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[发明专利]一种复合纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管-CN202011039039.6有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管，其中，所述复合纳米材料包括金属化合物纳米颗粒以及通过化学键与所述金属化合物纳米颗粒结合的苯胺‑吡啶聚合物，所述苯胺‑吡啶聚合物的化学结构式为#imgabs0#本发明通过将金属化合物与苯胺‑吡啶聚合物结合在一起形成复合纳米材料可作为电子传输层或空穴传输层，由于苯胺‑吡啶聚合物的带隙较小，使得复合纳米材料的电子或空穴更加容易由价带被激发到导带，使得载流子浓度增高，有利于电子或空穴的传输，并且苯胺‑吡啶聚合物的修饰可使得金属化合物的表面缺陷减少，抑制了金属化合物表面缺陷对载流子的俘获，从而提高其的电子或空穴的传输性能，进而提高了QLED发光效率和性能。
一种复合纳米材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]复合材料及其制备方法和量子点发光二极管-CN201910900978.6有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C08G73/06 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括金属化合物纳米颗粒和包覆在所述金属化合物纳米颗粒表面的聚吡咯。聚吡咯包覆在金属化合物纳米颗粒表面可以使复合材料的电子由价带被激发到导带更加容易，从而使得载流子浓度增高，有利于电子或空穴的传输，而且聚吡咯的包覆修饰使金属化合物纳米颗粒的表面缺陷减少，从而抑制了表面缺陷对载流子的俘获，进一步提高内核的载流子传输性能，将该复合材料用于量子点发光二极管，可以显著提高器件的发光效率和性能。
复合材料及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]金属化合物材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置-CN201911390340.9有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C07C241/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属化合物材料，包括金属化合物纳米颗粒和芳香肼，其中，所述芳香肼中的‑NHNH2结合在芳香基上，且所述芳香肼通过‑NHNH2中的氮原子与所述金属化合物纳米颗粒配位结合。本发明通过表面修饰在金属化合物纳米颗粒表面吸附芳香肼分子，实现了对金属化合物纳米颗粒的表面结构调制，增强金属化合物纳米颗粒的导电性。
金属化合物材料及其制备方法量子发光二极管发光装置

[发明专利]组合物及其制备方法和发光二极管-CN201911412015.8有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10K85/00 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种组合物及其制备方法和发光二极管。本发明提供的组合物包括：金属化合物纳米颗粒10％‑40％、阳离子表面活性剂1％‑5％、阴离子表面活性剂1％‑5％、添加剂0％‑5％和溶剂45％‑88％；溶剂选为极性有机溶剂。具有良好的相容性、均匀性和稳定性，解决了金属化合物纳米颗粒在溶剂中分散性差的问题；同时，表面张力低，润湿性好，具有良好的成膜性能，有利于形成均匀致密的薄膜，可作为墨水，应用于喷墨打印法制备发光二极管的载流子传输层。
组合及其制备方法发光二极管

[发明专利]发光器件、发光器件的制备方法及显示装置-CN202111652012.9在审
发明人： 吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/15 文献下载
摘要：本申请公开一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置，发光器件包括阳极、与阳极相对设置的阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层，以及设置于发光层与阳极之间的空穴功能层，其中，空穴功能层包括层叠设置的第一子层和第二子层，第一子层靠近阳极，第二子层靠近发光层，第一子层主要具有空穴传导和电子阻挡的作用，第二子层主要具有电子阻挡和防水特性，从而提高了发光器件的综合性能，将所述发光器件或所述制备方法制得的发光器件应用于显示装置中，有利于提高显示装置的显示效果和延长显示装置的使用寿命。
发光器件制备方法显示装置

[发明专利]一种光电器件及其制备方法-CN202111658637.6在审
发明人： 吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电器件及其制备方法。本申请的光电器件中，发光层包括发光主体材料和掺杂材料，该掺杂材料的价带顶比光电器件中电子传输层的电子传输材料的价带顶浅1.0eV至2.0eV，使得当QLED器件的温度升高时，电子传输层材料电子迁移率升高，还能在发光层形成电荷积累，产生负电荷进一步抑制过多的电子迁移，使得QLED的电子传输层在高温条件(例如80℃下)仍然能维持与常温接近的电子迁移率，保持良好的载流子传输平衡，进而实现QLED器件在高温条件下仍能维持较高的发光效率和良好的寿命。
一种光电器件及其制备方法

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法、显示装置-CN202111653399.X在审
发明人： 吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/115 文献下载
摘要：本申请提供一种量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，该量子点发光二极管：相对设置的阴极以及阳极；量子点发光层，所述量子点发光层设在所述阴极和所述阳极之间，所述量子点发光层的材料包括量子点以及结合在所述量子点表面的硅醇化合物，且所述硅醇类化合物至少有两个羟基连接在同一个硅原子上。由此，提高了器件的空穴注入效率，提升器件的发光效率和寿命，提升器件的性能；另一方面，量子点发光层表面的硅醇化合物还可以形成带有弱极性的界面层，优化相邻功能层的成膜效果，提升界面接触效率，从而提升器件的发光效率。
量子发光二极管及其制备方法显示装置

