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[发明专利]一种凹面变线距光栅的制备方法及制备系统-CN202310854621.5在审
发明人：任涛;邱克强;刘正坤;徐向东;洪义麟;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种凹面变线距光栅的制备方法及制备系统，该制备方法包括：基于初始曝光参数，对第一基底表面上的第一光刻胶层进行曝光和显影，以形成第一光刻胶光栅；检测得到第一光刻胶光栅聚焦的光斑；当第一光刻胶光栅聚焦的光斑不满足预设条件时，调整曝光参数，以使得基于调整后的曝光参数制备得到的光刻胶光栅聚焦的光斑满足预设条件；基于调整后的曝光参数，对第二基底表面上的第二光刻胶层进行曝光和显影，以形成第二光刻胶光栅；其中，基于第二光刻胶光栅对第二基底进行刻蚀能够形成满足预设条件的凹面变线距光栅。基于该方法制备凹面变线距光栅可以有效的解决在曝光过程中因曝光参数不准确而导致的凹面变线距光栅的线密度误差。
一种凹面变线距光栅制备方法系统

[发明专利]消色差光栅波导、近眼显示设备和近眼显示系统-CN202310432789.7在审
发明人：蔡茂琦;李恒博;刘颖;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本公开提供了一种消色差光栅波导、近眼显示设备和近眼显示系统。消色差光栅波导包括：光波导；以及耦入光栅，设置在光波导上，适用于接收信号光，其中，信号光为外部光源单元发出的具有不同颜色的单色光，耦入光栅包括三个叠设的子光栅，子光栅适用于分别调制红光、绿光和蓝光、并将调制后的红光、绿光和蓝光耦入光波导；其中，经耦入光栅调制后的红光、绿光和蓝光的衍射角相同，且具有相同或相近的衍射效率，以消除信号光耦入光波导的色差。
色差光栅波导显示设备系统

[发明专利]一种用于强激光系统中光束采样光栅的增透减反方法-CN201710357385.0有效
发明人：陈火耀;刘颖;梁举曦;王宇;刘正坤;邱克强;徐向东;洪义麟;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：一种用于强激光系统中光束采样光栅的增透减反方法，首先利用全息离子束刻蚀方法在熔石英基底上制作亚波长光栅模板；在亚波长光栅模板上滴少许PUA紫外压印胶，然后将PET薄膜盖到PUA上，利用紫外光照射PUA使其固化，将固化后的PUA与光栅模板分离，得到亚波长光栅软模；光束采样光栅的表面清洗后，在上面旋涂PMMA压印胶，将亚波长光栅软模覆盖到PMMA上面，软模光栅条纹方向与光束采样光栅条纹方向可以平行、垂直或者成角度，用夹持机构将两者压紧，放到烘箱中加热固化，将亚波长光栅软模和基底分离，在PMMA上形成亚波长光栅；然后利用氧等离子体灰化去除PMMA光栅的底层残余胶，利用到底的PMMA亚波长光栅掩模，使用CHF3反应离子束刻蚀，最后清洗去除残余胶，即得到具有增透减反效果的光束采样光栅。
一种用于激光系统光束采样光栅增透减反方法

[发明专利]一种封装式亚波长光栅偏振滤波片及其制造方法-CN202210790526.9在审
发明人：陆凡凡;邱克强;杨高元;刘正坤;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种封装式亚波长光栅偏振滤波片及其制造方法，所述偏振片包括双层增透膜、红外材料基底、介质光栅、双层金属膜，双层金属膜分别覆盖于介质光栅槽底和光栅线顶部，光栅周期远小于入射光波长，直接在基底上制造光栅矩形槽然后在光栅表面镀金属膜，采用和基底材料相同的材料封装光栅槽，因为具有相同折射率，该封装层可以减小光栅侧壁界面的光反射损失，从而提高TM偏振光透过率，同时还可以极大保护金属膜，在封装好的光栅两侧镀上双层膜增透，可以解决长波红外材料的透过率低的问题，在长波红外波段，该偏振滤波片具有宽波段、高透过率、高消光比等特点。
一种封装波长光栅偏振滤波及其制造方法

[发明专利]一种利用离子束刻蚀修饰闪耀光栅槽形的方法-CN202210780810.8在审
发明人：陈智文;邱克强;刘正坤;付绍军;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种利用离子束刻蚀修饰闪耀光栅槽形的方法，包括如下步骤：(1)通过全息‑离子束刻蚀法在石英表面制作出浮雕闪耀光栅；(2)通过严格耦合波分析方法确定透射型或者反射型闪耀光栅的反闪耀角对衍射效率的影响，找出反闪耀角度的最优区间；(3)根据已制作的闪耀光栅的反闪耀角与最优区间的差异确定反闪耀角的改变方向，并利用离子束刻蚀对反闪耀角度进行修饰。本发明采用离子束刻蚀的方式，改变闪耀光栅的反闪耀角度，从而扩大闪耀面的有效工作面积，增加衍射效率。
一种利用离子束刻蚀修饰闪耀光栅方法

