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[发明专利]一种中子管及其应用-CN202211436485.X在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：中科超睿(青岛)技术有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H05H3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种中子管及其应用，包括离子源装置、中子靶、X射线靶和加速电极装置，离子源装置用于电离气体，并产生离子束；中子靶和X射线靶同轴分布在离子源装置的一侧；加速电极装置用于施加电压并分别与离子源装置和中子靶之间形成电场一和电场二，该电场一对离子束进行加速，使得离子束轰击中子靶以产生中子和电子，且该电场二在中子靶相对于加速电极装置加正偏压时，可抑制电子以产生中子，在中子靶相对于加速电极装置加负偏压时，可反向加速电子并使其轰击X射线靶以产生
一种中子及其应用

[发明专利]离子轰击式石墨电子发射体-CN98812163.8无效
发明人：小D·I·阿梅;R·J·布查德;S·I·U·沙 -专利权人：纳幕尔杜邦公司
申请日： 1998-12-08 - 公布日： 2001-01-24 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：公开了带有图案的离子轰击式石墨电子发射体以及用于生产它们的方法。电子发射体是通过在基片上形成由石墨颗粒和玻璃组成的复合物层、然后用离子束轰击该复合物而产生的。
离子轰击石墨电子发射

[发明专利]一种多方位角下的三维溅射沉积收集装置-CN202310750458.8在审
发明人：王晓宇;苗龙;何梓豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开一种多方位角下的三维溅射沉积收集装置，包括真空仓，真空仓内设置有支撑底板和射频离子推力器，支撑底板的顶部可拆卸安装有溅射沉积三维收集机构，支撑底板的顶端设置有靶材，靶材设置于溅射沉积三维收集机构的内侧，射频离子推力器设置于溅射沉积三维收集机构的上方，射频离子推力器用于产生离子束，离子束用于轰击靶材。本发明通过实验收集多方位角度下的靶材溅射沉积质量，基于经离子轰击靶材后溅射粒子产生的三维球型溅射区域监测的需求，通过靶材及三维溅射沉积收集装置不同角度的摆放，实现离子不同轰击入射角的三维溅射区域监测。
一种多方位三维溅射沉积收集装置

[发明专利]一种扫描靶-CN201610397338.4在审
发明人：李彦;何小海;唐君;娄本超;薛小明;牟云峰;李小飞;胡永宏 -专利权人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：在加速器完成氘或氘氚混合离子束的加速之后，利用扫描磁场将离子束快速均匀地展开成直线型长条束斑，展开长度超过束斑直径几十倍，然后轰击到一个移动靶上，在平行于中子靶的方向产生具有点源特性的等效出射中子束。由于扫描后束斑的位移速度快，在每个点上的停留时间短，引起的瞬态温升低。同时，靶面上轰击区域均匀展宽了几十倍，平均束流密度降低几十倍，平均温升大幅降低，靶寿命延长。
一种扫描

[实用新型]一种扫描靶-CN201620545374.6有效
发明人：李彦;何小海;唐君;娄本超;薛小明;牟云峰;李小飞;胡永宏 -专利权人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：在加速器完成氘或氘氚混合离子束的加速之后，利用扫描磁场将离子束快速均匀地展开成直线型长条束斑，展开长度超过束斑直径几十倍，然后轰击到一个移动靶上，在平行于中子靶的方向产生具有点源特性的等效出射中子束。由于扫描后束斑的位移速度快，在每个点上的停留时间短，引起的瞬态温升低。同时，靶面上轰击区域均匀展宽了几十倍，平均束流密度降低几十倍，平均温升大幅降低，靶寿命延长。
一种扫描

