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[发明专利]半绝缘碳化硅单晶-CN201010617348.7有效
发明人：陈小龙;刘春俊;彭同华;李龙远;王刚;刘宇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度该半绝缘碳化硅单晶室温电阻率大于1×105Ω·cm，电学性能及晶体质量满足相应微波器件制备要求。该单晶通过深能级掺杂剂和本征点缺陷共同作用来补偿浅能级杂质，以获得高质量的半绝缘单晶；该单晶经过高温1800℃退火后，电阻率没有明显降低，保持大于1×105Ω·cm。
绝缘碳化硅

[发明专利]一种高纯碳化硅单晶衬底-CN201811204666.3有效
发明人：高超;柏文文;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯碳化硅单晶衬底，属于半导体材料领域。该高纯碳化硅单晶衬底至少包括碳化硅单晶衬底表层和碳化硅单晶衬底主体层，该碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷浓度小于该碳化硅单晶衬底本体层的本征点缺陷浓度，所述碳化硅单晶衬底具有半绝缘性。该高纯碳化硅单晶衬底表层的本征点缺陷的低浓度，使得高纯碳化硅单晶作为GaN外延的基底时，GaN和碳化硅单晶的晶格适配度更高，使得制备的GaN外延层的质量更佳；且高纯碳化硅单晶的主体层具有一定浓度的内部点缺陷，可以保持高纯碳化硅单晶衬底的半绝缘特性。
一种高纯碳化硅衬底

[发明专利]一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法-CN201811204726.1有效
发明人：高超;刘家朋;刘鹏飞 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底及其制备方法，属于碳化硅单晶、单晶衬底领域。该大尺寸高纯碳化硅单晶的制备方法包括下述步骤：将装填碳化硅粉料的坩埚安装籽晶单元后，坩埚置于密闭保温结构的腔内，移至晶体生长装置内；后经除杂阶段、长晶阶段，制得高纯半绝缘碳化硅单晶。将高纯半绝缘碳化硅单晶经切割、研磨和抛光制得半绝缘碳化硅单晶衬底。该大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底的制备方法中使用不同壁厚的坩埚及不同厚度的保温结构制造出轴向温度梯度，同时改变坩埚上侧的保温结构，从而制造出径向温度分布一致的热场，可制得4‑12寸的大尺寸碳化硅单晶、单晶衬底，且制备的大尺寸高纯碳化硅单晶、单晶衬底的电阻率均匀、内应力小。
一种尺寸高纯碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法-CN201910631401.X有效
发明人：高超;梁庆瑞;张红岩;柏文文;赵爱梅;宗艳民;王雅儒;刘圆圆 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种高质量高纯半绝缘碳化硅单晶、衬底及其制备方法，属于半导体材料领域。该高纯半绝缘碳化硅单晶的制备方法将碳化硅原料置于坩埚内升华为升华原料，所述升华原料利用坩埚内的轴向温度梯度气相传输至一级籽晶进行一级长晶，即制得所述高纯半绝缘碳化硅单晶；其中，所述碳化硅原料与所述一级籽晶之间至少设置一个过渡籽晶，所述过渡籽晶使得至少部分升华原料进行一次长单晶‑再升华过程。本申请的制备方法可以使用低纯度的碳化硅原料制得极高纯度的半绝缘碳化硅单晶，同时能兼顾提升高纯半绝缘碳化硅单晶的生长质量，制备成本低；且本申请制得的高纯半绝缘碳化硅单晶及其衬底无或少量缺陷、纯度高、质量高和均匀性好
质量高纯绝缘碳化硅衬底及其制备方法

[发明专利]一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底-CN201811204690.7有效
发明人：高超;刘家朋;李加林;李长进;李霞;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底，属于半导体材料领域。该半绝缘碳化硅单晶包含浅能级杂质、低浓度深能级掺杂剂和极少量本征点缺陷；所述深能级掺杂剂与所述本征点缺陷共同补偿浅能级杂质，所述深能级掺杂剂的浓度小于掺杂半绝缘碳化硅单晶中深能级掺杂剂的浓度；所述本征点缺陷的浓度为室温下碳化硅单晶中的本征点缺陷原生浓度，所述本征点缺陷浓度不影响碳化硅单晶电学性能的稳定性。该半绝缘碳化硅单晶具有高度稳定的电阻率，并且具有高的电阻率均匀性。由该碳化硅单晶制备的碳化硅单晶衬底具有高的电阻率均匀性、低应力，使得碳化硅单晶衬底具有优异的面型质量，从而保证了后续外延质量的稳定性和一致性。
一种掺杂少量质量绝缘碳化硅衬底

