成薄膜样品，以供原子力显微镜进行测试，确保了获取更多薄膜样品微观结构信息。
原子显微镜原位测试薄膜样品装置系统方法

[发明专利]一种基于扫描探针显微镜的电场扰动表征方法及装置-CN202211586815.3在审
发明人：张凤元;刘凯鑫;黄博远;李江宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01Q60/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于扫描探针显微镜的电场扰动表征方法和装置，利用扫描探针显微镜、外接电源和Matlab原位表征截面样品在不同电压下电势分布，通过进一步公式计算、数据成图等方式得到表面电场分布及电场扰动结果，是一种具有高空间分辨率，能够直观表征储能电介质电场扰动的新技术，对于理解储能电介质击穿失效机制有重大意义。
一种基于扫描探针显微镜电场扰动表征方法装置

[发明专利]基于人工智能原子力显微镜的形貌图像获取方法和装置-CN202111335334.0在审
发明人：谭州瑜;黄博远;李江宇;谢淑红 -专利权人：深圳先进技术研究院;中国科学院深圳理工大学（筹）
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06V20/69 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种基于人工智能原子力显微镜的形貌图像获取方法和装置，所述方法包括：获取当前扫描区域的当前形貌图像；将当前形貌图像输入至预先训练的形貌图像分类模型中，获得形貌图像分类模型输出的分类结果；根据分类结果确定目标形貌图像。本发明实施例提供的形貌图像获取方法通过预先训练的形貌图像分类模型对形貌图像分类判断当前形貌图像的有效性，根据当前形貌图像的有效性确定目标形貌图像的置信程度，避免了主观操作对形貌图像错误判断的影响，提高了获得真实形貌图像的精准度。
基于人工智能原子显微镜形貌图像获取方法装置

[发明专利]具有超晶格结构和超高储能效率的多组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法-CN202110739598.6有效
发明人：陈骞鑫;钟高阔;李江宇;钟向丽;黄明强;王金斌;任传来 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有超晶格结构和超高储能效率的多组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法。多组分弛豫铁电薄膜材料包括基底层、形成于基底层上的底电极层以及形成于底电极层上的实际功能层，实际功能层为基于底电极层生长的具有弛豫铁电性的多层结构薄膜；其制备方法为：选取晶面取向为[100]的刚性STO层作为基底层；在STO基底上生成SRO层作为底电极层；在SRO层上生成BTO‑STO‑BFO多层结构作为实际功能层，得到多组分弛豫铁电薄膜材料。本申请的多组分弛豫铁电薄膜材料为超晶格结构，具有高饱和极化强度值、低剩余极化强度值、高击穿场强的优点，同时具有优异的储能密度与储能效率。
具有晶格结构超高效率组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种解析静电与力电耦合响应的原子力显微方法及系统-CN202110384915.7有效
发明人：黄博远;李江宇 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种解析静电与力电耦合响应的原子力显微方法及系统。一种解析静电与力电耦合响应的原子力显微方法，包括：将两个频段内具有不同特性参数的子波形按预设拼接顺序合成激励信号；将所述激励信号施加至待测目标，获取待测目标不同特性参数对应的振幅图像；根据目标解耦模型和所述待测目标的双模态振幅图像进行解耦与重构，生成所述待测目标的应变图像和静电图像。解决力电耦合应变测量易受静电影响、结果不准确的问题，实现由目标解耦模型定量解析双模态数据准确获得待测目标的力电耦合应变图像和静电响应图像的效果。
一种解析静电耦合响应原子显微方法系统

[发明专利]一种忆阻器卷积神经网络硬件系统-CN202110490945.6在审
发明人：张伟;黄明强;潘伦帅;钟高阔;李江宇 -专利权人：桂林电子科技大学;中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本申请涉及人工智能神经网络，具体公开一种忆阻器卷积神经网络硬件系统，包括忆阻器阵列和输入模块，所述忆阻器阵列由若干忆阻器阵列形成；其特征在于，每两个器件构成一差分电路，组成每个差分电路的两器件绑定成个一神经元；该两器件中至少有一个包括忆阻器；基于构成每个差分电路的两器件的电性参数之差映射神经元的权重；所述输入模块用于根据外部计算单元基于神经元权重的更新方向反馈的信号，向忆阻器施加正向单步电脉冲或负向单步电脉冲。上述方案，简化了忆阻神经网络系统的权重更新计算过程并降低该过程中计算资源的消耗并加速硬件计算速度。
一种忆阻器卷积神经网络硬件系统

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