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[发明专利]1.3微米高密度量子点结构及其制备方法-CN200410009992.0无效
发明人：牛智川;方志丹;倪海桥;韩勤;龚政;张石勇;佟存柱;彭红玲;吴东海;赵欢;吴荣汉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆盖层制作在砷化铟自组织量子点上；一第二砷化镓势垒层，该第二砷化镓势垒层制作在铟镓砷覆盖层上；一砷化镓覆盖层，该砷化镓覆盖层制作在第二砷化镓势垒层上。
1.3 微米高密度量子结构及其制备方法

[发明专利]一种硅铝合金的制备方法-CN201310216093.7无效
发明人：王亚平 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C22F1/043 文献下载
摘要：一种硅铝合金的制备方法，首先，用铸造或粉末冶金方法制备出硅的质量百分数25%-90%、硅相尺寸0.1-20mm间的硅铝材料；制备出的硅铝材料可以进一步焊接在铝片、铜片、硅片、碳化硅片、锗片、砷化镓片、氮化镓片或氮化铝片上，对于上述单独的硅铝块体材料或对焊接在铝片、铜片、硅片、碳化硅片、锗片、砷化镓片、氮化镓片、氮化铝片上的硅铝层经过搅拌摩擦处理，获得硅的质量百分数25%-90%、硅相尺寸0.5～50μm的致密硅铝复合材料，这种硅铝材料可以单独形成块体，也可以复合在铝片、铜片、硅片、碳化硅片、锗片、砷化镓片、氮化镓片、氮化铝片表面上。
一种铝合金制备方法

[发明专利]砷化镓基半导体器件的制造方法-CN202011468551.2有效
发明人：于良成;白龙刚;杨国文;赵卫东 -专利权人：度亘激光技术(苏州)有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种砷化镓基半导体器件的制造方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法包括：将砷化镓基底放入酸溶液中进行清洗；向经过清洗的砷化镓基底表面通入流动的氨气，并使氨气进行等离子反应，以去除砷化镓基底表面的氧化物；在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜本发明提供的砷化镓基半导体器件的制造方法，在砷化镓基底上制备氮化硅保护膜之前，利用氨气的等离子反应去除砷化镓基底表面的氧化物，并在砷化镓基底上形成完整的氮氢化学键，从而可以得到表面粗糙的稳态砷化镓基底，使得制备在砷化镓基底上的氮化硅保护膜不易于脱落，提高了产品良率。
砷化镓基半导体器件制造方法

[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[发明专利]超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法-CN201110428386.2有效
发明人：朱亦鸣;李州;杜少卿;陈麟;彭滟;袁明辉;倪争技;庄松林 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：一种超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹超宽频辐射源，包括七层，自上而下依次为：上电极层、NiCr或半透明导电膜层、超纯本征砷化镓层、参杂硅的n型砷化镓缓冲层、砷化镓基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层；每层之间紧密相连；上电极层设置有一个窗口，上电极层、下电极层采用金或者良导体金属材料，并与外接电源连接，飞秒激光器发射的飞秒激光脉冲通过窗口照射到本征砷化镓层中，同时太赫兹电磁波从本征砷化镓层中通过窗口辐射出来
征砷化镓材料二极管赫兹辐射源制作方法

[发明专利]一种硅基Ⅲ-V族砷化镓半导体材料制备方法和系统-CN201310492218.9有效
发明人：王俊;李玉斌;邓灿;王一帆;白一鸣;王琦;段晓峰;张霞;黄永清 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基III‑V族砷化镓半导体材料制备方法和系统，包括：在清洁的单晶硅衬底表面制备二氧化硅膜；在所述二氧化硅膜上，采用纳米压印技术得到二氧化硅纳米图形层，所述二氧化硅纳米图形层包括裸露单晶硅衬底表面的生长窗口区，以及二氧化硅图形区，生长窗口区和二氧化硅图形区交错分布；在所述生长窗口区上，沉积接近或等于所述二氧化硅图形区的台面高度的砷化镓缓冲层；在所述砷化镓缓冲层和所述二氧化硅图形区上外延生长III‑V族半导体材料本发明采用纳米压印的技术制作二氧化硅纳米图形层，作为半导体材料生长的图形衬底，打破了之前的材料尺寸限制问题，更加有利于工业化的材料生长制备，有效地降低了材料制作成本，具有广泛的应用前景。
二氧化硅图形制备二氧化硅纳米生长窗口图形层砷化镓半导体材料砷化镓缓冲层单晶硅二氧化硅膜衬底表面硅基半导体材料生长半导体材料纳米压印技术材料生长尺寸限制技术制作交错分布纳米压印外延生长有效地台面衬底沉积裸露清洁应用

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088980.6无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，为单片集成增强/耗尽型，其采用铟镓砷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、铟磷层、铟铝砷层、铟镓砷层。
砷化镓基增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

