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[实用新型]一种IGBT模组的双脉冲测试电路-CN202223223713.3有效
发明人：梅逸君 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提供一种IGBT模组的双脉冲测试电路，涉及电力电子学技术领域，包括：IGBT模组包括并联的第一模组和第二模组，第一模组和第二模组分别包括并联的多个测试单元；则双脉冲测试电路包括：第一开关组，包括多个第一开关模块，分别连接第一模组的各测试单元；第二开关组，包括多个第二开关模块，分别连接第二模组的各测试单元；直流电源的正极分别连接第一开关和第二开关，直流电源的负极连接第三开关；第四开关连接第三开关第二开关和第五开关；负载电感连接第六开关和第七开关，第六开关连接第一开关，第七开关连接第三开关，负载电感分别连接各第一开关模块和各第二开关模块。有益效果是提高测试效率的同时，提供测试的一致性。
一种 igbt 模组脉冲测试电路

[实用新型]一种功率模块的连接端子-CN202223210040.8有效
发明人：胡佳佳;姚礼军;沈华 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率模块的连接端子，纵向依次连接的焊接底座、第一连接杆、第二连接杆以及焊接头部；其中第一连接杆从下至上依次设置有若干通孔，在每个通孔的横向侧设有连通第一连接杆的侧壁的横向间隙；其中，焊接头部为长条形。本实用新型的连接端子便于模块功率极和信号极输出矩阵化设计，大大减少功率模块体积，提高功率模块单位功率密度，降低功率模块成本；并在功率模块安装使用时，便于和外接PCB板连接，方便快捷。
一种功率模块连接端子

[实用新型]一种功率半导体模块阻焊结构-CN202223265907.X有效
发明人：熊伟 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率半导体技术领域，具体涉及一种功率半导体模块阻焊结构，包括，一基板；多个陶瓷覆铜板，设于所述基板上，所述陶瓷覆铜板与所述基板之间具备焊料层；阻焊线，设于所述基板上，所述阻焊线围合所述焊料层设置形成与所述陶瓷覆铜板数量相对应的阻焊图形线框，所述焊料层位于相对应的所述阻焊图形线框内，本实用新型通过设置阻焊线形成的阻焊图形线框，能解决传统印刷阻焊材料形成阻焊层方法中污染焊接面，阻焊层焊接过程中脱落等问题，具有无污染，阻焊线结合强度高，可靠性强优点。
一种功率半导体模块结构

[实用新型]一种用于检测半导体功率模块铜线键合点虚焊的装置-CN202223140752.7有效
发明人：俞嘉炜 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于检测半导体功率模块铜线键合点虚焊的装置，包括：检测平台、悬吊架及检测头；所述检测平台的两外侧各设置有一安装槽，所述悬吊架包括横梁以及设置在所述横梁两端的两个支脚，所述悬吊架的两个所述支脚各装入一所述安装槽内，所述检测头设置于所述横梁上并朝向所述检测平台。该装置将键合完毕的模块放置于检测平台上，通过推动待检测模块，使检测头划过铜线键合点，将虚焊的键合点拨离原位置，使得虚焊的键合点被检测出，由于检测头位置固定，所以不会损伤键合点边上的芯片。
一种用于检测半导体功率模块铜线键合点虚焊装置

[实用新型]一种功率模块的封装结构-CN202223265898.4有效
发明人：马伟力 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种功率模块的封装结构，涉及电力电子学技术领域，包括：外壳盖设于功率模块主体上；功率模块主体包括：散热基板，散热基板上连接有多个绝缘陶瓷基板，绝缘陶瓷基板为多块第一陶瓷基板和一块第二陶瓷基板；多个功率端子，各功率端子连接各第一陶瓷基板；多个信号端子，信号端子为第一信号端子和第二信号端子，第一信号端子连接第一陶瓷基板，第二信号端子连接第二陶瓷基板；外壳上开设有分别对应各功率端子的第一开孔和分别对应各信号端子的第二开孔，各信号端子和各功率端子分别对应从各第一开孔和各第二开孔露出。有益效果是相较于现有的功率模块的封装结构，其具有工艺方便、制作耗时短、性能强等优势，有效提高了模块集成度。
一种功率模块封装结构

