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[发明专利]碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块-CN201110000519.6有效
发明人：丁荣军;罗海辉;雷云;李继鲁;吴煜东;刘国友;彭勇殿;张明;温家良;金锐 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司;中国电力科学研究院
申请日： 2011-01-04 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
碳化硅功率模块封装方法

[实用新型]一种基于Hiset基板的碳化硅智能功率模组-CN202220179651.1有效
发明人：李秉纬;张焕云 -专利权人：深圳市思米半导体有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本申请实施例属于半导体领域，涉及一种基于Hiset基板的碳化硅智能功率模组。包括Hiset基板、引脚框架、碳化硅功率模组以及用于驱动碳化硅功率模组的驱动芯片组；引脚框架的功率侧设置在Hiset基板上，引脚框架的信号侧局部分开设置在Hiset基板的一侧，且与Hiset基板间隔设置碳化硅功率模组设置在引脚框架的功率侧上；驱动芯片组包括输入级芯片、隔离变压器芯片以及输出级芯片；输入级芯片、隔离变压器芯片以及输出级芯片分开设置在引脚框架的信号侧上；隔离变压器芯片连接于输入级芯片和输出级芯片之间；输出级芯片的输出端口与碳化硅功率模组电连接
一种基于 hiset 碳化硅智能功率模组

[发明专利]一种基于碳化硅衬底的LED照明结构-CN201610276450.2有效
发明人：谢文浩;王华;黄映仪;张剑平 -专利权人：佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：一种基于碳化硅衬底的LED照明结构，包括：由碳化硅衬底封装的芯片组件和LED结构组件；所述芯片组件包括碳化硅衬底、设于碳化硅衬底下方的N电极、生长于碳化硅衬底的外延层以及设于外延层上的P电极；所述外延层包括通过以碳化硅为衬底的复合结构设置使LED灯亮度增强，同时保证了其稳定性和发光质量，提高了使用时间。
一种基于碳化硅衬底 led 照明结构

[发明专利]一种碳化硅功率器件芯片键合方法-CN201910282555.2在审
发明人：夏国峰;尤显平 -专利权人：重庆三峡学院;夏国峰
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件芯片键合方法，属于微电子封装技术领域。本发明的键合方法包括：在碳化硅功率器件晶圆的无源面和基板面板上分别依次配置阻挡层和粘接层；将纳米银焊膏以均匀厚度分别印刷在碳化硅功率器件晶圆和基板面板的粘接层上，进行无压烧结形成银烧结层；对银烧结层进行氧化处理和抛光处理；切割形成分离的碳化硅功率器件芯片和基板；采用表面贴装方式将碳化硅功率器件芯片上的银烧结层面对面配置于基板上的银烧结层上，进行热压键合，实现碳化硅功率器件芯片键合连接。
碳化硅功率器件烧结层芯片键合基板面板粘接层基板晶圆微电子封装技术芯片表面贴装高可靠性抛光处理热压键合无压烧结氧化处理高产率纳米银无源面阻挡层焊膏键合良率配置切割印刷

[实用新型]一种散热型碳化硅肖特基二极管-CN202023265056.X有效
发明人：邓常春 -专利权人：东莞市佳骏电子科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种散热型碳化硅肖特基二极管，包括上壳体、下壳体、碳化硅肖特基芯片、第一引脚、第二引脚，所述下壳体上端镀有一层铜箔层，所述碳化硅肖特基芯片位于所述铜箔层一端上侧，所述铜箔层另一端上侧与所述第一引脚相抵触，所述碳化硅肖特基芯片上端与所述第二引脚上端连接有金线，所述下壳体上端设有第一凹槽，所述第一凹槽内固定有导热板，所述下壳体下端设有第二凹槽，所述第二凹槽内固定有散热片，所述散热片位于所述碳化硅肖特基芯片下侧本实用新型的碳化硅肖特基二极管，适用于充电桩、光伏电站、汽车电子等电路中，散热性能优异。
一种散热碳化硅肖特基二极管

[实用新型]一种碳化硅芯片在TO-220中的封装结构-CN202020512575.2有效
发明人：梅宇峰 -专利权人：品捷电子（苏州）有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅芯片在TO‑220中的封装结构，包括一TO‑220框架，所述TO‑220框架的装片基岛上设置有若干的排气槽，所述装片基岛的正中间设置有碳化硅芯片，所述碳化硅芯片的焊线区通过一对铝线连接所述TO‑220框架的引脚形成一个电极，本实用新型借助于高温焊料将碳化硅芯片和所述装片基岛一次性烧结完成，使所有的焊盘电极完整结合。使碳化硅芯片更有效的提高散热，提高产品功率。
一种碳化硅芯片 to 220 中的封装结构