[发明专利]光电器件及其制备方法、显示装置-CN202111651830.7在审
发明人： 吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10K50/10 文献下载
摘要：本申请公开一种光电器件及其制备方法、显示装置。所述光电器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层和阴极，所述空穴传输层和所述发光层之间还设置有金属间化合物层。能够提高光电器件的发光效率，延长光电器件的寿命。
光电器件及其制备方法显示装置

[发明专利]量子点及其改性方法和量子点发光二极管-CN201911406945.2有效
发明人： 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于量子点技术领域，尤其涉及一种量子点，所述量子点的表面结合有含钛有机配体。本发明量子点通过表面结合有含钛有机配体，不但能够减少量子点表面的缺陷态和量子点缺陷能力，减少非辐射跃迁，而且可以提高量子点膜层中的载流子的传输效率，使得空穴和电子更容易渗透到发光层里层，进一步提高发光效率。
量子及其改性方法发光二极管

[发明专利]量子点材料及其制备方法、量子点发光二极管和发光装置-CN201911384736.2有效
发明人：何斯纳;吴龙佳;吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-28 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点材料，包括量子点颗粒和结合在所述量子点颗粒表面的苄基吡啶，且所述苄基吡啶通过氮原子与所述量子点颗粒配位结合。苄基吡啶修饰后的量子点，可以提高量子点的发光效率，从而提高量子点发光二极管的发光性能。
量子材料及其制备方法发光二极管发光装置

[发明专利]电致发光器件的制备方法、电致发光器件及光电装置-CN202111322272.X在审
发明人： 吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10K50/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种电致发光器件的制备方法、电致发光器件及光电装置，通过在电子传输层上施加碱性溶液，利用碱性溶液与电子传输层材料表面的含有羧基的化合物反应，发生反应后的化合物的沸点升高，防止因器件通电后温度升高，该化合物以气体分子的形式溢出并瞬间膨胀，从而损害阴极，导致器件报废的问题。
电致发光器件制备方法光电装置

[发明专利]一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置-CN202111288717.7在审
发明人： 吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10K50/165 文献下载
摘要：本申请公开一种薄膜及其制备方法、光电器件及显示装置。本申请的薄膜为包括纳米金属氧化物及纳米金属单质的混合物，其中，纳米金属单质的电阻率随温度升高而增长。纳米金属氧化物的电子迁移率随着温度升高而增大，纳米金属单质的加入，抑制温度变化对薄膜电子迁移率变化的影响程度，使薄膜在高温和低温下的电子迁移率保持接近。对于此薄膜作为电子传输层的光电器件，也能够避免光电器件在温度升高时因高电子迁移量而被破坏，使光电器件在高温下，仍然能具有与常温更为接近的载流子平衡，提高光电器件的器件稳定性。并且也能避免过高电子通量快速侵蚀光电器件的其他层级，加速老化，从而提高光电器件的寿命。
一种薄膜及其制备方法光电器件显示装置

[发明专利]纳米复合材料及其制备方法、溶液组合物、发光层和发光二极管-CN201911391205.6有效
发明人： 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种纳米复合材料及其制备方法、发光层和发光二极管。本发明提供的纳米复合材料包括：量子点以及以配位键连接所述量子点的表面配体，所述表面配体为X‑R‑(CF3)n；其中，R选自烷基，n为正整数。与量子点连接的表面配体含有三氟甲基，三氟甲基具有高密度的电子云，可以增加量子点表面的电子云密度，从而提升电荷迁移率，从而解决了现有量子点的电荷迁移率较低的问题。
纳米复合材料及其制备方法溶液组合发光发光二极管

[发明专利]量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管-CN201911407742.5有效
发明人： 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明属于显示材料技术领域，具体涉及一种量子点材料及其制备方法和薄膜、量子点发光二极管。该量子点材料包括量子点和结合在所述量子点表面的至少一个给电子基团取代的立方烷类化合物；其中，所述立方烷类化合物为碳原子数不小于8的立方烷类化合物，所述立方烷类化合物中至少有一个给电子基团与所述量子点表面结合。该量子点材料不仅具有很好的电荷传输性能，而且具有很好的分散性，可以很好地分散在非极性溶剂或墨水中，因此提高了其溶液加工性能。
量子材料及其制备方法薄膜发光二极管

[发明专利]纳米颗粒、组合物及发光二极管-CN202111165416.5在审
发明人： 吴劲衡 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种纳米颗粒，包括核、包覆所述核的壳层、及连接在所述壳层的外表面的抗磁性配体。由于氧分子是一种磁性分子，自带顺磁性，容易吸附在同样带磁性的物质表面，而本申请的纳米颗粒中的抗磁性配体可以消除来自纳米颗粒表面的阴离子元素的磁性，从而抵消纳米颗粒与磁性氧分子的吸引力，减少入侵氧分子与纳米颗粒的接触，进而延缓纳米颗粒的氧化，提高包括所述纳米颗粒的发光二极管的工作寿命。另，本申请还公开了一种包括所述纳米颗粒的组合物及发光二极管。
纳米颗粒组合发光二极管

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