[实用新型]一种车用功率模块-CN202223352257.2有效
发明人：王佳柱;姚礼军;刘妍柔 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种车用功率模块，涉及电子器件技术领域，包括：功率模块本体，功率模块本体的顶部设有至少一块绝缘基板，绝缘基板上设有的多个功率端子、多个信号端子、热敏电阻和芯片组；散热基板，设置于功率模块本体的底部，散热基板内集成有冷却水道；注塑外壳，包覆于功率模块本体上。有益效果是功率端子直接注塑在注塑外壳中，从而有效提高的功率端子的抗振动冲击及安装应力，提高模块可靠性。同时信号端子直接焊接在绝缘基板相应的导电铜层上，减小模块电感，缩小模块体积，提高模块集成度；注塑外壳的外侧还设置有矩形槽可增加爬电距离，其体积小且集成程度高，更适宜应用在对体积和稳定性要求严苛的新能源汽车上。
一种用功模块

[实用新型]一种功率模块测试板-CN202223223701.0有效
发明人：李恒虎;朱妍旭 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及电力电子技术领域，具体涉及一种功率模块测试板，包括，测试线路板，所述测试线路板上设有若干个测试孔；若干个针套，设于所述测试线路板上，所述针套包括针状的固定部和柱状的连接部，所述固定部设于所述测试孔内，所述连接部内设有与外部功率模块的针脚相适配的针孔，外部的所述功率模块通过所述针套与所述测试线路板可拆卸连接，本实用新型通过在测试线路板上设置针套连接功率模块，明显省去了大部分安装和拆卸的时间，避免了测试线路板板由于拆装过多导致焊盘脱落而报废的情况。
一种功率模块测试

[发明专利]一种铜带键合的车用功率模块-CN202211718390.7在审
发明人：凌曦;陈烨;姚礼军;刘志红;沈莉;俞张平;周智阳 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种铜带键合的车用功率模块，包括一壳体，壳体内设有，散热铜基板；陶瓷覆铜板，设于散热铜基板上；功率芯片，设于陶瓷覆铜板上，功率芯片正面的功率极通过银浆烧结工艺连接有铜箔，铜箔通过键合设置的铜带与陶瓷覆铜板正面的功率电路区域连接；键合电阻，功率芯片正面的信号极和键合电阻通过键合设置的金属线连接，键合电阻通过键合设置的金属线与陶瓷覆铜板正面的信号电路区域连接。本发明通过采用铜带键合的方式连接功率电路，增大了模块的过电流能力，并且有效提高了键合机械强度。
一种铜带键合用功模块

[实用新型]一种适配全自动键合机的专用键合夹具-CN202222939348.X有效
发明人：骆鹏山;高烨飞 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适配全自动键合机的专用键合夹具，其特征在于，包括：底垫块、压板、若干压爪；所述压板安装于所述底垫块的上端，所述压板上设有定位槽；若干所述压爪上设有腰孔；若干所述压爪通过螺栓和所述腰孔安装于所述压板，且若干所述压爪的爪部位于所述定位槽内。通过对本实用新型的应用，提供了一种适配全自动键合机的专用键合夹具，压板上设有不同规格的压爪，能够对不同尺寸和规格的键合品进行压紧，一种夹具能够对应多种键合品，有效的减少了生产成本，然后通过调节压板上腰孔在螺栓上的安装位置，对键合品进行压紧，使用方法简单快捷。
一种全自动键合机专用夹具

[外观设计]半导体集成模块（C5IPM定制）-CN202230767470.6有效
发明人：刘成潇 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：半导体集成模块（C5IPM定制）。2.本外观设计产品的用途：主要用于电子零部件的半导体集成模块。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
半导体集成模块 c5ipm 定制

