“硅化物制程”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果42335个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程-CN201110250263.4无效
发明人：孙昌;魏铮颖;王艳生 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明一种金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程，其中，包括以下步骤：进行应力记忆技术制程，应力记忆技术制程具体为：首先，进行应力记忆薄膜层的淀积，之后，进行热预算制程；进行金属硅化物阻止区制程，在该制程进行的过程中将应力记忆薄膜层代替金属硅化物阻止区薄膜本发明金属硅化物阻挡层和应力记忆层共用制程在完成应力记忆技术制程后将应力记忆薄膜保留，并在后续的硅化物阻挡层制程中将应力记忆薄膜替代规划金属阻止薄膜进行光刻、刻蚀等工艺，从而去除了现有技术中的应力记忆薄膜去除、中间清洗过程以及金属硅化物组单层淀积的工艺步骤，使两个制程有机结合，减少了工艺步骤，进而降低了制造成本。
金属硅阻挡应力记忆共用

[发明专利]利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法-CN200310108060.7无效
发明人：高荣正;方浩 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-10-21 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法，其为一种制造混合模拟元件的电容器的制造方式，此电容器以多晶硅叠层方式形成于具有自行对准金属硅化物的制程结构中。在含有自行对准金属硅化物制程中，通常须有一道自行对准金属硅化物阻障制程用来避免在静电放电结构、电阻和电容的结构中形成金属硅化物。本发明利用此自行对准金属硅化物阻障的氧化层来作为形成电容器的介电层，使形成的多晶硅电容器可节省一些制程步骤。
利用自行对准金属硅化物制程形成多晶电容器方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200710163748.3有效
发明人：李丹晨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：应力补偿的源/漏区离子布植制程、于非晶硅层上形成一硅化物的制程、应力补偿的深埋层制程、于硅化物形成期间进行的应力补偿的介电覆盖层制程、于硅化物形成期间进行的两次退火制程、以及将二硅化镍转换成硅化镍的制程
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200510073526.3有效
发明人：李丹晨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-02 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该方法包括：应力补偿的源/漏区离子布植制程、于非晶硅层上形成一硅化物的制程、应力补偿的深埋层制程、于硅化物形成期间进行的应力补偿的介电覆盖层制程、于硅化物形成期间进行的两次退火制程、以及将二硅化镍转换成硅化镍的制程
半导体元件及其制造方法

[发明专利]自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法-CN200910082350.6有效
发明人：李敏;吴永玉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2009-04-14 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法，该制程方法应用于覆盖非自对准金属硅化物器件的制程中，将富硅氧化物SRO膜沉积于有源区、多晶硅栅极以及隔离区之上，所述沉积厚度在50埃至150埃之间本发明还公开了一种自对准硅化物区域阻挡膜的结构及其制程方法。采用该结构及其制程方法能够有效解决刻蚀自对准硅化物区域阻挡膜时出现的STI loss、过刻蚀半导体衬底以及损伤侧壁层的问题。
对准硅化物区域阻挡结构及其方法

[发明专利]金属硅化物与其制造方法与半导体组件的制造方法-CN03145935.8无效
发明人：刘宏伟;陈光钊;施学浩 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-07-17 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明是关于一种金属硅化物与其制造方法与半导体组件的制造方法，该金属硅化物包括：一第一金属硅化物层；一第二金属硅化物层；及一阻绝层，配置于第一金属硅化物层及第二金属硅化物层之间，阻绝层中包括一离子；第一金属硅化物层的晶粒分布较第二金属硅化物层的晶粒分布均匀该金属硅化物的制造方法，首先提供一硅层，然后进行离子植入步骤以在硅层中掺入离子；接着在硅层上形成金属层；之后进行回火制程，使硅层与金属层反应生成金属硅化物。由于在进行回火制程前先进行离子植入步骤，可使金属硅化物阻值降低，而可增加金属硅化物接触可靠度。其可解决现有习知金属硅化物会有高阻值问题，另可解决现有闸极(或源极/汲极)阻值过大而导致组件可靠度不佳的问题。
金属硅与其制造方法半导体组件

[发明专利]结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法-CN02105321.9有效
发明人：黄水钦 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2002-02-22 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明公开了一种结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法，包括下列步骤：首先提供一半导体基底，其表面定义成一内存区以及一周边区，该内存区与该周边区分别包含有复数个掺杂之闸极以及源/汲极区；然后，蚀刻去除该闸极，直至一预定闸极高度；跟着，进行一自我对准金属硅化物(salicide)制程，以于该闸极表面以及该周边区之源/汲极区表面上形成一金属硅化物；然后，于该闸极表面的金属硅化物上形成一闸极覆盖层，再于该半导体基底表面上覆盖至少一层间介电层；最后进行一自我对准接触(self－alignedcontact)之蚀刻制程，将该内存区之两闸极之间的源/汲极区表面曝露出来，以形成一接触洞。
结合自我对准接触以及硅化物制程方法

[发明专利]自对准硅化物膜制程及结构-CN200710045077.0无效
发明人：孙昌;王艳生;廖奇泊;王蕾;郭君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-21 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示了一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；对SAB膜进行光刻；进行非自对准硅化物器件的制作；对SAB膜进行干法刻蚀本发明还揭示了一种自对准硅化物SAB膜结构。
对准硅化物膜制程结构

