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[发明专利]可同时提高储能密度与储能效率的层状复合弛豫铁电材料及其制备方法-CN202110736742.0有效
发明人：钟高阔;陈骞鑫;李江宇;黄明强;任传来;安峰;张园 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01G4/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种可同时提高储能密度与储能效率的层状复合弛豫铁电材料及其制备方法。层状复合弛豫铁电材料包括刚性衬底、形成于刚性衬底上的下电极层、形成于下电极层上的层状复合弛豫铁电层、以及形成于层状复合弛豫铁电层上的上电极层，层状复合弛豫铁电层为具有弛豫铁电性的多层结构薄膜，多层结构薄膜包括依次重复多周期叠加生长于下电极层上的下层和上层；其制备方法为：选取STO基片，在STO基片上生成SRO层，在SRO层上生成多层BTO‑STO层形成层状复合弛豫铁电层，在层状复合弛豫铁电层上生成SRO层，得到层状复合弛豫铁电材料。本申请的层状复合弛豫铁电材料具有优异的储能密度与储能效率。
同时提高密度效率层状复合弛豫铁电材料及其制备方法

[发明专利]组分梯度变化的锆钛酸铅薄膜及其制备方法-CN202211486495.4在审
发明人： 任传来;钟高阔;曾令平;陈骞鑫;安峰 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N30/081 文献下载
摘要：本申请公开了一种组分梯度变化的锆钛酸铅薄膜及其制备方法，所述组分梯度变化的锆钛酸铅薄膜的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在所述衬底上沉积形成底电极层；通过移动掩膜版，在所述底电极层上沉积不同含量的锆酸铅和钛酸铅，得到组分梯度变化的锆钛酸铅薄膜。本申请解决了现有技术测试锆钛酸铅薄膜组分与性能之间的关系的准确性较低的技术问题。
组分梯度变化锆钛酸铅薄膜及其制备方法

[发明专利]AB复合多铁薄膜、高通量复合多铁薄膜材料及制备方法-CN202211369793.5在审
发明人：邹娟;陈骞鑫;钟高阔;任传来;钟向丽;裴延睿;王向东 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01F10/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种AB复合多铁薄膜、高通量复合多铁薄膜材料及其制备方法，属于复合薄膜材料技术领域，高通量复合多铁薄膜材料包括衬底、底电极层和功能层；衬底为刚性基底SrTiO3衬底；底电极层设置在衬底上，底电极层为基于衬底生长的SrRuO3薄膜；功能层设置在底电极层上，功能层为基于底电极层生长的AB复合多铁薄膜。本发明结合双靶材法与自动掩膜版系统，制备了以Ga0.5Fe1.5O3和Fe3O4为基本单元的梯度复合多铁薄膜，通过改变Ga0.5Fe1.5O3和Fe3O4的激光发数比、循环周期等生长参数调控其磁电耦合效应，有望真正实现基于磁电复合薄膜的功能器件的集成化、微型化和多功能化。
ab 复合薄膜通量材料制备方法

[发明专利]半导体薄膜结构及其制备方法-CN202211486509.2在审
发明人：钟高阔;戴李雨芬;钟向丽;任传来;王金斌 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体薄膜结构及其制备方法，其中，半导体薄膜结构包括衬底、底电极层及功能层，所述衬底为刚性YSZ基片；所述底电极层形成与所述衬底的表面，所述底电极层为ITO薄膜；所述功能层形成于所述底电极层背离所述衬底的表面，所述功能层为具有双边负电容现象的Ga2O3单晶薄膜。本发明的技术方案的半导体薄膜结构为一种稳定的Ga2O3亚稳相，并具有双边负电容现象，可以拓宽其应用范围，应用于晶体管内，可以增大器件释放电压的功能。
半导体薄膜结构及其制备方法

[发明专利]具有超晶格结构和超高储能效率的多组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法-CN202110739598.6有效
发明人：陈骞鑫;钟高阔;李江宇;钟向丽;黄明强;王金斌;任传来 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有超晶格结构和超高储能效率的多组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法。多组分弛豫铁电薄膜材料包括基底层、形成于基底层上的底电极层以及形成于底电极层上的实际功能层，实际功能层为基于底电极层生长的具有弛豫铁电性的多层结构薄膜；其制备方法为：选取晶面取向为[100]的刚性STO层作为基底层；在STO基底上生成SRO层作为底电极层；在SRO层上生成BTO‑STO‑BFO多层结构作为实际功能层，得到多组分弛豫铁电薄膜材料。本申请的多组分弛豫铁电薄膜材料为超晶格结构，具有高饱和极化强度值、低剩余极化强度值、高击穿场强的优点，同时具有优异的储能密度与储能效率。
具有晶格结构超高效率组分弛豫铁电薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种AB两相梯度薄膜、大面积梯度薄膜材料及制备方法-CN202211369543.1在审
发明人：邹娟;陈骞鑫;谭阳春;钟高阔;任传来;钟向丽;裴延睿;王向东 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用高通量制备方法获得AB两相梯度薄膜和大面积梯度薄膜材料，属于复合薄膜材料技术领域，大面积梯度薄膜材料包括基底层、底电极层和功能层；基底层为刚性基底SrTiO3衬底，底电极层为基于所述基底层生长的SrRuO3薄膜；功能层为基于所述底电极层生长的AB两相梯度薄膜，实现多功能应用。本发明采用高通量制备方法，制备了以BaTiO3和SrTiO3为基本单元的梯度薄膜，相比于单一成分的薄膜来说，能在大面积衬底上同时获得大量不同组分的梯度薄膜，极大程度便于在更短时间内筛选多组分薄膜的最佳组分，为薄膜材料的应用与发展提供了新的途径和方法。
一种 ab 两相梯度薄膜大面积材料制备方法