[发明专利]一种等效微焦靶-CN201610396770.1在审
发明人：李彦;何小海;娄本超;唐君;薛小明;牟云峰;李小飞;胡永宏 -专利权人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种等效微焦靶，所述装置在加速器将氘或氘氚混合离子束加速到额定能量后，采用四极透镜将大直径截面的束斑，在一个平行于靶表面的方向上，聚焦至所需要的微焦斑尺寸，而在其垂直方向上散焦展开到一定长度，形成扇形离子束。扇形离子束轰击到移动靶上，在平行于靶面的展开方向上，产生与微焦斑点状中子源等效的出射中子束。由于大直径截面的束斑展开成为扇形离子束，沉积在靶面上的热功率峰值密度大幅度降低，平均热功率密度也大幅度降低，靶面温升相应地大幅度降低。还可以进一步提升离子束的总功率，进而提升中子产额，达到同时缩小等效斑点尺寸和提升中子产额的目的。适合在需要具备方向性和点源特性的高产额加速器中子源上应用。
一种等效微焦靶

[实用新型]一种等效微焦靶-CN201620544866.3有效
发明人：李彦;何小海;娄本超;唐君;薛小明;牟云峰;李小飞;胡永宏 -专利权人：中国工程物理研究院核物理与化学研究所
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种等效微焦靶，所述装置在加速器将氘或氘氚混合离子束加速到额定能量后，采用四极透镜将大直径截面的束斑，在一个平行于靶表面的方向上，聚焦至所需要的微焦斑尺寸，而在其垂直方向上散焦展开到一定长度，形成扇形离子束。扇形离子束轰击到移动靶上，在平行于靶面的展开方向上，产生与微焦斑点状中子源等效的出射中子束。由于大直径截面的束斑展开成为扇形离子束，沉积在靶面上的热功率峰值密度大幅度降低，平均热功率密度也大幅度降低，靶面温升相应地大幅度降低。还可以进一步提升离子束的总功率，进而提升中子产额，达到同时缩小等效斑点尺寸和提升中子产额的目的。适合在需要具备方向性和点源特性的高产额加速器中子源上应用。
一种等效微焦靶

[发明专利]一种利用离子束加工X射线复合折射透镜的方法-CN202211128241.5在审
发明人：何玉梅;罗红心;田纳玺 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用离子束加工X射线复合折射透镜的方法，包括：根据所需的X射线复合折射透镜的厚度，选择若干基底，并根据基底尺寸和透镜参数制作掩膜；将其中一份基底作为样品，在样品上标记出采样点，并测量出各采样点的第一表面面形；使用离子源轰击采样点，并测量轰击后的各采样点的第二表面面形；根据第一表面面形和第二表面面形，获取修形驻留时间；将待加工基底与掩膜紧密贴合，安装在样品台上，并利用电动平移台带动离子源在竖直方向移动以使离子源与待加工基底相距一预设距离；根据修形驻留时间，利用加工离子束对所述待加工基底上的不同位置进行轰击，获取一系列平凹单折射透镜；制作出最终的X射线复合折射透镜。
一种利用离子束加工射线复合折射透镜方法

[发明专利]一种稳定同位素质谱仪离子源-CN202211409282.1在审
发明人：何俊伟;陈智;谢继红 -专利权人：成都其联科技有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01J49/14 文献下载
摘要：本发明属于质谱仪技术领域，特别涉及一种稳定同位素质谱仪离子源。其技术方案为：一种稳定同位素质谱仪离子源，包括固定底座，固定底座一侧连接有高压电极，固定底座另一侧设置有若干支撑柱，支撑柱的另一侧连接有限位座，支撑柱之间依次安装有用于轰击样品的电离室、用于校正离子束的校正单元和调整离子束宽度的狭缝单元，限位座上连接有用于调节离子束速度的加速单元，固定底座连接有腔体，腔体套设于若干支撑柱外，腔体上连接有用于向电离室输入样品的进样阀门，电离室、校正单元、狭缝单元和加速单元均与高压电极通过高压导线连接。本发明提供了一种方便调节离子束宽度和能量的稳定同位素质谱仪离子源。
一种稳定同位素质谱仪离子源

[发明专利]快速减薄透射电镜样品的轰击反应方法-CN200510011289.8无效
发明人：韩勇;魏然;李池 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明属于高能离子束加工领域，特别涉及采用轰击反应法快速减薄透射电镜样品技术。本发明的方法采用高能离子束喷溅减薄样品表面，高能离子与样品表面原子发生碰撞与反应，使样品减薄均匀，速度快、薄区大(几十～几百微米范围)，利于进行透射电子显微镜直接观察其内部结构信息。本发明特点是兼备轰击减薄与反应减薄的双重作用，减薄样品无应力无机械损伤，减薄样品时速度快、效率高，制备出的减薄样品质量高。
快速透射样品轰击反应方法

