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[实用新型]一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管-CN202121600638.0有效
发明人：刘建军 -专利权人：东莞市佳骏电子科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L23/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种结构紧凑的碳化硅肖特基二极管，包括塑封外壳，所述塑封外壳内设有第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片，所述第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片、第三碳化硅芯片呈倒“品”字形结构设置本实用新型的碳化硅肖特基二极管，将三个碳化硅芯片设计成倒“品”字形结构摆放，减小了碳化硅肖特基二极管的体积，结构紧凑，有利于当今电子设备的轻薄化发展趋势。
一种结构紧凑碳化硅肖特基二极管

[发明专利]一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块化封装方法-CN201710954332.7在审
发明人：梅云辉;谢宜静;付善灿;陆国权;李欣 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅MOS器件的模块及封装方法；由功率端子、上DBC基板、下DBC基板、纳米银焊膏、缓冲层、n对碳化硅FRED芯片和碳化硅MOS芯片、栅极电阻、粗铝丝、硅凝胶和模制树脂组成；分别将碳化硅MOS芯片下表面、碳化硅FRED芯片下表面以及缓冲层的下表面平行并联在下DBC基板；同样上DBC基板进行同样的连接；将碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片的上表面与上DBC基板的缓冲层上表面相连，同样的，下DBC基板的缓冲层与上DBC基板的碳化硅MOS芯片和碳化硅FRED芯片相互连接。功率芯片和缓冲层与DBC基板的连接均采用纳米银焊膏，具有烧结温度低、熔点高和热导率高优点。
一种基于纳米银焊膏双面互连碳化硅 mos 器件模块化封装方法

[发明专利]一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备-CN202310487251.6在审
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构通过形成多个等同过流能力的碳化硅mos单元，减少碳化硅MOS芯片完全失效的可能性。
一种碳化硅 mos 芯片电路板组件电子设备

[实用新型]一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备-CN202321027236.5有效
发明人：张爱忠 -专利权人：深圳市至信微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请提出一种碳化硅MOS芯片、电路板组件和电子设备，碳化硅MOS芯片包括多个碳化硅mos单元；对于每个所述碳化硅mos单元，所述碳化硅mos单元包括漏极金属层、N型衬底层、N型外延层、栅极部、源极金属层以及终端结构通过形成多个等同过流能力的碳化硅mos单元，减少碳化硅MOS芯片完全失效的可能性。
一种碳化硅 mos 芯片电路板组件电子设备

[发明专利]一种基于碳化硅模块并联的双推挽驱动电路及电机控制器-CN202211604416.5在审
发明人：邓中魁;张兴林;张志强;吴小萍;郑富辉;于海生;林霄喆 -专利权人：无锡星驱动力科技有限公司;无锡星驱科技有限公司;浙江吉利控股集团有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于碳化硅模块并联的双推挽驱动电路及电机控制器，涉及电机控制器技术领域。所述双推挽驱动电路包括驱动芯片、第一推挽驱动电路、第一碳化硅模块、第二推挽驱动电路和第二碳化硅模块，驱动芯片通过第一推挽驱动电路与第一碳化硅模块连接，驱动芯片还通过第二推挽驱动电路与第二碳化硅模块连接；驱动芯片用于控制第一碳化硅模块和第二碳化硅模块同步开通或关断。本发明可以保证驱动PWM信号的一致性，避免因为驱动芯片差异产生延时等问题，同时能够降低第一碳化硅模块和第二碳化硅模块之间的相互干扰；可以通过驱动芯片控制第一碳化硅模块和第二碳化硅模块同步开通或关断，避免因不同时间开通或关断而带来的动态不均流问题
一种基于碳化硅模块并联双推挽驱动电路电机控制器

[发明专利]一种高频大功率碳化硅MOSFET模块-CN201410033879.X在审
发明人：刘志宏 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：一种高频大功率碳化硅MOSFET模块，它包括散热基板、壳体，封装于壳体内的电路结构，壳体包括外壳和盖于外壳上的外盖，电路结构包括功率端子、信号端子、绝缘陶瓷基板、碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片；所述绝缘陶瓷基板通过高温回流焊接到散热基板上，在绝缘陶瓷基板上焊接有碳化硅mosfet芯片和碳化硅SBD芯片，碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片与绝缘陶瓷基板上刻蚀的电路结构连接起来，并通过铝线将碳化硅mosfet芯片、碳化硅SBD芯片相互之间连接起来，至少三个功率端子焊接在绝缘陶瓷基板的对应位置上；它可应用于开关频率超过500kHz、输出功率超过100kW应用领域。
一种高频大功率碳化硅 mosfet 模块