[发明专利]多元柔性介电电容器及其制备方法-CN202211486507.3在审
发明人：钟高阔;陈骞鑫;任传来;安峰;钟向丽 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开一种多元柔性介电电容器及其制备方法，其中，多元柔性介电电容器包括柔性衬底层、底电极层、多元介电层及顶电极层，所述底电极层形成于所述柔性衬底层；所述多元介电层形成于所述底电极层；所述顶电极层形成于所述多元介电层。本发明制备的多元柔性介电电容器与单元介电电容器相比提升了87.5％的最大击穿场强；同时，本发明结合多种材料的性质构建多元柔性介电电容器，提高了其饱和极化并降低了剩余极化；最后，本发明的多元柔性介电电容器具有超高储能性能。这些为新型介电电容器的探索与发展提供了新思路和新方法。
多元柔性电容器及其制备方法

[发明专利]一种医疗急救用隔离防护栏-CN202310021446.1在审
发明人： 任传来 -专利权人： 任传来
申请日： 2023-01-07 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： E04H17/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种隔离防护栏，尤其涉及一种医疗急救用隔离防护栏。本发明的目的是提供一种能够进行自动拼接并且能够根据地形的变化进行角度调节的医疗急救用隔离防护栏。本发明提供了这样一种医疗急救用隔离防护栏，包括有护栏架、壳套、连接杆和扶杆等，左右两侧的护栏架顶部之间连接有壳套，护栏架的内侧下部之间和壳套的下部均连接有连接杆，上侧的连接杆前后两侧均连接有扶杆。本发明通过连接抵板和卡座的配合，能够根据人们的需要，实现对多个该防护栏进行自动拼接，操作简单方便，而且连接抵板能够适应性的发生转动，使相邻的两个该防护栏之间可以根据需要进行角度调节。
一种医疗急救隔离护栏

[发明专利]高通量成分梯度反铁电基薄膜材料及其制备方法-CN202211486004.6在审
发明人：钟高阔;曾令平;陈骞鑫;邹娟;任传来 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种高通量成分梯度反铁电基薄膜材料及其制备方法，所述高通量成分梯度反铁电基薄膜材料的制备方法包括以下步骤：获取衬底；在所述衬底上沉积形成底电极层；通过移动掩膜版，在所述底电极层上沉积不同比例的锆酸铅和掺杂组分，得到高通量成分梯度反铁电基薄膜材料，其中，所述掺杂组分包含钡元素。本申请解决了现有技术测试不同钡离子掺杂比例与反铁电基薄膜材料性能之间的关系的准确性较低的技术问题。
通量成分梯度反铁电基薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种高通量反铁电-介电储能固溶薄膜及其制备方法-CN202211449424.7在审
发明人：钟向丽;陈骞鑫;钟高阔;任传来;曾令平;邹娟;王向东;裴延睿 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种高通量反铁电‑介电储能固溶薄膜，包括：衬底，以及在衬底上依次生长的底电极层和反铁电‑介电层；衬底为刚性基底SrTiO3；底电极层为SrRuO3薄膜；反铁电‑介电层是由PbZrO3反铁电层和SrTiO3介电层交替生长的固溶薄膜；PbZrO3反铁电层成分沿水平方向阶梯式减少，SrTiO3介电层成分沿水平方向阶梯式增多。本发明通过改变PbZrO3和SrTiO3的激光发数比、循环周期等生长参数优化了高通量薄膜的反铁电特性，从而实现了更低漏电流密度以及更优性能，有望使其应用于储能薄膜以及电容器等应用领域。
一种通量反铁电介电储能固溶薄膜及其制备方法

