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[发明专利]一种对制作高温超导器件的材料进行表面改性的方法-CN202010663209.1在审
发明人：王三胜;李方 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种对制作高温超导器件的材料进行表面改性的方法，采用平行栅将离子束变为平行离子束进行入射，轰击制作高温超导器件的材料表面，然后对采用平行离子束轰击后的材料进行退火处理，离子束能量为100‑1000eV，离子束轰击时间为3‑60分钟,入射角为5‑90度,退火温度为300‑1200℃。本发明采用平行离子束轰击并退火预先形成的材料表面，可减小或消除被加工表面的不规则状态和缺陷，增加表面平整度，改变被加工物质的组织结构，如织构或内部缺陷，从而提高器件的超导性能。
一种制作高温超导器件材料进行表面改性方法

[发明专利]掺杂类金刚石涂层的多离子束溅射沉积技术-CN201010132905.6无效
发明人：付志强;王成彪;岳文;彭志坚;于翔 -专利权人：中国地质大学(北京)
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种制备掺杂类金刚石(DLC)涂层的多离子束溅射沉积方法，特征是首先利用超声波清洗去除工件表面污染层，利用离子源产生的氩离子束对工件表面进行离子束轰击清洗，获得原子级的清洁表面；然后利用离子束辅助溅射沉积方法制备梯度过渡层；最后在梯度过渡层上利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层。利用多离子束溅射+低能离子束辅助沉积合成多元掺杂DLC涂层的过程中，在溅射离子源轰击石墨靶和金属靶产生的碳粒子和金属粒子沉积到工件表面的同时，辅助沉积离子源产生的气体离子持续轰击生长的膜层表面，调控膜层微观结构和实现多元素掺杂
掺杂金刚石涂层离子束溅射沉积技术

[发明专利]双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺-CN01128592.3无效
发明人：周灵平;朱启良;李绍禄;过骐千;林美娟;黄桂芳;王锦辉;李德意;厉学文;靳九成;吴玉珍;唐应时;白玉兰;汪亮明;李夏平 -专利权人：湖南大学
申请日： 2001-09-12 - 公布日： 2002-05-08 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种双离子束直接沉积类金刚石膜的工艺,其特征在于用双离子束轰击制作混合界面,低能离子束直接沉积类金刚石膜;用低能含碳离子束直接沉积类金刚石膜层,同时用中能Ar+离子束轰击膜层,将碳离子注入到基体表层足够的深度,以混合膜基原子形成能显著提高膜粘结强度的模糊界面,在此过程中两离子束束流进行交替变化,界面混合一定时间后,停止中能离子束轰击,低能含碳离子束继续直接沉积类金刚石膜。
离子束直接沉积金刚石工艺

[发明专利]一种光电阴极及其制备方法-CN202011316694.1在审
发明人：刘燕文;李芬;田宏;朱虹;王国建;赵恒邦;李云;王小霞 -专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括：光电阴极基体，锑碱金属化合物，光电阴极基体的表面为经过离子束轰击表面改性处理后的；锑碱金属化合物，制备在光电阴极基体的表面上。该制备方法包括：在光电阴极基体表面实施离子束轰击表面改性处理，得到离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体；利用第一加热体将离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体加热至预设温度；利用第二加热体加热锑源使锑蒸汽蒸发至离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面，形成锑膜；利用第二加热体加热碱金属源，使碱金属蒸汽蒸发至离子束轰击表面改性处理后的光电阴极基体的表面，与锑膜发生反应，生成锑碱金属化合物，完成光电阴极的制备。
一种光电阴极及其制备方法