[发明专利]一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池-CN201710498727.0在审
发明人：黄孝如 -专利权人：海门市绣羽工业设计有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有防反射层的砷化镓太阳能电池，所述砷化镓太阳能电池依次包括：砷化镓衬底；位于砷化镓衬底上的背电场层；位于背电场层上的砷化镓p‑n结，所述砷化镓p‑n结包括层叠设置的n型砷化镓层和p型砷化镓层；位于砷化镓p‑n结上的砷化铝镓窗口层；位于砷化铝镓窗口层上的电极接触层；位于电极接触层上的防反射层；以及，位于电极接触层上的若干电极。
砷化镓砷化镓太阳能电池电极接触层防反射层砷化铝镓背电场窗口层衬底光电转换效率防反射结构太阳能电池层叠设置电极反射

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010760375.3有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;徐步青;杜勇;黎奔 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上可以外延形成缓冲层，缓冲层可以包括锗膜和/或砷化镓膜，在缓冲层上外延形成磷化铟层。这样锗膜和/或砷化镓膜可以作为硅衬底和磷化铟层之间的缓冲层，改善硅衬底和磷化铟层之间的晶格失配，减少磷化铟层中的反向畴，减少磷化铟层中的缺陷，提高基于磷化铟层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法-CN202011587131.6在审
发明人：童武林;陈雨璐;王兵兵;王晓东;刘文辉;陈栋;王添雄;崔慧源;吴翼飞;秦世宏;王洋刚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。本发明基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比。
集成结构砷化镓基阻挡杂质探测器制备方法

[实用新型]一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底-CN03245219.5无效
发明人：周均铭;陈弘;贾海强;王文冲;黄绮 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2003-04-14 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底，包括厚度为300～800μm砷化镓衬底，在砷化镓衬底上外延的厚度为10～2000nm的缓冲层，在缓冲层上外延生长的厚度为20～2000nm的含Al的半导体化合物层，及其上覆盖的厚度为5～500nm的盖帽层。本实用新型提供的砷化镓基半导体－氧化物绝缘衬底具有良好的热稳定性，并可二次外延，非常有利于器件的性能；另外，这种制作方法还大大增加了器件结构的灵活性，并且非常适于高性能电子器件结构和光电集成电路结构。
一种砷化镓基半导体氧化物绝缘衬底

[发明专利]InGaN/GaN异质外延结构及其生长方法-CN201810460567.5在审
发明人：刘炜;赵德刚;陈平;刘宗顺;朱建军;江德生;杨静 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：一种InGaN/GaN异质外延结构及生长方法，外延结构包括：一衬底，该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓；一GaN层，其生长在衬底上；一InGaN有源区，其生长在GaN层上；一GaN层，其生长在本发明可以将显著提高InGaN基太阳能电池的能量转换效率。
生长衬底异质外延源区能量转换效率太阳能电池外延结构蓝宝石氮化镓砷化镓碳化硅

[发明专利]宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法-CN200610002667.0无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C09K11/62 文献下载
摘要：一种宽光谱砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料生长方法，包括如下步骤：在衬底上制备砷化镓缓冲层，该缓冲层是下述有源区的下势垒层；在砷化镓缓冲层上制备有源区，该有源区是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的核心部分，为该材料的光谱发射区；在有源区上制备低温砷化镓盖层，该低温砷化镓盖层为上述有源区的上势垒层；在低温砷化镓盖层上制备高温砷化镓盖层，该高温砷化镓盖层是该砷化铟/砷化铟镓/砷化镓量子点材料的最外一层，具有保护作用
光谱砷化铟砷化铟镓砷化镓量子材料生长方法

[发明专利]长波长砷化铟/砷化镓量子点材料-CN200610088947.8无效
发明人：刘宁;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-07-27 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种长波长砷化铟/砷化镓量子点材料，其特征在于，所述材料是基于应变自组织的量子点材料，其结构包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层制作在衬底上；一多周期量子点层，该多周期量子点层制作在砷化镓缓冲层上；一砷化镓盖层，该砷化镓盖层制作在多周期量子点层上。
波长砷化铟砷化镓量子材料

[发明专利]一种去除砷化镓芯片封装的方法-CN202210329753.1在审
发明人：尚跃;陈建;贾丽娟 -专利权人：上海聚跃检测技术有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除砷化镓芯片环氧树脂封装的方法。该方法采用浓硫酸与乙酸的混合液而非发烟硝酸去除硅芯片环氧树脂封装、对砷化镓芯片的环氧树脂封装进行腐蚀。由于硝酸会跟砷化镓产生化学反应，而浓硫酸和乙酸均不与砷化镓衬底发生反应，采用本发明提供的方法能够完整地保留砷化镓芯片的衬底及电路功能。此外、还通过控制浓硫酸的浓度以及所述混合液的温度来控制环氧树脂的腐蚀速度，以避免浓硫酸腐蚀环氧树脂的速度过慢造成砷化镓芯片的氧化层(二氧化硅)会出现裂纹。
一种去除砷化镓芯片封装方法