[发明专利]一种多铁薄膜前驱体及其制备方法和制得的柔性多铁薄膜-CN202210855370.8在审
发明人： 任传来;安峰;钟高阔;李江宇 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本申请涉及微电子领域，具体公开了一种多铁薄膜前驱体及其制备方法和制得的柔性多铁薄膜。该多铁薄膜前驱体由金属盐、络合剂、溶剂制得，金属盐包括铋盐、铁盐、镁盐、钙盐和钛盐；柔性多铁薄膜包括由下至上依次设置柔性衬底、缓冲层、底电极层和多铁功能层；缓冲层为CoFe2O4薄膜层，底电极层为SrRuO3薄膜层，多铁功能层为（1‑x）BiTi0.1Fe0.8Mg0.1O3‑xCaTiO3薄膜层；其中，x=0.1‑0.2。本申请采用多铁薄膜前驱体制得的柔性多铁薄膜能在室温下同时具有良好的铁电性与磁性，且具有线性磁电效应的耦合；能通过调整外加磁场调控柔性多铁薄膜的极化畴状态，实现八种逻辑存储态。
一种薄膜前驱及其制备方法柔性

[发明专利]高储能密度、高储能效率的AFE电容器的制备、反铁电薄膜层及制备、柔性AFE电容器-CN202011241618.9有效
发明人：钟高阔;李江宇;陈骞鑫;任传来;张园 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01G11/84 文献下载
摘要：本申请涉及高储能密度、高储能效率的AFE电容器的制备、反铁电薄膜层及制备、柔性AFE电容器。AFE电容器的制备方法包括以下步骤：在基底上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积第一电极层；在电极层上沉积包含两层以上薄膜的反铁电薄膜层；在反铁电薄膜层上沉积第二电极层，得到AFE电容器；其中反铁电薄膜层通过脉冲激光沉积，且相邻薄膜包含的元素可相同或不同。本申请制备的AFE电容器提高其最大击穿电压；同时，本申请利用不同激发数组分的方法制备的AFE电容器层，提高了AFE电容器储能密度及储能效率；具有优异的耐疲劳性与柔性机械性能，利于AFE电容器在弯曲状态下保持其极化等性能，为新型储能设备的开发与应用开拓了新的道路。
高储能密度效率 afe 电容器制备反铁电薄膜柔性

[发明专利]一种含缺陷偶极子的柔性铁电薄膜及制作方法-CN202210294946.8在审
发明人：王金斌;唐铭锴;任传来;钟高阔;戴李雨芬;钟向丽;谭丛兵;张园;安峰 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种含缺陷偶极子的柔性铁电薄膜及制作方法；其主要包括：云母衬底，以及在云母衬底上依次生长的缓冲层CoFe2O4薄膜、底电极层SrRuO3薄膜和铁电功能层Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜。在制作方法中均采用脉冲激光沉积工艺，通过使用不同的工艺参数，控制Pb(Zr0.2Ti0.8)O3铁电薄膜中Pb离子的挥发，从而在铁电薄膜中引入Pb离子空位与O空位结合形成缺陷偶极子。在铁电功能层中引入缺陷偶极子可以有效地调控铁电畴翻转过程，从而提高其极化状态的改变量，在室温附近产生巨电卡效应在施加和撤去外电场前后极化强度的改变量可达50μC/cm2；在固态制冷领域上具有广阔的应用前景。
一种缺陷偶极子柔性薄膜制作方法

[发明专利]一种柔性铁电负电容场效应晶体管及制造方法-CN202210292952.X在审
发明人：王金斌;唐铭锴;任传来;钟高阔;戴李雨芬;钟向丽;谭丛兵;张园 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性铁电负电容场效应晶体管及制造方法，该柔性铁电负电容场效应晶体管自下而上包括：衬底、缓冲层、底电极、栅极介质层一、栅极铁电层、栅极介质层二，半导体沟道层；所述半导体沟道层的上层依次设有源极电极和漏极电极；并主要通过脉冲激光沉积工艺及利用离子溅射工艺，制备柔性铁电负电容场效应晶体管。本发明制备的柔性铁电负电容场效应晶体管亚阈值摆幅低至19.4mV/dec，且具有优秀的机械弯曲特性，能承受4mm弯折半径和反复500次的弯折，并在室温至180℃的宽温域内实现远低于60mV/dec的亚阈值摆幅，开关电流比约为105，制备工艺稳定，生产周期短。
一种柔性铁电负电容场效应晶体管制造方法

[发明专利]一种基于结晶学工程的具有多级多畴纳米结构的钙钛矿铁电薄膜及其制备方法-CN201810826422.2有效
发明人：钟向丽;任传来;谭丛兵;王金斌;李波;郭红霞;宋宏甲;侯鹏飞 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于结晶学工程的具有多级多畴纳米结构的钙钛矿铁电薄膜，所述多级多畴纳米结构由单一的(a1，c)/(a2，c)多畴带排列而成，其中，所述钙钛矿铁电薄膜为(111)取向的Pb(Zr0.2Ti0.8)O3外延薄膜。本发明提供的钙钛矿铁电薄膜中的多级多畴纳米结构由单一的(a1，c)/(a2，c)多畴带排列而成，增强了钙钛矿铁电薄膜的电学特性，与没有这样多级多畴纳米结构的钙钛矿铁电薄膜相比，除了降低矫顽场和增强介电响应之外，还增强了铁电极化，并大大提高了耐疲劳性。
一种基于结晶学工程具有多级纳米结构钙钛矿铁电薄膜及其制备方法

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