[发明专利]利用双层材料制备有序自组织纳米结构的方法-CN202010991748.8有效
发明人：刘颖;李金昱;杨高元;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种利用双层材料制备有序自组织纳米结构的方法，该方法包括以下步骤：在第一膜层上形成第二膜层，所述第一膜层和第二膜层为不互溶的双层材料；离子束轰击所述第二膜层至深度到达所述第一膜层内，诱导所述第一膜层形成有序自组织纳米结构。本发明基于双层材料形成的自组织纳米结构之间的差异和引导作用，通过利用离子轰击自调控的自组织纳米结构的制备方法，快速地提高自组织纳米结构有序性、长程性，具有工艺简单、成本低、易于实现的优势。
利用双层材料制备有序组织纳米结构方法

[发明专利]一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法-CN202010631672.8有效
发明人：刘颖;林达奎;陈火耀;刘正坤;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法，解决常规近场全息方法不能直接复制及微调掩模线密度及其空间分布的问题。通过微调近场全息曝光参数和引入过渡掩模来实现线密度与初始掩模线密度分布相同或呈一定偏移的一系列线密度分布渐变的变间距光栅掩模。本发明可以有效的微调近场全息变间距光栅位相掩模的线密度分布，由此减少了对电子束光刻制作方法的依赖，降低位相掩模的制作成本，在一定程度上灵活快速地获得具有不同线密度分布的掩模，以满足不同场合的不同需求，是一种十分重要的、低成本的变间距光栅的制作方法。本发明对利用近场全息方法调控光栅线密度空间分布，在此基础上提高高精度变间距光栅的制作质量和效率十分重要。
一种间距光栅掩模线密度分布可控微调方法

[发明专利]一种表面具有纳米孔结构的光刻胶及其制备方法-CN201910584871.5有效
发明人：刘颖;杨高元;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶，所述光刻胶表面具有纳米孔结构；所述光刻胶表面的纳米孔结构由离子束轰击光刻胶原膜后得到。本发明采用了离子束轰击的方式，得到了表面具有纳米孔结构的光刻胶，能够一次性在光刻胶表面得到了大面积高密度随机纳米孔结构。本发明通过离子束轰击，在光刻胶表面诱导产生自组织纳米结构，利用在离子轰击过程中不同物理机制之间的相互作用，能够在多种材料表面诱导产生自组织表面纳米结构。本发明还能够通过改变离子束轰击参数，来调控表面纳米孔结构的特征尺寸，具有工艺简单、经济、高效和大面积等显著特点，是一种非常有潜力的表面纳米结构制备方法，适于规模化生产应用和推广。
一种表面具有纳米结构光刻及其制备方法

[发明专利]一种基于纳米环形阵列的近红外带通滤波器及制备方法-CN202110654487.5在审
发明人：蔡茂琦;邱克强;刘正坤;徐向东;洪义麟;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纳米环形阵列的近红外带通滤波器，由基底和具有环形槽结构的Au膜构成，Au膜附着于基底表面之上；基底厚度为1mm，材料为熔石英，折射率为1.548@1.5um；Au膜表面通过工艺制备纳米环形阵列，Au膜厚度为100nm，折射率为0.18+i10.0@1.5um，Au膜表面粗糙度RMS小于2nm；纳米环形阵列的结构参数包括阵列周期P、外环半径R、环宽度W和环深度H，取值范围分别是P为550nm‑900nm、R为150nm‑250nm，W为80nm‑100nm，H为60nm‑150nm。本发明具有大尺寸兼容(优于100mm×100mm)、均匀性好、可重复、制作效率高和低成本的优势。
一种基于纳米环形阵列红外带通滤波器制备方法

[发明专利]一种平面基底变间距光栅的线密度测试系统及测试方法-CN201910501496.3有效
发明人：刘正坤;林达奎;刘颖;陈火耀;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种平面基底变间距光栅的线密度测试系统及测试方法，该线密度测试系统与传统自准直衍射法相比不存在偏心问题，与双波长消偏心衍射法相比只需单波长，不存在双波长对准问题，与单波长多级次衍射法相比可以测试高线密度光栅，与LTP法相比可以一次性测试线密度变化率大的光栅。并且，以上传统的测试手段均会受变间距光栅发散的衍射斑尺寸影响，而本申请采用直边刀口定位，不存在衍射斑尺寸限制，更适合用于大线密度变化率的变间距光栅线密度测试。
一种平面基底间距光栅密度测试系统方法

