[发明专利]一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法有效
| 申请号： | 201510623666.7 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105132884B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 台国安;胡廷松;曾甜;尤运城;王旭峰 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C16/28 | 分类号： | C23C16/28 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 高玲玲 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底上获得沉积硼薄膜。本发明采用化学气相沉积法，在金属基底或外延基底上通过加热分解固体硼源或高温裂解硼烷获得硼源气体，或者直接通入气体硼源，沉积得到原子级硼薄膜，从而提供了一种制备大面积硼薄膜的方法。本方法得到的原子级硼薄膜可应用于多个技术领域，包括晶体管器件、传感器和制动器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 沉积 制备 原子 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：将基底置于真空反应装置中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底上获得沉积硼薄膜；所述通入硼源气体是通过加热固体硼源获得；所述的固体硼源为晶体或无定型硼、三氧化硼、硼酸、四硼酸钠、癸硼烷的一种或两种以上混合物；所述真空反应装置有两个不同的温区，将固体硼源放入与基底不同的温区，通过加热气化获得硼源气体。
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- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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