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[发明专利]六硼化镧纳米粉体的制备方法及应用-CN201610812977.2有效
发明人：王松;余艺平;李伟;陈朝辉 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C01B35/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种六硼化镧纳米粉体的制备方法及应用，制备方法包括以下步骤：将镧源、硼源和熔盐混合后加热至熔融状态，使镧源和硼源在熔融盐中发生液相反应，镧源被硼源还原为六硼化镧，冷却后得到初产品；将所述初产品进行洗涤和过滤，以去除熔盐，干燥后得到六硼化镧纳米粉体。该制备方法能制备出纳米粒径可控、颗粒尺寸均匀、无团聚、纯度高的六硼化镧纳米粉体，且还兼具原材料来源广、反应温度低、工艺过程简单可控、无需特殊设备要求、成本低等优势。本发明方法制备的六硼化镧纳米粉体可用于制备六硼化镧块体或涂层阴极电子发射体材料，应用价值高。
六硼化镧制备纳米粉体硼源镧源可控熔盐电子发射体材料应用原材料来源工艺过程熔融状态设备要求涂层阴极液相反应熔融盐米粒出纳加热可用块体去除还原洗涤过滤冷却团聚

[发明专利]一种半导体扩散用受主源材料、受主源扩散纸及其应用-CN202110111182.X在审
发明人：石坚 -专利权人：济宁九德半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体扩散用受主源材料、受主源扩散纸及其应用，属于半导体技术领域。所述受主源材料包括受主源和成膜剂，所述受主源材料包括受主源和成膜剂，所述受主源为无定型硼、铝单质、硼铝合金、氮化硼、碳化硼、硼酸铝晶须、硼酸镓、硼酸铟、硼酸铵及各种含有硼酸、氧化硼的硅凝胶中的至少一种。本发明还涉及了一种受主源材料固化成膜制得的受主源扩散纸。本发明制备的受主源材料、受主源扩散纸便于扩散后分片，时间明显下降，扩散浓度均匀性明显上升。
一种半导体扩散用受主源材料受主源及其应用

[发明专利]无碱玻璃的制造方法-CN200780016809.1无效
发明人：山本峰子;林泰夫;櫛谷英树 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： C03C1/00 文献下载
摘要：该方法是将含有硅砂和硼源的玻璃原料熔融、成形的无碱玻璃的制造方法，作为所述硼源，采用以B₂O₃换算为100质量％的硼源中含有以B₂O₃换算为10～100质量％的硼酐的硼源。
玻璃制造方法

[发明专利]一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺-CN201711059107.3有效
发明人：梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种FRGPP芯片玻钝前多重扩散工艺，该方法包括如下步骤：S1磷硼一次扩散制绒，对扩散前处理后的硅片一面扩散磷扩散源，另一面扩散硼扩散源或硼铝扩散源，并进行硅片制绒；S2铂扩散，对磷硼一次扩散制绒后的硅片扩散铂扩散源本发明的有益效果是采用丝网印刷工艺在硅片两面分别印刷磷扩散源、硼扩散源或硼铝扩散源，使得硅片液态源的涂覆流程得到简化，加工周期缩减；液态源涂覆后采用一次负压扩散工艺，减轻硅片边缘返源情况，扩散工艺步骤简化
一种 frgpp 芯片玻钝前多重扩散工艺

[发明专利]一种N型电池选择性发射极的制备方法-CN202110607544.4有效
发明人：奚琦鹏;潘琦;史卓群;杨立功 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型电池选择性发射极的制备方法，在链式设备中对硅片依次实施：沉积硼浆，以硼浆作为重掺区掺杂源；第一次高温推进，使重掺区掺杂源向硅片中扩散；沉积液态硼源，以液态硼源作为轻掺区掺杂源；第二次高温推进，使重掺区掺杂源和轻掺区掺杂源向硅片中扩散。本发明以硼浆作为重掺区掺杂源，以液态硼源作为轻掺区掺杂源，通过链式设备实现重轻掺区发射极的制备，外扩可控，不损伤绒面，步骤简单，节省时间，产量大，便于大批量生产。本发明工艺窗口宽，结深差异化可控，无硼源外扩影响。
一种电池选择性发射极制备方法

