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[发明专利]用于光学通信的方法和系统-CN202010038119.3在审
发明人：卡姆-扬·霍恩;詹洛伦佐·马西尼;苏巴尔·萨尼 -专利权人：卢克斯特拉有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：一种用于光学通信的方法，包括：在具有光电探测器的半导体晶片中，光电探测器包括n‑型硅层、锗层、p型硅层、以及在n型硅层和所述p型硅层的每个层上的金属接触，其中，‑锗层的顶部表面位于‑n‑型硅层和‑p‑型硅层两者的顶部表面之上，且‑锗层的底部表面位于‑n‑型硅层和‑p‑型硅层两者的顶部表面之下，并且其中，与‑光电探测器的接触在‑锗层的相对的侧面上，在‑锗层的顶部表面上没有接触：接收光信号；在‑锗层中吸收光信号；以及从吸收的光信号生成电信号
用于光学通信方法系统

[发明专利]一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法-CN201810286263.1有效
发明人：马雁飞;王昌锋;廖端泉 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双极应力的绝缘体上硅结构及其制造方法，制造方法包括：提供复合衬底，复合衬底由下至上依次具有硅基体层、掩埋氧化物层和绝缘体上硅层；在绝缘体上硅层上表面外延生长硅锗层；沉积硬掩膜层以覆盖硅锗层对应N型MOS管区域的部分；沉积表面氧化物层以覆盖硅锗层和硬掩膜层；进行高温退火处理，以使绝缘体上硅层对应P型MOS管区域的部分转化为绝缘体上硅锗层，对应N型MOS管区域的部分转化为拉应力绝缘体上硅层；以及去除绝缘体上硅锗层和拉应力绝缘体上硅层表面多余的硅锗层、硬掩膜层和表面氧化物层。
一种具有应力绝缘体结构及其制造方法

[发明专利]制造具应变的多层结构及具有应变层的场效晶体管的方法-CN200310103091.3有效
发明人：李崑池;姚亮吉;陈世昌;梁孟松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：首先，在一基底上沉积一渐进硅锗(Si_1－xGe_x)层。随后，在渐进硅锗缓冲层上沉积一硅锗上盖层。最后，在硅锗上盖层上沉积一单晶硅层以形成一应变层，其中渐进硅锗缓冲层、硅锗上盖层及单晶硅层的形成是采用减压化学气相沉积(reducedpressure chemical vapor deposition，RPCVD)并以二硅乙烷(Si₂H₆)或三硅丙烷(Si₃H₈)作为制程前驱物(precursor)。本发明亦揭示一种具有应变层的场效晶体管的制造方法。
制造应变多层结构具有晶体管方法

[发明专利]锗光电探测器及通过热失配应力提高其长波响应的方法-CN202310905213.8在审
发明人：杨荣;余明斌 -专利权人：上海铭锟半导体有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供锗光电探测器及通过热失配应力提高其长波响应的方法，属于锗光电探测器技术领域，在单晶硅衬底上高温外延生长单晶锗层，然后沉积硅帽层，所述硅帽层厚度为0.5‑5微米，自然冷却到室温下，去除硅帽层后，从高温下降到室温时锗因热膨胀系数大收缩较多而产生水平拉伸应力，其中，覆盖硅帽层的锗因衬底和帽层的双重拉伸而具有更大应力；室温下去掉硅帽层，原硅帽层贡献的应力被部分保留：即与锗层降温这一自退火过程产生的不可恢复的塑性形变相联系的这部分应力被保留，不随硅帽层去除而释放；而与可恢复的弹性形变相联系的这部分应力将随硅帽层去除而释放。因此曾经沉积硅帽层的锗层具有更大的拉伸引力。
光电探测器通过失配应力提高长波响应方法

