|
钻瓜专利网为您找到相关结果 640858个,建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]碳化硅单晶生长装置-CN202010987523.5在审
-
裴悠松;徐洙莹;李钟海
-
山东国晶电子科技有限公司
-
2020-09-18
-
2020-12-25
-
C30B23/00
- 本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置,包括:用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚,所述坩埚外周包裹有隔热层,所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区;在所述的碳化硅原料区,坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽,碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道;在所述的碳化硅单晶生长区,坩埚内腔中设置有石墨管,石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接,碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中,石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室;经加热,升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
- 碳化硅生长装置
- [发明专利]一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法-CN202210113833.3在审
-
闫春泽;王长顺;刘桂宙;杨潇;史玉升
-
华中科技大学
-
2022-01-30
-
2022-05-13
-
C04B38/06
- 本发明属于铝基碳化硅复合材料相关技术领域,其公开了一种铝基碳化硅复合材料及其制备方法,步骤如下:(1)将碳化硅复合材料坯体进行固化,以获得多孔碳化硅/碳坯体;(2)将多孔碳化硅/碳坯体进行反应烧结;(3)将多孔碳化硅坯体进行碳化硅增密处理,使得多孔碳化硅坯体的孔隙率在预定范围内,以获得多孔碳化硅预制体;(4)将多孔碳化硅预制体进行溶胶凝胶界面改性;(5)将改性后的多孔碳化硅预制体进行铝合金浸渗,多孔碳化硅预制体内部的孔隙被铝合金液填充,以获得预定铝合金体积分数的铝基碳化硅复合材料。通过此方法可以获得碳化硅‑铝体积分数可调、结构复杂度可控、尺寸大小符合需求的铝基碳化硅构件,具有广泛的应用前景。
- 一种碳化硅复合材料及其制备方法
- [发明专利]一种低损耗的碳化硅晶圆切片方法-CN202210758478.5在审
-
严立巍;朱亦峰
-
浙江同芯祺科技有限公司
-
2022-06-29
-
2022-11-15
-
B23K26/38
- 本发明涉及碳化硅晶圆加工技术领域,具体的是一种低损耗的碳化硅晶圆切片方法,本发明包括以下步骤:S1、取一个厚度为3.5‑6cm的碳化硅晶锭,采用激光切割,切割成厚度为825‑4000μm的碳化硅晶柱;S2、对步骤S1中得到的碳化硅晶柱,采用激光隐形切割,在碳化硅上形成裂纹,在碳化硅晶柱上形成厚度为80‑200μm的碳化硅薄片和厚度为625‑3920μm的碳化硅厚片,然后在碳化硅薄片上涂布黏着剂,切片时,每次只产生打磨的损耗,对碳化硅切片时产生的损耗更小,对于每1000μm的碳化硅晶柱,能够分离出6个碳化硅薄片,比传统的多线切割技术不但能够分离出更多的碳化硅薄片,而且所产生的损耗更小,有效的降低碳化硅晶圆的加工成本
- 一种损耗碳化硅切片方法
- [实用新型]一种换热管-CN201220477503.4有效
-
王家邦;吉国青;郭森;安霓虹
-
王家邦;吉国青;郭森;安霓虹
-
2012-09-19
-
2013-03-06
-
F28F1/08
- 本实用新型适用于换热设备技术领域,提供了一种换热管,所述换热管设有包括碳化硅外管和碳化硅内管的双层封闭套管结构,所述碳化硅外管设有出气口,所述碳化硅内管设有进气口,所述碳化硅内管穿过所述碳化硅外管的顶端并设有内管延伸机构,所述进气口设置在所述延伸机构的末端,所述碳化硅外管在所述出气口位置的下端设有隔离机构,所述隔离机构将所述碳化硅外管分为碳化硅外管上段和碳化硅外管下段,所述碳化硅外管下段的下端部和碳化硅内管的下端部形成一热交换空腔本实用新型提供的换热管设有包括碳化硅外管和碳化硅内管的双层封闭套管结构,碳化硅材料提高了换热管的换热效率,并提高换热管的使用寿命。
- 一种热管
- [实用新型]碳化硅单晶生长装置-CN202022053597.X有效
-
裴悠松;徐洙莹;李钟海
-
山东国晶电子科技有限公司
-
2020-09-18
-
2021-06-25
-
C30B23/00
- 本发明公开了一种碳化硅单晶生长装置,包括:用于容纳碳化硅原料和碳化硅籽晶的坩埚,所述坩埚外周包裹有隔热层,所述坩埚包括上部的碳化硅原料区和下部的碳化硅单晶生长区;在所述的碳化硅原料区,坩埚内外壁之间设置有开口向上的碳化硅原料槽,碳化硅原料槽内侧槽壁上端与坩埚上端内壁形成石墨通道;在所述的碳化硅单晶生长区,坩埚内腔中设置有石墨管,石墨管的管壁上端与碳化硅原料区的坩埚内壁下端无缝对接,碳化硅籽晶位于坩埚底部且位于石墨管的内腔中,石墨管的内腔构成碳化硅单晶生长室;经加热,升华的碳化硅原料通过石墨通道沿重力方向移动至碳化硅单晶生长室。本发明提供缩短工艺时间和降低成本的方式制造高品质碳化硅晶的装置。
- 碳化硅生长装置
- [实用新型]一种导热性能好的碳化硅板-CN202222270536.8有效
-
许彬粱
-
杭州兆昱科技有限公司
-
2022-08-24
-
2022-12-06
-
F27D5/00
- 本实用新型公开了一种导热性能好的碳化硅板,包括碳化硅板组件和碳化硅板框体一,碳化硅板组件包括碳化硅板框体二,碳化硅板框体一的一端面固定设置有水箱,碳化硅板框体二固定在碳化硅板框体一远离水箱的一端面,碳化硅板框体二的侧面对称开设有若干个凹槽一,凹槽一底面固定设置有弹簧一,弹簧一的上端面固定设置有碳化硅板二,碳化硅板框体二的表面固定设置有弧形碳化硅板一,弧形碳化硅板一的表面环形阵列开设有通孔一,碳化硅板框体二的内表面对称固定设置有若干个弹簧二本实用新型能够加大碳化硅版底部的热量传递效率,可以使得上方得陶瓷件烧制得更加美观。
- 一种导热性能碳化硅
|