[发明专利]一种高硼高硅粉末高速钢及其前驱粉末的制备和应用-CN202210067595.7有效
发明人：谢丰伟;康希越;陈帅鹏;张乾坤;陈豫章 -专利权人：长沙市萨普新材料有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：本发明属于耐磨材料技术领域，具体公开了一种高硼高硅粉末高速钢前驱粉末，包括3.5‑4.0wt％的硼源、2.5‑3.0wt％的硅粉、0.5‑1.5wt％的钴粉、9‑14wt％的金属碳化物以及余量的铁；所述的硼源包括硼源a和硼源b；其中，硼源a为硼单质，硼源b为LaB6、Fe2B和B4C中的至少一种
一种高硼高硅粉末高速钢及其前驱制备应用

[发明专利]一种硼铝源及其配置方法-CN201811587338.6有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供了一种硼铝源，包括重量百分比为8‑25％的硼化合物，重量百分比为1‑3％的铝化合物，重量百分比为0.2‑1％的硅化合物，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置硼铝源的方法，将硼源原料和溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼化合物溶液；将铝源原料和溶剂放入同一容器中，制得铝化合物溶液；将硅化合物原料和溶剂放入同一容器中，制得硅化合物；将过饱和的硼化合物溶液本发明提供的硼铝源的配置方法，加入二氧化硅使制得的硼铝源变得更浓稠，更易涂匀，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr值，扩散合格率高，提升硅片电性能。
一种硼铝源及其配置方法

[发明专利]一种多元醇硼酸酯络合物硼扩散源及其制备方法-CN201810027331.2在审
发明人：仝华;孙辛杰;杨云霞;袁双龙;袁晓;赵画 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提出了一种适用于旋涂硼扩散制程的多元醇硼酸酯络合物硼扩散源。该硼源以多元醇和硼酸为原料，以二元醇醚为溶剂，通过多元醇和硼酸的络合作用制备多元醇硼酸酯络合物硼源。所述硼源的n（多元醇/硼酸）为0‑0.5，硼酸在溶剂中的质量百分比为1‑10wt%。将硼酸和多元醇先后加入溶剂中，在60‑90℃下搅拌0.5‑1h，停止加热后继续搅拌0.5‑1h得到澄清溶液。所得多元醇硼酸酯络合物硼源通过旋涂硼扩散制程，可在电阻率为1‑3Ω·cm的N型硅片上得到30‑150Ω/□的方块电阻，p‑n结长度为0.1‑0.5μm。该硼源的浓度和纯度高，适用于旋涂硼扩散制程。
多元醇硼扩散硼源络合物硼酸酯硼酸溶剂旋涂制程制备醇和硼酸质量百分比材料成本澄清溶液二元醇醚方块电阻合成条件络合作用停止加热种多元醇电阻率

[发明专利]富硼高钙复合肥及其制备方法-CN201610606081.9在审
发明人：范素民;冯军强;任光耀;姚耿彪;吴嫒 -专利权人：贵州芭田生态工程有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C05G1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种富硼高钙复合肥及其制备方法。一种富硼高钙复合肥，其特征在于，按重量份数计，由以下组份制备而成：尿素2份～90份；钙源7份～90份；钾源2份～80份；硼源0.5份～5.2份其中，所述钙源选自硝酸钙及硝酸铵钙中的至少一种，钾源选自硝酸钾及氯化钾中的至少一种，硼源选自硼砂及硼酸中的至少一种。上述富硼高钙复合肥中酰态氮、硝态氮、铵态氮共存，且富含有水溶性钙、硼，产品强度高、溶解性能好。
富硼高钙复合及其制备方法

[发明专利]一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法-CN201510623666.7有效
发明人：台国安;胡廷松;曾甜;尤运城;王旭峰 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C23C16/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底上获得沉积硼薄膜。本发明采用化学气相沉积法，在金属基底或外延基底上通过加热分解固体硼源或高温裂解硼烷获得硼源气体，或者直接通入气体硼源，沉积得到原子级硼薄膜，从而提供了一种制备大面积硼薄膜的方法。本方法得到的原子级硼薄膜可应用于多个技术领域，包括晶体管器件、传感器和制动器。
一种化学沉积制备原子薄膜方法