[发明专利]一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺-CN201710067063.2有效
发明人：孙锦洋 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造工艺技术领域，具体涉及一种不易变形的碳化硅基芯片背面工艺，包括以下步骤：S1、在完成正面工艺的碳化硅基芯片正面旋涂或喷淋粘胶剂；S2、将碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者将碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行键合；S3、对键合好的碳化硅基芯片完成后续背面工艺；S4、将完成后续背面工艺的碳化硅基芯片与高硼硅玻璃衬底或者碳化硅基芯片与硅酸硼玻璃衬底进行分离。本发明使用和碳化硅热膨胀系数相近的高硼硅玻璃衬底或硅酸硼玻璃衬底作为临时键合载片，不仅对减薄后的碳化硅基芯片提供支撑和保护，更能在高温工艺后不增加翘曲度，从而可以精确控制碳化硅基芯片减薄后的最终厚度和均匀度
一种不易变形碳化硅芯片背面工艺

[实用新型]一种大功率散热型碳化硅二极管-CN202222192607.7有效
发明人：张锦鹏 -专利权人：互创（东莞）电子科技有限公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅二极管技术领域，具体涉及一种大功率散热型碳化硅二极管，包括：封装体、碳化硅芯片、金属翅片散热结构、金属翅片管散热结构和石墨散热层，封装体内设置有芯片安装槽，碳化硅芯片安装在芯片安装槽内，碳化硅芯片的外径面覆盖有石墨散热层，芯片安装槽的底部和顶部设置有金属翅片散热结构，封装体的正面等间距设置有金属翅片管散热结构。在碳化硅二极管的底部设置散热进风口，在碳化硅二极管的顶面设置散热出风口，利用热阻率低的材质将碳化硅芯片中的热量导出通过进风口和出风口的配合，实现部分散热。同时在碳化硅芯片周向面设置有石墨散热层，利用石墨散热层导热同时隔绝碳化硅芯片与导热金属件之间的直接接触。
一种大功率散热碳化硅二极管

[发明专利]一种多碳化硅芯片并联的模块-CN202111247020.5在审
发明人：庄伟东;成浩;赵冲 -专利权人：南京银茂微电子制造有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅模块领域，公开了一种多碳化硅芯片并联的模块，其技术方案要点是包括铜底板，所述铜底板上方连接有覆铜基板，所述覆铜基板上设置有芯片、键合线、正极功率端子、负极功率端子和交流输出端子，其特征是：所述芯片包括若干碳化硅芯片和附带的续流二极管，对应连接的所述碳化硅芯片和续流二极管形成碳化硅芯片组，所有的碳化硅芯片组形成半桥型模块，所述半桥型模块包括上桥臂和下桥臂，上桥臂中碳化硅芯片组间的键合线与下桥臂中碳化硅芯片组间的键合线的角度为
一种碳化硅芯片并联模块

[实用新型]一种碳化硅芯片加工用运输装置-CN202121528105.6有效
发明人：尹其言;张旭文 -专利权人：湖南钛芯电子科技有限公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅芯片加工用运输装置，包括运输板、规正夹持机构、驱动机构和散热机构，所述运输板上端开设有若干个用于放置碳化硅芯片的放置槽，所述放置槽侧壁内部开设有安装腔室，本实用新型利用夹持板对放置槽内部的碳化硅芯片进行夹持固定，同时利用夹持板对碳化硅芯片的位置进行调整，使碳化硅芯片的中心位置与放置槽底部中心位置在同一竖直直线上，便于封装测试设备与碳化硅芯片快速准确连接，本实用新型利用电机带动所有的转动筒转动，且使所有的转动筒转动速度相同，从而使夹持板对放置槽内部的碳化硅芯片进行规正，本实用新型利用散热框和导热杆对放置槽底部的碳化硅芯片进行散热。
一种碳化硅芯片工用运输装置

[发明专利]双向耐压碳化硅固态开关-CN201510596863.4有效
发明人：代刚;张健;李俊焘;徐星亮;张林;肖承全;周阳 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向耐压碳化硅固态开关，包括碳化硅芯片、转接板、定位板、键合层，碳化硅芯片包括碳化硅上芯片与碳化硅下芯片，转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱，定位板包括上定位板和下定位板，键合层包括上键合层和下键合层；碳化硅上芯片、上定位板通过上键合层与转接板上表面连接，碳化硅下芯片、下定位板通过下键合层与转接板下表面连接；转接板的中间内嵌有若干个纵向贯穿转接板的互联金属柱，通过互联金属柱实现电学互联；本发明可以在可靠、有效且工艺简单的前提下同时实现开关的有效关断与双向耐压，其体积与通常的碳化硅芯片相当，并采用常用的碳化硅器件与封装工艺，加工不存在挑战性的难题。
双向耐压碳化硅固态开关