[发明专利]一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法-CN202111524463.4有效
发明人：张福生;胡国杰;肖龙飞;谢雪健;徐现刚;陈秀芳;彭燕;仲光磊;张家鑫 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法，该方法通过采用高纯碳化硅粉料并以碳化硅籽晶的硅面作为生长面，在高温下快速生长具有超高纯度和高缺陷密度的碳化硅晶棒，再通过高温加热‑极速冷却方法，将生长的超高纯度碳化硅晶棒裂解成超高纯碳化硅单晶质颗粒粉料，然后进行氢钝化处理，用于制备准本征半绝缘碳化硅单晶材料。通过本发明方法，能够获得高质量半绝缘电学性能稳定的准本征碳化硅单晶体。本发明制备的准本征半绝缘碳化硅单晶可以更好地应用在5G通讯、相控阵雷达、毫米波探测等领域，使得器件的尺寸更小、功率密度更高。
一种绝缘碳化硅制备方法

[发明专利]掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底的制备方法-CN201811204702.6有效
发明人：高超;刘家朋;李加林;李长进;柏文文;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种掺杂少量钒的高质量半绝缘碳化硅单晶及衬底的制备方法，属于半导体材料领域。该半绝缘碳化硅单晶的制备方法包括下述步骤：对热场装置除杂、混料、长晶和退火处理。该半绝缘碳化硅单晶的制备方法的技术成本和资金成本低。制备的碳化硅单晶的电阻率由残余的浅能级杂质和少量的钒元素决定，由于这些杂质都占据晶格位置，其具有很高的热稳定性，这也就意味着晶体可以获得具有高度稳定的电阻率。并且由碳化硅单晶制备的碳化硅单晶衬底具有高的电阻率均匀性、低应力，使得碳化硅单晶衬底具有优异的面型质量，从而保证了后续外延过程中衬底质量的稳定性和一致性。
制备半绝缘碳化硅单晶衬底碳化硅单晶电阻率掺杂半导体材料领域电阻率均匀性能级高度稳定技术成本晶格位置热场装置热稳定性退火处理外延过程资金成本残余的低应力钒元素除杂混料面型占据申请保证

[发明专利]一种制备高质量的半绝缘碳化硅单晶衬底的方法-CN201811205277.2有效
发明人：高超;柏文文;张红岩;窦文涛 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-10-16 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备高质量半绝缘碳化硅单晶衬底的方法，属于半导体材料领域。该制备方法通过对高纯碳化硅单晶晶片进行高温快速热处理技术和表面激光退火技术，将引入到高纯半绝缘碳化硅衬底表面一定区域内的点缺陷进行清除，同时保留距离衬底表面的内部点缺陷，从而实现在无缺陷的碳化硅单晶衬底表层洁净区并保留碳化硅单晶衬底的半绝缘特性
衬底制备半绝缘碳化硅单晶碳化硅单晶衬底表面点缺陷高纯半导体材料领域快速热处理技术碳化硅单晶晶片半绝缘碳化硅表面激光退火技术半绝缘洁净区保留引入申请

[发明专利]一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置-CN202111344971.4有效
发明人：王蓉;耿文浩;皮孝东;王明华;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明涉及单晶片剥离技术领域，公开了一种半绝缘型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供半绝缘型碳化硅晶锭，将半绝缘型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，其中，半绝缘型碳化硅晶锭包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层，非晶层位于半绝缘型碳化硅晶锭内部的预定位置处；采用特定波长的入射光对半绝缘型碳化硅晶锭进行照射，入射光经过单晶层照射在非晶层表面，在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，刻蚀液对具有光生空穴‑电子对的非晶层表面进行选择性刻蚀，得到半绝缘型碳化硅单晶片；本发明能够获得厚度可控的半绝缘型碳化硅单晶片，无需减薄研磨处理，且得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
一种绝缘碳化硅晶片剥离方法装置

[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用-CN201910631402.4在审
发明人：高超;宁秀秀;李霞;刘家朋;李加林;李长进;窦文涛;梁晓亮 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2019-07-12 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种高纯半绝缘碳化硅单晶及其高效制备方法和应用，属于半导体材料领域。该制备方法包括：组装和长晶，碳化硅多晶块原料设置孔道结构，孔道结构靠近籽晶的一端设置气相出口，原料区内的部分气相原料通过孔道结构自气相出口气相传输至籽晶。本申请以具有孔道结构的碳化硅多晶块制备碳化硅单晶的长晶效率高，制得的碳化硅单晶的质量高、纯度高；利用同一籽晶可以同时生长两块碳化硅单晶锭，两块单晶锭的质量相似、长晶成本低、长晶效率高，长晶路径短、气相传输路径容易控制；通过控制碳化硅单晶的长晶压力变化和压力值，避免了由于碳化硅多晶块的致密性而导致制备高纯半绝缘碳化硅单晶的形核紊乱，提高了碳化硅单晶的长晶质量。
碳化硅单晶孔道结构半绝缘碳化硅单晶多晶块碳化硅高纯籽晶制备高效制备气相出口气相传输半导体材料领域一端设置单晶锭致密性形核申请紊乱应用组装生长