[发明专利]一种利用气固法制备碳化硼的方法-CN201810937598.5有效
发明人：魏红康;邓翔宇;李辰冉;赵林;谢志鹏;汪长安;吴凡 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C01B32/991 文献下载
摘要：一种利用气固法制备碳化硼的方法，包括：将硼源和碳源分开放置，在真空或惰性气氛的保护下加热至1300～2000℃，以使得硼源产生氧化硼蒸汽，氧化硼蒸汽与碳源提供的碳发生反应。该方法能制得粒度分布均匀度较高的碳化硼。
一种利用法制碳化方法

[发明专利]一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法-CN202110576511.8有效
发明人：李跃;何悦;宋飞飞;贾松燕;赵颖 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种P型钝化接触太阳能电池片的扩散方法，所述扩散方法包括先后进行的正面磷扩散与背面硼扩散；所述正面磷扩散包括依次进行的扩磷预处理、扩磷前氧化、第一次通磷源、磷推进、第一次扩磷降温、第二次通磷源、第二次扩磷降温、第三次通磷源与扩磷后氧化；所述背面硼扩散包括依次进行的扩硼预处理、扩硼升温、第一次通硼源、第一次硼推进、第一次扩硼降温、第二次通硼源、第二次硼推进、第二次扩硼降温与扩硼后氧化。
一种钝化接触太阳能电池扩散方法

[实用新型]一种稀释法测量三氯化硼中水分的装置-CN201921565590.7有效
发明人：金向华;魏入铎;王新喜;孙猛;许军州 -专利权人：苏州金宏气体股份有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种稀释法测量三氯化硼中水分的装置，包括三氯化硼气源和水分分析仪，还包括稀释气源和采样系统，所述三氯化硼气源和所述稀释气源通过所述采样系统连接所述水分分析仪，所述采样系统包括第一管段、第二管段以及第三管段，所述第一管段的入口连接至所述三氯化硼气源，所述第二管段的入口连接至所述稀释气源，所述第一管段的出口和所述第二管段出口连接至所述第三管段的入口，所述第三管段的出口连接至所述水分分析仪的入口。本实用新型公开的稀释法测量三氯化硼中水分的装置，通过将三氯化硼进行稀释，再进行水分测试，然后根据稀释浓度计算三氯化硼稀释前的水分值，可以测试三氯化硼中较高浓度水分值。
一种稀释测量氯化水分装置

[发明专利]在基板中提供硼掺杂区域的方法以及使用该基板的太阳能电池-CN201480004649.9有效
发明人：小松祐次;J·安克尔;P·C·巴顿;I·G·罗密杰恩 -专利权人：荷兰能源建设基金中心
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：在硅基板(1)中提供硼掺杂区域(8、8a、8b)的方法，包括以下步骤(a)在基板(1)的第一表面(2)上沉积硼掺杂源(6)；(b)将基板(1)退火，使硼从硼掺杂源(6)扩散进入第一表面(2)，从而得到硼掺杂区域；(c)从第一表面(2)的至少部分移除所述硼掺杂源(6)；(d)在第一表面(2)上沉积未掺杂的硅氧化物(10)；(e)将基板(1)退火，以通过未掺杂的硅氧化物对硼的吸收而降低所述硼掺杂区域(8、8a)内的硼波峰浓度所述硅氧化物(10)作为硼吸收者以获得所需浓度的硼掺杂区域(8)。
基板中提供掺杂区域方法以及使用太阳能电池

[发明专利]一种晶硅太阳能电池用液态硼源及其制备方法-CN201710259945.9在审
发明人：仝华;孙辛杰;杨云霞;袁双龙;袁晓 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提出了一种适用于旋涂硼扩散制程的聚硼硅氧烷硼源。该硼源以硅烷和硼酸为原料，采用溶胶凝胶法制备，采用的硼源的n(B/Si)＝m，其中0＜m≤0.6。将硅烷和硼酸的混合溶液在20‑60℃下搅拌1‑3天直至溶液由浑浊变为澄清，所得聚硼硅氧烷液态硼源通过旋涂、烘干和扩散等工艺，可在N型硅片上得到30‑200Ω/□的方块电阻。该硼源的浓度和纯度高，适用于旋涂硼扩散制程。其制备方法简单易行、合成条件温和、材料成本低，适于大规模生产和利用。
一种太阳能电池液态及其制备方法