[发明专利]具有梯度结构的固体自润滑膜及其制备方法-CN201911265781.6有效
发明人：金杰;陈丹丹;刘元富;李荣华 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：开启磁控溅射镀膜和离子束辅助源，对金属基板表面进行磁控溅射辅助沉积，关闭磁控溅射，开启离子束轰击源，对靶材进行离子束轰击，形成一层功能层；经多次辅助沉积和离子轰击交替后，以磁控辅助沉积结束，形成固体自润滑膜；在交替过程中，离子束辅助源的能量均相同，离子束轰击源的离子束能量均不相同。本发明通过调整负压、溅射电压、溅射电流、离子束源能量等参数控制膜生长，优化薄膜结构，沉积速率高，制备时间短，表面不存在大颗粒，膜层致密，耐磨，摩擦系数低，耐腐蚀、抗潮解。
具有梯度结构固体润滑及其制备方法

[其他]一种离子轰击减薄装置-CN88206944无效
发明人：王凤莲;褚一鸣;陆珉华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 1988-06-17 - 公布日： 1988-12-28 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新的离子轰击减薄装置，它既可以选用氩离子束流轰击样品，又可以选用碘离子束流轰击样品，设在样品室两侧的碘蒸气升华腔为形成碘离子束提供碘蒸气流。
一种离子轰击装置

[发明专利]一种利用离子束轰击制备硅纳米锥阵列的方法-CN201110049752.3无效
发明人：周靖;陆明 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明属于硅纳米材料技术领域，具体为一种利用离子束轰击制备硅纳米锥阵列的方法。其步骤包括：构建真空环境，离子溅射时真空腔气压保持在2×10-2Pa以下；在真空腔内放置所要掺杂的金属，形成离子束轰击过程中的金属共掺杂；用离子束轰击硅片以及所要掺杂的金属，离子束能量500eV~10keV；离子束流密度150mAcm-2~2000mAcm-2；轰击时间20min~260min。
一种利用离子束轰击制备纳米阵列方法

[发明专利]一种离子束轰击制备扫描电子显微镜试样的方法-CN200810100875.3无效
发明人：翟少岩;孟利;庞景芹;冯惠平 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2008-02-25 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：一种离子束轰击制备扫描电子显微镜试样的方法，涉及扫描电子显微镜试样的制备。本方法是在高真空度2×10^－3Pa条件下，不断充入氩气，氩气通过离子枪在高压电场作用下电离获得氩离子束流轰击到试样表面，同时样品台自身360度旋转，以保障试样表面获得均匀轰击。样品表面与离子束流之间的夹角通常选择7度至12度范围，离子枪轰击电压选择4千伏至7千伏范围，束流在0.4至0.5毫安范围。本方法不受试样材料电性能的影响，并且在离子束轰击过程中不会给试样带来应力和应变，对材料自身晶体结构无损伤，适合于金属及非金属各类材料的微观形貌分析。
一种离子束轰击制备扫描电子显微镜试样方法

[发明专利]低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管及其制备方法与应用-CN201110276298.5无效
发明人：李德军;赵梦鲤;刘孟寅;董磊;岳玉琛 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管，它是由在预先喷涂的多壁碳纳米管基片上轰击低能氮离子束组成；其中轰击氮离子的束流为5-25mA，本底真空1.9×10-4-2.0×10-4Pa；轰击能量为200eV；所述低能氮离子的原子百分数为7.8%-9.3%。本发明进一步公开了低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管在提高多壁碳纳米管材料亲水性方面的应用，以及作为具有细胞相容性的组织支架材料以及与血液相接触的材料方面的应用。
低能离子束轰击多壁碳纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种测量脉冲离子束脉冲宽度的装置及方法-CN201611025682.7有效
发明人：陈平;李海洋;蒋吉春 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01R29/02 文献下载
摘要：本专利提出一种测量脉冲离子束脉冲宽度的装置及方法。它测量的原理是：将一次离子源产生的脉冲离子束经过偏转板调制后轰击到样品靶后，收集产生的二次离子后进入后端质谱进行检测。二次离子强度变化可以实时反映一次离子束强度的变化。在偏转电极的一个电极上施加固定电位，另一个电极上施加脉冲电压。当两个电极为相等电位时，离子束正常通过偏转电极轰击到靶上产生二次离子流；当两个电极电位不等时，离子束受到电场的偏转而无法通过偏转电极，无法轰击到靶上。通过改变离子偏转电极施加脉冲高压的时间，可以在收集并检测不同时刻对应的二次离子流强度，即实现脉冲离子束的时间分布及脉宽的测量。
一种测量脉冲离子束脉冲宽度装置方法