[发明专利]一种高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法-CN201710019521.5有效
发明人：高超;宗艳民;李长进;李加林 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于新材料加工技术领域，发明人提供了一种全新的高纯半绝缘碳化硅衬底的制备方法，该方法采用正常获得的碳化硅单晶进行粗加工，切割得到厚度为3‑8mm的晶棒，或加工为厚度为300‑800μm的碳化硅晶片之后对上述晶棒或晶片进行高温快速退火从而获得高纯半绝缘碳化硅衬底，该方法避免了在碳化硅晶体生长过程中进行热场调节，而是直接对加工好的高质量碳化硅单晶进行二次高温快速退火加工，从而在晶片中引入本征点缺陷来实现碳化硅单晶的半绝缘特性，获得的半绝缘碳化硅衬底品质好且加工方法简单
一种高纯绝缘碳化硅衬底制备方法

[发明专利]半绝缘碳化硅单晶材料-CN201010617407.0无效
发明人：陈小龙;刘春俊;彭同华;李龙远;王文军 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种半绝缘碳化硅单晶材料。该半绝缘碳化硅单晶或单晶片具有室温下大于1E5Ω·cm的电阻率，热退火后电阻率保持大于1E5Ω·cm。半绝缘碳化硅单晶或单晶片中至少含有一种补偿掺杂剂，该掺杂剂的电子能级距离碳化硅带隙边缘足够远以免产生导电；该补偿掺杂剂的浓度不小于晶体中浅施主能级和浅受主能级的浓度之间的差值，要求大于5×1016cm-3，使固定在深能级的掺杂剂浓度足够浅能级杂质；该掺杂剂的浓度小于5*1017cm-3，以防止由于掺杂剂析出而导致的碳化硅结构缺陷；碳化硅单晶或单晶片的电阻率在1200℃热退火后电阻率保持大于1E5Ω·cm
绝缘碳化硅材料

[发明专利]一种生长高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置-CN201510223992.9有效
发明人：高玉强;宗艳民;宋建;王希杰;张红岩 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯半绝缘碳化硅单晶的方法及装置，属于单晶生长技术领域。本发明采用特定装置将生长SiC单晶用坩埚及保温材料进行预处理，并在单晶生长过程中引入特定的气体，有效减少SiC单晶中的施主杂质N、受主杂质B及金属离子杂质，提高了电阻率，并且避免了钒掺杂半绝缘SiC的深俘获中心对高频大功率器件功率输出的影响，制得了高纯半绝缘碳化硅单晶。
一种生长高纯绝缘碳化硅方法装置

[发明专利]碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备-CN201910108177.6在审
发明人：陈泽斌;张洁;廖弘基;陈华荣 -专利权人：福建北电新材料科技有限公司
申请日： 2019-02-02 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备，属于晶体生长领域。所述碳化硅单晶生长装置包括坩埚和生长基座；所述坩埚底部设置有环形的容置空间，所述容置空间内用于放置碳化硅粉料；所述生长基座设置在所述坩埚的顶部，用于在所述生长基座上生长碳化硅单晶。所述碳化硅单晶制备设备包括上述碳化硅单晶生长装置。上述碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶制备设备制备碳化硅单晶的过程中可以减少碳化硅粉料的浪费，降低生产成本。
碳化硅单晶生长装置制备设备坩埚生长碳化硅粉料容置空间晶体生长领域制备

[发明专利]一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法-CN202210198261.3有效
发明人：崔兴柱;夏晓川;梁晓华;梁红伟;汪锦州 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;大连理工大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面碳化硅PIN结构微条辐射探测器及其制备方法。本发明的探测器以碳化硅单晶(1)为基体，碳化硅单晶(1)碳面注入多个微条形结构的n型碳化硅层(2)，碳化硅单晶(1)硅面设有多个与n型碳化硅层(2)垂直的p型碳化硅结构(3)；每一n型碳化硅层(2)上设置一下电极(4)，碳化硅单晶(1)碳面上设置第一保护环，各下电极(4)之间、各下电极(4)与第一保护环之间以及第一保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)；每一p型碳化硅结构(3)上设置一上电极(5)，在碳化硅单晶(1)硅面上设置第二保护环，各上电极(5)之间、各上电极(5)与第二保护环之间以及第二保护环外侧填充有绝缘介质保护层(6)。
一种双面碳化硅 pin 结构辐射探测器及其制备方法

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