[发明专利]一种具有锯齿轮廓自组织纳米结构的离子轰击制备方法-CN201810608753.9有效
发明人：刘颖;陈德康;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有锯齿轮廓自组织纳米结构的离子轰击制备方法，通过氩离子束轰击与同时的杂质沉积相结合，可以直接在光滑熔石英表面诱导产生一定有序性、锯齿轮廓形状、周期在一百纳米左右的自组织纳米结构，是一种简单、经济的高效产生具有百纳米量级周期的类闪耀光栅结构的自组织纳米结构制作技术。本发明通过调节离子轰击时离子束的参数(如：轰击时间、离子束入射角等)，可以调控所获得纳米结构的特征尺寸。本发明给出了离子束参数调节的优选范围、以及杂质靶材料的优选原则。本发明的方法还适用于单晶硅样品等多种固体材料，并且所用离子束可以来自氦、氖、氩、氪和氙等其中的一种惰性气体离子。
一种具有锯齿轮廓组织纳米结构离子轰击制备方法

[发明专利]一种平面双角闪耀光栅的制作方法-CN201910574843.5有效
发明人：陈智文;邱克强;刘正坤;徐向东;洪义麟;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本申请提供了一种平面双角闪耀光栅的制作方法，该平面双角闪耀光栅的制作方法，采用全息离子束刻蚀技术，其方法相比较电子束刻蚀技术而言，降低了工艺成本，且制作周期短、重复性好以及可控性高；并且，采用倾斜刻蚀的方式对梯形同质掩模结构进行刻蚀，其槽形更容易控制，其轮廓可看成由简单的线条构成，因此，在刻蚀过程中槽形的演化更加简洁。以及，通过调节梯形同质掩模结构的高宽比来改变两个闪耀面的长度，其方式简单有效。
一种平面闪耀光栅制作方法

[发明专利]基于离子轰击技术的亚波长表面纳米结构及其制备方法-CN202010063145.1在审
发明人：刘颖;杨高元;蔡茂琦;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种基于离子轰击技术的亚波长表面纳米结构及其制备方法，该制备方法包括：在一基底上涂覆光刻胶，经固化得到光刻胶薄膜样品；对所述光刻胶薄膜样品进行离子束轰击，在光刻胶表面形成亚波长纳米结构；刻蚀去除所述亚波长纳米结构底层的剩余光刻胶，将所述光刻胶薄膜样品刻蚀至基底，得到具有亚波长纳米结构的光刻胶掩模；将所述光刻胶掩模的亚波长纳米结构转移到基底上，去除图形转移后的剩余光刻胶掩模，得到基底上的亚波长表面纳米结构。本发明利用离子轰击技术在固体表面诱导产生自组织纳米结构的原理并结合掩模刻蚀方法，可在多种材料表面制备亚波长表面纳米结构，具有特征尺寸小、工艺简单、加工效率高的优势。
基于离子轰击技术波长表面纳米结构及其制备方法

[发明专利]在光刻胶表面制备亚波长纳米结构的方法-CN202010063144.7在审
发明人：刘颖;杨高元;洪义麟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：一种在光刻胶表面制备亚波长纳米结构的方法，包括以下步骤：在一基底上涂覆光刻胶，经固化得到光刻胶薄膜样品；将离子束按照设置的离子束参数轰击所述光刻胶薄膜样品的表面，得到亚波长纳米结构，其中所述离子束参数包括离子束入射角θ，取值为30°～70°。本发明的方法所制作出的亚波长纳米结构具有特征尺寸小、形状尺寸可调的优势，且制作工艺简单，加工效率高。
光刻表面制备波长纳米结构方法

[发明专利]抑制垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法-CN201710407545.8有效
发明人：刘颖;林达奎;陈火耀;刘正坤;邱克强;徐向东;洪义麟;付绍军 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明涉及抑制位相掩模垂直光栅矢量方向次生干扰的近场全息动态曝光方法，属于一种衍射光栅的制备技术领域，即在近场全息曝光时，通过在垂直于光栅矢量方向上的微位移抑制位相掩模初始的垂直于光栅矢量方向的次生干扰图形，降低制作光栅的杂散光水平、并提高光栅的占宽比均匀性。
抑制位相垂直光栅矢量方向次生干扰近场全息动态曝光方法

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