[发明专利]一种碳化硅MOSFET串扰抑制驱动电路-CN202210758487.4在审
发明人：孙晖 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子驱动技术领域，具体涉及一种碳化硅MOSFET串扰抑制驱动电路；包括DSP控制模块、集成驱动芯片、供电电源以及碳化硅MOS管Q1的驱动电路，DSP控制模块与供电电源连接，供电电源与集成驱动芯片连接，集成驱动芯片与碳化硅MOS管Q1的驱动电路连接，碳化硅MOSFET串扰抑制驱动电路由DSP控制模块提供PWM脉冲信号，并由供电电源给驱动集成芯片供电，PWM脉冲信号经过集成驱动芯片，通过碳化硅MOS管Q1的驱动电路来控制碳化硅MOSFET的开通和关断；本发明使用二次隔离栅极驱动信号作为辅助电路的触发源，不需要额外的控制信号和电源，通过改变栅极电压并在负向串扰电压发生之前将其钳位至0V，避免了传统钳位二极管法的低动态响应问题
一种碳化硅 mosfet 抑制驱动电路

[实用新型]一种使用碳化硅基板无导线封装白光LED-CN201520886568.8有效
发明人：莫宜颖;左小波 -专利权人：江西众光照明科技有限公司
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种使用碳化硅基板无导线封装白光LED，包括碳化硅基板和倒装芯片，碳化硅基板上具有功能区，碳化硅基板的功能区内设有二个以上的镀银固晶区，在每一镀银固晶区上设有倒装芯片，倒装芯片通过高温锡膏连接在镀银固晶区上；在碳化硅基板上位于功能区外设有围坝，在围坝内设有封装倒装芯片的荧光胶层。
一种使用碳化硅基板无导线封装白光 led

[发明专利]一种碳化硅功率模块、器件及其老化状态识别方法-CN202110070059.8有效
发明人：兰欣;朱士伟;于功山;王兴华;刘祥龙;谢国芳;吴平 -专利权人：元山（济南）电子科技有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳化硅功率模块、器件及其老化状态识别方法，用以解决现有的考察碳化硅功率模块老化状态的方法不能实时反映碳化硅功率模块老化状态的技术问题。模块包括：覆铜陶瓷基板、铜基板、焊料层、MOS芯片以及预设数量的热电偶；焊料层与覆铜陶瓷基板复合，且覆铜陶瓷基板的中心位置固定有热电偶；MOS芯片固定于覆铜陶瓷基板上，且MOS芯片对应的铜基板底部位置固定有热电偶识别方法包括：实时获取碳化硅功率模块上预设数量的热电偶分别对应的温度值，以确定温度分布矩阵；确定碳化硅功率模块对应的热阻值；通过预存的热阻值与老化状态关系，确定碳化硅功率模块的老化状态。本申请通过上述方法可以实时反映碳化硅功率模块的老化状态。
一种碳化硅功率模块器件及其老化状态识别方法

[发明专利]一种压力传感器芯片及制造方法-CN202310630028.2在审
发明人：官威;胡振朋;张作然 -专利权人：武汉中航传感技术有限责任公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请属于压力传感器技术领域，具体涉及一种压力传感器芯片，主要包括n型单晶硅衬底、二氧化硅氧化层、n型碳化硅敏感电阻、金属电极和金属导线。其中，二氧化硅氧化层位于衬底正面，n型碳化硅敏感电阻位于二氧化硅氧化层正面，金属电极和金属导线均位于所述二氧化硅氧化层正面，金属导线与n型碳化硅敏感电阻和金属电极电性连接。上述压力传感器芯片通过使用碳化硅作为敏感电阻，利用碳化硅压阻的优越性能，使得压力传感器芯片能够在高温、高辐射环境下稳定运行；同时，结合使用单晶硅衬底，单晶硅衬底的加工工艺更加成熟和简单，成本也低廉，适合大批量生产，解决了现有碳化硅压力传感器芯片制造成本高的问题。
一种压力传感器芯片制造方法