[实用新型]双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备-CN200420068277.X无效
发明人：雷卫武 -专利权人：雷卫武
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型为一种双离子束共溅射淀积原子层纳米薄膜设备。利用甚低能量的离子在靶材上的动能转换，将靶材原子搬迁出来并在附近的衬底上生长单原子纳米膜或微米膜。同时利用另一离子束在淀积前对靶材或衬底材料进行原位轰击，实现表面材料的原子级清洗；或者轰击正在淀积的薄膜，原位改善薄膜的机械特性和电特性。
离子束溅射原子纳米薄膜设备

[实用新型]一种低雾度红外截止滤光片-CN201721178359.3有效
发明人：李智超;付勇;焦涛涛;孙波;张昊 -专利权人：利达光电股份有限公司
申请日： 2017-09-14 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G02B5/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低雾度红外截止滤光片，所述低雾度红外截止滤光片包括基板和设于所述基板表面的复合膜层，所述基板为玻璃基板，所述复合膜层通过交替叠合的高折射率材料层和低折射率材料层制成，通过选取形状规整的玻璃基板，采用超声波、离心甩干机、离子源分别对玻璃基板进行清洗、烘干及清扫后开始镀膜，镀膜时采用电子束加热蒸发，在膜层沉积过程离子束不断轰击辅助镀膜，该膜层在停止沉积时，关闭离子源挡板，此时会有特定能量的离子束继续轰击膜层，直到下一膜层开始沉积。
一种低雾度红外截止滤光

[发明专利]在医用不锈钢上制备钛陶瓷纳米膜的方法-CN200510016298.6无效
发明人：赵杰;李立 -专利权人：天津师范大学
申请日： 2005-03-15 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：先对医用不锈钢基材进行预处理，沉积前，将抛光清洗好的医用不锈钢放入IBAD设备的水冷可旋转样品台上，抽真空后，先用1keV氮离子束进行溅射清洗15分钟后，再用3keV、80mA的Ar⁺离子溅射Ti靶，并在用3keV、80mA的Ar⁺离子溅射Ti靶的同时，先用4－60keV、束流：2－10mA的高能离子束轰击，作用时间：10－20分钟，再用50－350eV、束流：10－30mA的低能离子束轰击，作用时间为60－180分钟进行辅助沉积，沉积过程中样品台始终保持自转，制备中本底真空度优于1×10^－3Pa，工作时氮气分压为8×10^－3
医用不锈钢制备陶瓷纳米方法

[实用新型]一种靶的屏蔽与抽气结构-CN202320523730.4有效
发明人：钱玉忠;陶鑫;梁立振;吴亮亮;王宾;胡纯栋 -专利权人：合肥综合性国家科学中心能源研究院（安徽省能源实验室）
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H05H6/00 文献下载
摘要：所述引出电极头部开设有离子束引出孔，使离子束能轰击到所述靶的中心。所述引出电极内层筒用于屏蔽二次电子的溅射。所述磁铁连接于引出电极外层筒的外侧筒身，用于添加磁场来对离子进行约束。引出电极外层筒设置于所述内层筒的底脚上，且与所述引出电极内层筒身之间设置有一定间距，使在对二次电子的屏蔽的同时能抽取引出因离子束轰击靶产生的杂质气体。
一种屏蔽结构

[发明专利]一种在材料表面制备疏水薄膜的方法-CN201010299440.3有效
发明人：马国佳;孙刚;张林;马贺;刘星;武洪臣 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：其特征在于，利用高能离子束对基体材料进行轰击以产生无规则的微纳突起结构，并利用离子注入技术形成过渡层，最后进行化学气相沉积或反应磁控溅射形成疏水薄膜，制备的步骤如下：清洗基体材料表面；通过高能离子束轰击使基体材料表面产生微纳突起结构；离子注入形成过渡层；化学气相沉积或反应磁控溅射形成疏水薄膜。
一种材料表面制备疏水薄膜方法