[发明专利]一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构-CN201610624781.0有效
发明人：王勇;王瑛;丁超 -专利权人：东莞华南设计创新院;广东工业大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种锗基硅锗降场层LDMOS器件结构，其结构依次为：一P型锗沟道层；一N型掺杂的锗漂移层；一重N型掺杂的锗欧姆接触层；一硅锗与锗间隔的生长层作为漂移层；一P型掺杂的硅锗漂降场层；一深度达到P型锗沟道层的栅槽结构；一在栅槽内形成的氧化介质层；一在栅槽内形成的栅金属层；一在源漏区域形成的源漏金属电极。
一种锗基硅锗降场层 ldmos 器件结构

[发明专利]具有集成加热器的锗波导光电探测器-CN202211226793.X在审
发明人：奥卢费米·I·多桑姆;李植;黄梦园;阿利亚斯格尔·埃夫特卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L31/024 文献下载
摘要：本公开总体涉及具有集成加热器的锗波导光电探测器。在一个实施例中，一种装置包括：衬底；氧化物层，该氧化物层在衬底上；硅层，该硅层在氧化物层上，该硅层包括波导区域和与波导区域相邻的蚀刻区域；锗层，该锗层在硅层上并与硅层的波导区域相邻；以及电阻元件，该电阻元件与锗层相邻，用于响应于施加到该电阻元件的电流而向锗层提供热量。
具有集成加热器波导光电探测器

[发明专利]在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法-CN201310258323.6无效
发明人：蔡俊晟;孔祥涛;韩晓刚;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供了一种在硅锗层上形成镍自对准硅化物的工艺方法，包括：形成有栅极以及硅锗源/漏级的半导体衬底，在硅锗层上外延一层硅，对外延硅层进行非晶化处理，在外延硅层上沉积镍铂层，第一次快速退火，湿法去除未反应的镍之后进行第二次快速退火通过在硅锗层上形成一层外延硅层，用外延硅层代替硅锗层与镍铂反应生成镍自对准硅化物，降低工艺的退火温度，提高薄膜的膜质均匀性，同时所成薄膜电阻降低减小了器件的功耗。
硅锗层上形成对准硅化物工艺方法

[发明专利]锗硅外延生长方法-CN201410138306.3在审
发明人：曹威;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗硅外延生长方法，所述锗硅外延生长方法包括：清洗单晶硅衬底；对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀；在所述单晶硅衬底表面生长锗硅外延层。在本发明提供的锗硅外延生长方法中，通过对所述单晶硅衬底表面执行原位刻蚀，便可去除自然生长的氧化层，从而避免了所形成的锗硅外延层中产生层错、位错、滑移线等晶格缺陷，进而可提高器件/产品质量。
外延生长方法

[发明专利]半导体装置及其制备方法-CN200780100178.1无效
发明人：塔-霍·洛;会安-萨恩·阮 -专利权人：新加坡科技研究局
申请日： 2007-08-08 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：该方法包括在介电层内形成至少一个沟槽、从而将半导体基片的一部分暴露，至少在该至少一个沟槽的底部形成硅-锗缓冲层，在该硅-锗缓冲层上形成锗种子层且在该锗种子层上形成锗层。还公开了一种半导体装置。该半导体装置包括半导体基片、置于该半导体基片之上的介电层、在该介电层且将该半导体基片的一部分暴露的至少一个沟槽、至少置于该至少一个沟槽的底部之上的硅-锗缓冲层，置于该硅-锗缓冲层之上的锗种子层以及置于该锗种子层之上的锗层
半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法-CN201611076208.7在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其步骤如下在硅基半导体上形成50纳米宽的槽状结构；在硅槽中制作SiNx侧墙结构；在硅槽中制作SiO2侧墙结构；在硅槽中采用超高真空化学汽相沉积的方法生长硅锗缓冲层；在硅锗缓冲层上生长高质量锗沟道层；在锗沟道层上制作栅介质与栅金属结构。
一种硅基锗沟道 mos 器件制作方法