[发明专利]金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法-CN03156209.4有效
发明人：陈天送;陈逸男;黄志涛 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-09-04 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是关于一种金属内连线制程及清除金属硅化物层的方法，该金属内连线制程，是首先提供已形成有介电层的基底，且介电层上已形成有含硅罩幕层。接着图案化介电层以形成开口。随后进行热制程，以使金属黏着层与含硅罩幕层反应，而形成金属硅化物层。之后，移除部分金属层，直到金属硅化物层暴露出来。接着，利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸的混合液移除金属硅化物层之后，再移除含硅罩幕层，直到介电层暴露出来。其利用过氧化氢、硫酸、水以及氢氟酸的混合液可以有效移除金属硅化物层，且不会对金属层造成伤害。
金属连线清除金属硅化物层方法

[发明专利]一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法-CN201810897223.0在审
发明人：范洋洋;王明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，包括下列步骤：进行N/P型源漏极离子注入处理；进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；进行后续接触孔制程。
制程白色像素自对准硅化物区域源漏极阻挡层沉积氮化物沉积氧化物热处理薄膜沉积金属污染退火处理退火工艺暗电流接触孔离子优化

[发明专利]集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构及其形成方法-CN201010164873.8无效
发明人：黎坡 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构，通过在衬底表面形成第一硅化物区域和第二硅化物区域，并形成与该第一硅化物区域和第二硅化物区域分别对应的第一开口和第二开口以引出测量电阻率用的两个电极，从而能够有效地对集成无源器件的衬底的电阻率进行测量，进而能够对衬底的电阻率进行监测，并得到各工艺制程对衬底的电阻率的热影响。而且，本发明公开了一种集成无源器件的衬底的电阻率的测量结构的形成方法，通过利用形成第一开口和第二开口的光罩来形成第一硅化物区域和第二硅化物区域，从而不用额外制作光罩而实现该测量结构，进而降低了成本，简化了制程
集成无源器件衬底电阻率测量结构及其形成方法

[发明专利]金属硅化物阻挡层的表面处理方法-CN201310391724.9无效
发明人：顾梅梅;张景春;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： C23C16/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属硅化物阻挡层的表面处理方法，应用于自对准硅化物工艺中，其特征在于，所述方法包括提供一衬底；于所述衬底的上表面制备一金属硅化物阻挡层；对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺，以去除所述金属硅化物阻挡层中的氢；旋涂光刻胶覆盖所述金属硅化物阻挡层的上表面；继续后续的自对准硅化物工艺步骤。通过本发明方法能够使得在对该金属硅化物阻挡层上涂布光刻胶之后，减少了出现球形缺陷的可能，提高了工艺制程的稳定性，改善了产品的良率。
金属硅阻挡表面处理方法

[发明专利]一种金属栅结构及其形成方法-CN202111376136.9在审
发明人：夏禹 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：栅氧层上形成有具有若干间隙的多晶硅栅；淀积一层氧化硅层；进行第一次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在间隙表面和多晶硅栅侧面的氧化硅层被保留；淀积一层氮化硅层；进行第二次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在间隙表面和多晶硅栅侧面的氮化硅层被保留；形成金属硅化物阻挡层；进行第三次光刻刻蚀工艺，使得覆盖在衬底表面的金属硅化物阻挡层被去除；在衬底上形成金属硅化物；利用湿法刻蚀工艺去除覆盖多晶硅栅的金属硅化物阻挡层，保留覆盖间隙的金属硅化物阻挡层。本发明解决了高压器件制程中由于在栅极上开槽导致的栅氧层易受后续制程污染的问题，提升了器件性能和良率。
一种金属结构及其形成方法

[发明专利]一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法-CN201410541481.7有效
发明人：胡春周 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种湿法刻蚀中清除晶圆表面缺陷的方法，该方法采用控片代替制程晶圆制作适当的含有硅化物的磷酸溶液，降低了生产成本；控片自带的氮化硅薄膜与磷酸反应生成用于抑制二氧化硅腐蚀的硅化物，有效避免了由于单独在磷酸中添加硅化物造成声场成本上升的问题；采用适当配比的磷酸与硫酸的混合溶液来去除控片中氮化硅腐蚀后在晶圆表面粘附的杂质，并以相同配比的磷酸和硫酸的混合溶液来清除制程晶圆表面杂质，使得晶圆表面无缺陷的情况下有效降低了产品的良率。
晶圆表面硅化物磷酸混合溶液湿法刻蚀控片配比制程硫酸腐蚀氮化硅薄膜二氧化硅磷酸反应磷酸溶液氮化硅粘附的晶圆良率声场自带去除生产成本制作

[发明专利]深次微米制程的静电放电保护装置的制造方法-CN03150709.3无效
发明人：高荣正 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-09-01 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：本发明提供一种深次微米制程的静电放电保护装置的制造方法。由于在深次微米的制程中，自行对准金属硅化物(Salicide)应用于包括静电放电(ESD)保护组件在内的晶体管源/漏区域时，不均匀的高电流将造成静电保护组件被破坏。为改善此问题，本发明采用自行对准金属硅化物阻隔的方式，令静电放电保护组件区域内无金属硅化物的形成，使漏极接触至多晶硅栅极间存在一电阻缓冲区，可让静电放电产生的高电流能够有一较均匀的方式将其排除掉，以避免静电放电保护结构被破坏
微米静电放电保护装置制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 42335 条