[发明专利]一种具有锯齿轮廓自组织纳米结构的离子轰击制备方法-CN201810608753.9有效
发明人：刘颖;陈德康;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有锯齿轮廓自组织纳米结构的离子轰击制备方法，通过氩离子束轰击与同时的杂质沉积相结合，可以直接在光滑熔石英表面诱导产生一定有序性、锯齿轮廓形状、周期在一百纳米左右的自组织纳米结构，是一种简单本发明通过调节离子轰击时离子束的参数(如：轰击时间、离子束入射角等)，可以调控所获得纳米结构的特征尺寸。本发明给出了离子束参数调节的优选范围、以及杂质靶材料的优选原则。本发明的方法还适用于单晶硅样品等多种固体材料，并且所用离子束可以来自氦、氖、氩、氪和氙等其中的一种惰性气体离子。
一种具有锯齿轮廓组织纳米结构离子轰击制备方法

[发明专利]等离子清洁装置-CN201010573196.5有效
发明人：何伟业 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子清洁装置，包括：等离子腔室，设置于等离子腔室内用于承载待清洁工件的基座；等离子体发生器，用于产生等离子体；离子加速器，用于产生加速电场加速等离子体中的离子形成离子束；还包括设置于所述离子束路径上的过滤器，所述过滤器通过偏转场偏转离子束中离子的运动方向，过滤射向待清洁工件的离子，可以减小离子束中离子的通过量，进而精确控制离子轰击强度，从而避免过度的离子束轰击所造成的介质表面性质漂移或厚度损耗。
等离子清洁装置

[发明专利]一种表面改性Cu基薄膜及其制备方法-CN201710018019.2在审
发明人：梁广兴;范平;郑壮豪;罗景庭 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开一种表面改性Cu基薄膜的制备方法，其中，包括步骤A、将原Cu基薄膜固定在等离子束轰击系统的轰击工位架上，控制所述轰击工位架匀速转动，待轰击；B、将等离子束轰击系统本底真空度抽至9.0×10‑2 Pa以下，通入Ar气流作为工作气体；本发明采用精确可控的等离子束轰击薄膜，代替传统的强酸冲洗刻蚀工艺，不仅能简化制备过程，而且能制备出绒面等多种表面形状可控的Cu基薄膜，本发明通过对Cu基薄膜表面结构进行改性优化
一种表面改性 cu 薄膜及其制备方法

[发明专利]液晶光学设备制造工艺-CN200780045437.5无效
发明人：酒井明;宫田浩克;浅尾恭史;石田阳平;P·J·马丁;A·本达维德 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G02F1/1337 文献下载
摘要：在所述配向膜形成步骤中，用使用含硅的阴极的真空电弧放电产生的等离子束轰击基板的表面，其中基板以一角度倾斜地设置在等离子束的行程上。当等离子束轰击基板表面时，与形成具有柱体结构的膜的等离子束中的等离子体离子相比，以所述角度倾斜地轰击基板时的等离子束中的等离子体离子具有更高的动能或更高的通量密度。
液晶光学设备制造工艺

[发明专利]清扫离子注入机束流通道的方法-CN201911364603.9在审
发明人：韩继武;刘善善 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种清扫离子注入机束流通道的方法，使用样本离子，通过调整离子的能量及束流条件，以及调整设备参数，使离子束尽可能发散，通过发散的离子束流轰击束流通道侧壁上的镀层，将侧壁上的镀层轰击下来形成颗粒，实现清扫离子注入机束流通道的目的。本发明使用特定的离子、能量及束流条件，通过调节离子束的发散程度，使离子轰击束流通道的侧壁，迫使侧壁上的镀层提前剥落，击碎的镀层变成微粒随束流进入工艺腔，部分随排气排出，部分进入放置在托盘上的光刻胶晶圆。
清扫离子注入流通方法

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