[实用新型]一种压力传感器芯片-CN202321343308.7有效
发明人：官威;胡振朋;张作然 -专利权人：武汉中航传感技术有限责任公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本申请属于压力传感器技术领域，具体涉及一种压力传感器芯片，主要包括n型单晶硅衬底、二氧化硅氧化层、n型碳化硅敏感电阻、金属电极和金属导线。其中，二氧化硅氧化层位于衬底正面，n型碳化硅敏感电阻位于二氧化硅氧化层正面，金属电极和金属导线均位于所述二氧化硅氧化层正面，金属导线与n型碳化硅敏感电阻和金属电极电性连接。上述压力传感器芯片通过使用碳化硅作为敏感电阻，利用碳化硅压阻的优越性能，使得压力传感器芯片能够在高温、高辐射环境下稳定运行；同时，结合使用单晶硅衬底，单晶硅衬底的加工工艺更加成熟和简单，成本也低廉，适合大批量生产，解决了现有碳化硅压力传感器芯片制造成本高的问题。
一种压力传感器芯片

[发明专利]一种碳化硅功率器件芯片与引线框架键合方法-CN202110398059.0有效
发明人：揭丽平;孙军;喻双柏;和巍巍;汪之涵 -专利权人：深圳基本半导体有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅功率器件芯片与引线框架键合方法。该方法通过在碳化硅功率器件芯片上通过点胶的方式涂抹银膏；对涂抹有银膏的碳化硅功率器件芯片进行烘烤处理，以使得所述银膏内的溶剂分解并挥发；在所述银膏上用于与引线框架键合之处涂抹粘接剂；放置引线框架于所述银膏上方，以使得所述引线框架在所述粘接剂的作用下与所述碳化硅功率器件芯片连接；将粘接在一起的引线框架和碳化硅功率器件芯片进行有压银烧结，并在烧结过程中分解及挥发所述粘接剂。如此，在简化工艺流程的同时增加了引线框架与芯片上表面银烧结的可靠性和可行性。
一种碳化硅功率器件芯片引线框架方法

[发明专利]一种可开帽碳化硅功率器件封装外壳-CN202110765237.9在审
发明人：宋庆文;刘科宇;袁昊;汤晓燕;韩超;吴勇;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可开帽碳化硅功率器件封装外壳，包括：下基板、正极电极、正极引线、负极电极和上基板；下基板的表面上设置有碳化硅芯片；正极电极，为网格状结构，设置在碳化硅芯片的表面上，与正极引线和碳化硅芯片电连接；负极电极，设置在下基板上，与碳化硅芯片电连接；上基板，覆盖在正极电极上，且上侧与下基板的上侧铰接，下侧与下基板的下侧可拆卸地固定连接。
一种可开帽碳化硅功率器件封装外壳

[实用新型]一种可开帽碳化硅功率器件封装外壳-CN202121533527.2有效
发明人：宋庆文;刘科宇;袁昊;汤晓燕;韩超;吴勇;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可开帽碳化硅功率器件封装外壳，包括：下基板、正极电极、正极引线、负极电极和上基板；下基板的表面上设置有碳化硅芯片；正极电极，为网格状结构，设置在碳化硅芯片的表面上，与正极引线和碳化硅芯片电连接；负极电极，设置在下基板上，与碳化硅芯片电连接；上基板，覆盖在正极电极上，且上侧与下基板的上侧铰接，下侧与下基板的下侧可拆卸地固定连接。
一种可开帽碳化硅功率器件封装外壳

[实用新型]一种基于MEMS的高频响耐高温碳化硅感压元件-CN202220298741.2有效
发明人：顾天刚;李悦;范传东 -专利权人：江苏奥力威传感高科股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01L11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于MEMS的高频响耐高温碳化硅感压元件，包括碳化硅感压结构、可伐引脚和绝缘基座；碳化硅感压结构包括碳化硅芯片和碳化硅杯，碳化硅杯内设置有导电烧结体；碳化硅感压结构下方设置有绝缘烧结体，碳化硅感压结构通过导电烧结体和绝缘烧结体与绝缘基座相连接；绝缘基座下方连接有转接端子，绝缘基座外柱面与转接端子外柱面连接有金属管壳。本实用新型采用碳化硅感压结构能够有效提高传感器的高温稳定性和可靠性，同时通过绝缘烧结体和导电烧结体将碳化硅感压结构和绝缘基座相连接，有效的保证了感压元件输出稳定性，提高了元件的性能。
一种基于 mems 高频耐高温碳化硅元件