[外观设计]水功率模块-CN202230824124.7有效
发明人：言锦春;何彬丽;姚礼军 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：水功率模块。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品主要用于汽车电子零部件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
功率模块

[发明专利]一种带散热器的双面散热功率模块-CN202211697392.2在审
发明人：言锦春;姚礼军;刘志红 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供一种带散热器的双面散热功率模块，包括：第一绝缘基板，第一面为导电层，第二面为散热层；第二绝缘基板，第一面为导电层，第二面为散热层；芯片，第一面固定连接在所述第一绝缘基板的第一表面；导电连接块，分别连接所述芯片的第二面和所述第二绝缘基板的第一面；水冷散热基板，固定连接在所述第二绝缘基板的第二面。第一绝缘基板的散热面可与外部散热器通过导热材料相贴合达到散热的效果，第二绝缘基板的散热面直接固定在散热基板上，整体散热能力将明显优于传统单面水冷功率模块，提高模块长时间工作可靠性，提高模块功率循环能力，在现有模块体积的前提下进一步提升电流等级，提高模块集成度。
一种散热器双面散热功率模块

[发明专利]一种具有改进终端结构的超结IGBT器件及制作方法-CN202211686094.3在审
发明人：罗鹏;永福;汤艺 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种具有改进终端结构的超结IGBT器件及制作方法，涉及半导体器件制造技术领域，包括：衬底，衬底的背面设有集电结构，集电结构的上表面设有有源区和终端区，有源区和终端区之间通过隔离沟槽隔离；有源区中形成有超结结构和栅极；终端区中设有深沟槽终端结构；介质层，介质层形成于有源区和终端区的上表面；集电极，集电极覆盖于集电结构的下表面；发射极，发射极覆盖于有源区的上表面和部分终端区的上表面。有益效果是终端区中的深沟槽终端结构的设计尺寸小于传统超结IGBT器件的终端结构，同时深沟槽终端结构可以通过更小的宽度承受传统终端结构能承受的击穿电压，可以有效提高有源区面积利用率。
一种具有改进终端结构 igbt 器件制作方法

[实用新型]一种大功率模块的封装结构-CN202222938585.4有效
发明人：冯敏捷 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大功率模块的封装结构，涉及功率半导体器件技术领域，包括：绝缘导热基板上连接有多个金属化陶瓷衬底，各金属化陶瓷衬底为多个第一衬底和多个第二衬底；各第一衬底的导电铜层上焊接有IGBT芯片和二极管芯片，各金属化陶瓷衬底之间、IGBT芯片和二极管芯片与对应的第一衬底之间均采用铜带键合实现电气连接；各IGBT芯片的键合表面、各二极管芯片的键合表面以及各第一衬底之间采用铜带键合；多个功率端子焊接在各第一衬底上；多个信号端子焊接在各第二衬底上；外壳盖设于绝缘导热基板上，外壳底部开设有多个开孔，功率端子和信号端子分别从各开孔露出。有益效果是大大提高了载流能力满足高频需求，降低了失效风险；结构简单封装质量好。
一种大功率模块封装结构

[发明专利]一种沟槽型碳化硅器件及其制备方法-CN202211415411.8在审
发明人：陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺 -专利权人： 嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型碳化硅器件及其制备方法，涉及碳化硅功率器件的设计技术领域，包括：碳化硅衬底，上方形成有外延层，外延层的顶端形成有P阱层，外延层中还形成有至少一个P型屏蔽层，P型屏蔽层位于P阱层的下方；多个栅沟槽，形成于外延层中，各栅沟槽内形成有多晶硅栅极，相邻两栅沟槽之间的P阱层中形成于有两个N型注入区和位于两个N型注入区之间的一个P型注入区；至少一个栅沟槽的底部被对应的P型屏蔽层部分包围；层间介质层，形成于P阱层的上方，层间介质层中形成有多个接触孔；层间介质层的上方形成有源极，碳化硅衬底的下方形成有漏极。有益效果是具有较小的导通电阻，降低饱和电流，提高短路能力。
一种沟槽碳化硅器件及其制备方法

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