[实用新型]一种碳化硅二极管-CN202222845343.0有效
发明人：李小芹;燕云峰;江小芬;王小磊;肖贵明;李小红 -专利权人：东莞市纽航电子有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种碳化硅二极管，其包括底部设置的底座，底座一侧设置的碳化硅芯片，碳化硅芯片一侧中部嵌入设置的N型硅层，N型硅层一侧中部嵌入设置的PN结以及PN结一侧设置的阳极引线，还包括缓冲层，所述碳化硅芯片与底座和N型硅层之间均设置有缓冲层；所述缓冲层包括过渡金属层、凹槽、陶瓷垫片、X型陶瓷架和凸块，过渡金属层分别设置在底座的顶部和N型硅层的底部，碳化硅芯片底部的过渡金属层和碳化硅芯片顶部的过渡金属层上均设置有陶瓷垫片，陶瓷垫片的内部设置有X型陶瓷架，碳化硅芯片的顶端和底部对应X型陶瓷架的外侧设置有凸块，本实用新型结构新颖，构思巧妙，可对碳化硅芯片进行防护，在热膨胀时避免碳化硅芯片损坏，有利于使用。
一种碳化硅二极管

[实用新型]一种碳化硅芯片封装结构-CN202321357153.2有效
发明人：廖弘昌;钱进;刘振东;田亚南;陈晓林 -专利权人：日月新半导体（威海）有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅芯片封装结构，包括第一芯片、芯片基座和封装外壳，所述第一芯片底端对接有芯片基座，且芯片基座顶端对接有第二芯片，并且芯片基座外壁套接有封装外壳，所述芯片基座底端对接有印制板。该碳化硅芯片封装结构使用时，通过固定机构对芯片基座和封装外壳进行限位固定，防止碳化硅芯片在形成塑封层及后续工艺时，因外力而发生位移，继而影响碳化硅芯片的性能，从而起到便于限位固定的作用，且通过连接机构在不改变碳化硅芯片封装结构尺寸的情况下，延长了连接导线长度，继而方便人们连接芯片，提升芯片性能，从而在碳化硅芯片封装结构使用过程中，起到便于提升性能的作用。
一种碳化硅芯片封装结构

[实用新型]一种小型碳化硅航空压力传感器-CN202220298686.7有效
发明人：顾天刚;李悦;范传东 -专利权人：江苏奥力威传感高科股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种小型碳化硅航空压力传感器，包括压力芯片和封装结构，封装结构包括金属盖端和金属壳体，压力芯片封装在金属盖端，压力芯片包括碳化硅敏感结构和碳化硅杯，碳化硅敏感结构与碳化硅杯键合形成真空腔体；碳化硅敏感结构包括碳化硅基底，碳化硅基底上设置有P型外延层，P型外延层上设置有N型压阻，N型压阻上设置有钝化层，钝化层上设置有金属电极；碳化硅基底背面刻蚀有敏感膜片；金属电极通过金属玻璃烧结体与金属壳体内的金属引线相连接本实用新型通过碳化硅芯片与碳化硅杯键合，保证了良好的键合强度并且键合后具有良好的高温稳定性，通过无引线封装技术，保证了传感器体积小、质量轻、耐高温和灵敏度度高的特点。
一种小型碳化硅航空压力传感器

[发明专利]用于快速筛选/评价AOP氧化剂的碳化硅微通道阵列芯片及制造和使用方法-CN202310350308.8在审
发明人：齐元峰;薛佳雯;权笑;畑俊充;郗斐;江波;施雪卿;李一凡 -专利权人：青岛理工大学;浙江坚膜科技有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于快速筛选/评价AOP氧化剂的碳化硅微通道阵列芯片及制造和使用方法，该芯片包括石英玻璃层、导电衬层和碳化硅工作层，碳化硅工作层的表面设置有单向微通道，在碳化硅工作层的上下两侧和左右两端除单向微通道及其出入口外设置有封装导流层，石英玻璃层设置于碳化硅工作层两侧用于夹持碳化硅工作层，导电衬层设置于碳化硅工作层和石英玻璃层之间，用于为碳化硅工作层提供电流，沿着碳化硅工作层两侧通过导线将导电衬层和碳化硅工作层连接为一体。本发明还提供上述芯片的制备和使用方法。本发明的芯片能够最大程度降低系统误差和人员操作误差，使得氧化剂的筛选和评价过程更为客观。
用于快速筛选评价 aop 氧化剂碳化硅通道阵列芯片制造使用方法

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