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[发明专利]一种扩散用硼铝源及其配置方法-CN201811587334.8有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供一种扩散用硼铝源，包括重量百分比为8‑30％的硼源，重量百分比为1‑5％的铝源，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置扩散用硼铝源的方法，将硼源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼源溶液；将铝源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得铝源溶液；将所述过饱和的硼源溶液与所述铝源溶液混合。本发明提供的扩散用硼铝源的配置方法简单易操作，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr(反向恢复时间)值，硅片扩散合格率高，有效提升硅片性能质量。
一种扩散用硼铝源及其配置方法

[发明专利]一种硼铝源及其配置方法-CN201811587338.6有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供了一种硼铝源，包括重量百分比为8‑25％的硼化合物，重量百分比为1‑3％的铝化合物，重量百分比为0.2‑1％的硅化合物，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置硼铝源的方法，将硼源原料和溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼化合物溶液；将铝源原料和溶剂放入同一容器中，制得铝化合物溶液；将硅化合物原料和溶剂放入同一容器中，制得硅化合物；将过饱和的硼化合物溶液、铝化合物溶液和硅化合物溶液混合。本发明提供的硼铝源的配置方法，加入二氧化硅使制得的硼铝源变得更浓稠，更易涂匀，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr值，扩散合格率高，提升硅片电性能。
一种硼铝源及其配置方法