[发明专利]厚应变硅层及含有厚应变硅层的半导体结构的形成方法-CN200380108050.1有效
发明人：汪海宏;P·R·贝塞尔;J－S·古;M·V·努;E·N·帕东;相奇 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2003-10-30 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：在硅锗层(40)上生长应变硅层(50)，并在与应变硅(50)同一个连续的原位沉积过程中在应变硅(50)上生长硅锗层(52)。在形成应变硅层(50)之前，在下硅锗层(40)内形成浅沟槽隔离(48)。该两层硅锗层(40，52)在应变硅层(50)的两个表面上有效地提供两层基片，用来维持应变硅层(50)的拉伸应变，并防止在加工中可能会因温度变化而产生的错配位错的形成。因此，对于硅锗层(40，52)给定的锗含量，能生长的应变硅(50)的临界厚度可有效加倍，而在随后的加工中不会有显著的错配位错。在形成应变硅层(50)之前形成浅沟槽隔离(48)避免了应变硅层(50)受到极端的热应力，并进一步减少了错配位错的形成。
应变含有半导体结构形成方法

[发明专利]一种雪崩光电二极管及其制造方法-CN201480000097.4有效
发明人：余长亮;廖振兴;赵彦立 -专利权人：华为技术有限公司;华中科技大学
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种雪崩光电二极管及其制造方法，涉及通信领域，能够解决现有雪崩光电二极管暗电流较大的问题，该雪崩光电二极管包括绝缘体上锗GeOI衬底；本征锗I‑Ge吸收层(31)，用于吸收光信号，产生光生载流子；第一p型锗硅SiGe层(23)、第二p型锗硅SiGe层(24)，第一锗硅SiGe层(21)、第二锗硅SiGe层(22)，其中，锗硅SiGe层中Si的含量小于等于20％；第一二氧化硅SiO2氧化层(72)，第二二氧化硅SiO2氧化层(73)；第一Taper型硅Si波导层(11)、第二Taper型硅Si波导层(12)；n型重掺杂硅Si倍增层(13)；阳极电极(61)和阴极电极(62)。
一种雪崩光电二极管及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202211462896.6在审
发明人：孔真真;任宇辉;张毅文;王桂磊;刘靖雄;李俊峰;罗军 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，该半导体结构的制备方法通过先在第一硅衬底上沉积由二氧化硅和氮化硅交替层叠形成的叠层，并在叠层中刻蚀形成线条沟槽图案；之后填充锗硅材料，并在叠层的上方外延生长第一锗硅层，使外延第一锗硅层过程中产生的缺陷尽量多的限制在线条沟槽图案中，减少最后制备出的第一锗硅层内部的晶格缺陷。之后在第一锗硅层上方形成二氧化硅层或氮化硅层，对第一硅衬底、叠层、第一锗硅层及二氧化硅层或氮化硅层进行退火处理，以使第一锗硅层内部产生拉应力，再去除位于第一锗硅层上方的二氧化硅层或氮化硅层，实现高质量的
一种半导体结构制备方法

[发明专利]半导体结构及形成方法-CN201210312974.4有效
发明人：邓浩;张彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：种半导体结构及形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，位于半导体衬底内的浅沟槽隔离结构，位于浅沟槽隔离结构所包围的半导体衬底表面的栅极结构，位于所述若干栅极结构两侧的半导体衬底内的第一锗硅层和第二锗硅层，所述第一锗硅层靠近浅沟槽隔离结构，所述第二锗硅层远离浅沟槽隔离结构，第一锗硅层中锗的摩尔百分比含量大于第二锗硅层中锗的摩尔百分比含量，所述栅极结构和位于所述栅极结构两侧的第一锗硅层或第二锗硅层构成PMOS
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件以及形成半导体器件的方法-CN201310381537.2有效
发明人：让-皮埃尔·科林格;江国诚;张广兴;吴志强;王志豪;卡洛斯·H.·迪亚兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管（FinFET）包括位于衬底之上的半导体层，其中，半导体层形成FinFET的沟道。第一硅锗氧化物层位于衬底之上，其中，第一硅锗氧化物层具有第一锗百分比。第二硅锗氧化物层位于第一硅锗氧化物层之上。第二硅锗氧化物层具有高于第一锗百分比的第二锗百分比。栅极介电层位于半导体层的侧壁和顶面上。栅电极位于栅极介电层之上。本发明还提供了一种调整半导体器件中的应变。
半导体器件以及形成方法