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[发明专利]碲化镉晶体生长装置及其生长方法-CN202011448699.X有效
发明人：狄聚青;朱刘;胡智向;苏湛;曾令康 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种碲化镉晶体生长装置及其生长方法。碲化镉晶体生长装置包括坩埚、封泡、炉体和温控装置。坩埚用于盛装碲原料和镉原料且具有第一端和第二端，坩埚的第一端封闭，坩埚的第二端通过封泡密封；炉体设置有炉腔，坩埚位于炉腔内，且炉腔由下至上依次设置有第一温区、第二温区和第三温区，温控装置设置于第一温区、第二温区和第三温区，用于加热第一温区、第二温区和第三温区并控制其温度；封泡设置于第一温区，坩埚的第一端设置于第三温区。本公开的碲化镉晶体生长方法使用碲化镉晶体生长装置进行碲化镉晶体生长，得到的碲化镉晶体具有高完整度、高品质，单晶比例高、红外透过性好。
碲化镉晶体生长装置及其生长方法

[发明专利]一种高纯碲的制备方法-CN202011644325.5有效
发明人：何志达;文崇斌;黄杰杰;李清宇 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯碲的制备方法，属于提纯技术领域。本发明所述高纯碲的制备方法将化学法与物理法相结合，首先通过化学氢化法将原料中的Se含量降低，随后在特定的提纯坩埚中以高纯籽晶诱导，在特定条件下生长高纯碲产品。该方法不仅操作步骤简单，可实现工业化大规模生产，同时所得产品的纯度高且规格统一。本发明还公开了一种用于本发明所述高纯碲的制备方法的提纯坩埚。
一种高纯制备方法

[实用新型]一种气体流量计保护罐-CN202221926177.0有效
发明人：钟金阳;聂海韬;陈强;聂伟贤 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01F15/14 文献下载
摘要：本实用新型属于气体缓冲装置技术领域，公开了一种气体流量计保护罐。包括顶部开口的罐体、与罐体可拆卸连接的顶盖，所述顶盖上设置进气管和出气管，所述罐体的底部设置排液管，排液管上设置排液阀门；所述进气管伸入罐体内，所述罐体内固定设置冷却介质套，所述冷却介质套上设置供进气管伸入的冷却通道，所述冷却介质套设置进液管和出液管；所述罐体侧壁设置供进液管和出液管穿过的进液开口和出液开口。本实用新型气体流量计保护罐结构简单，使用效果好，可避免精密的气体量流量计被腐蚀损坏，延长流量计的使用寿命。
一种气体流量计保护

[发明专利]一种区熔石墨舟的处理方法-CN202110365597.X有效
发明人：黄杰杰;何志达;李清宇 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C22B9/16 文献下载
摘要：本发明属于高纯金属材料领域，公开了一种区熔石墨舟的处理方法，包括以下步骤：（1）水淬：将石墨舟加热至400~500℃，然后快速将石墨舟放入纯水中进行水淬，清洗后烘干；（2）打磨抛光：将步骤（1）得到的石墨舟依次进行砂纸打磨、抛光工艺，至石墨舟表面粗糙度Ra不大于0.3；（3）超声清洗：将步骤（2）得到的石墨舟进行超声清洗工艺；（4）空载加热：将步骤（3）得到的石墨舟置于氢气氛围下，加热石墨舟至500~600℃，保温；（5）降温保存：将步骤（4）保温一段时间后的石墨舟降至室温，擦干净表面，保存。本发明方法能有效的去除石墨舟表面的杂质及内部非金属杂质，提高产品提纯效果。
一种石墨处理方法

[实用新型]一种结晶釜搅拌器-CN202221926216.7有效
发明人：钟金阳;聂海韬;陈强;聂伟贤 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B01F27/90 文献下载
摘要：本实用新型属于结晶技术领域，公开了一种结晶釜搅拌器。包括搅拌轴和U型结构的叶轮，所述搅拌轴的底端与叶轮的中间点固定连接、并将叶轮分为第一半叶轮和第二半叶轮，所述第一半叶轮和第二半叶轮的底部分别固定有第一搅拌块和第二搅拌块，所述第一搅拌块和第二搅拌块之间设置间隙。本实用新型的结晶釜搅拌器结构简单、坚固，使用该搅拌器增大搅拌接触面，减小搅拌器到结晶釜底部的距离，在搅拌固液混合物时，底部物料不容易沉淀结块。
一种结晶搅拌器

[发明专利]含低浓度钴镍溶液回收的方法-CN202210971851.5在审
发明人：覃瑜根;陈应红;聂伟贤;吴孝宝;郝进德 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C22B23/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种含低浓度钴镍溶液回收的方法，其包括以下步骤：步骤一，中和沉淀：将碳酸钠粉末加入低浓度钴镍溶液中，调pH值，搅拌至pH值不变再进行下一步骤；步骤二，深度中和沉淀：在调好pH值的钴镍溶液中，加入氢氧化钠调节pH值，搅拌至pH值无变化进行下一步骤；步骤三，深度除杂：在调好的强碱溶液中，加入硫化钠，升温后进行恒温反应；步骤四，压滤：将步骤三中和好的溶液，抽入压滤机，滤液压入污水储罐排入污水车间，滤饼装袋子待重新提炼钴镍。本公开的方法，使中和后的浆料极易过滤、过滤时间短、效率高、耗能小，易操作，且回收后污水排放能达到工业污水排放标准，提高了生产效率。
浓度溶液回收方法

[发明专利]从含银废液中回收银的方法-CN202210991088.2在审
发明人：陈强;钟金阳;陈应红;聂伟贤;吴孝宝 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2022-08-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C02F9/04 文献下载
摘要：本申请公开一种从含银废液中回收银的方法，其包括以下步骤：步骤一，含银废水配氨：向沉淀釜中加入含银废水至高液位后，开启搅拌，然后滴加氨水，溶液中首先出现褐色沉淀，随着氨水的滴加，沉淀溶解，溶液重新变成无色透明的溶液，继续搅拌；步骤二，合成氧化银反应：保持搅拌，向沉淀釜中加入氢氧化钠溶液，然后静置，再次开启搅拌并将溶液升温控制pH值；步骤三，压滤：将沉淀釜内的浆料压滤，压滤液到洗涤槽，之后压滤液在洗涤槽和压滤机之间循环，直至滤液清亮后依次通过两级精密过滤器排到污水车间；步骤四，洗涤：将滤饼卸到洗涤槽反复用纯水洗涤，直至洗涤液上清液电导率小于50us/cm。本发明工艺流程短，操作简单，可大批量处理含银废水。
废液回收方法

[发明专利]一种铝镍钴铁合金废料中钴和镍的回收方法-CN202210779179.X在审
发明人：吴孝宝;陈应红;聂伟贤;覃瑜根;郝进德 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及湿法冶金技术领域，尤其涉及一种铝镍钴铁合金废料中钴和镍的回收方法，包括：A)将铝镍钴铁合金废料在400～600℃下煅烧去磁后，制成粉料；B)将粉料、水和浓硫酸混合，进行硫酸浸出，得到浸出后液；C)将浸出后液升温至70～90℃，与氯酸钠混合，调整pH值为4～5，过滤得到滤渣和除铁后液；D)将除铁后液采用P204萃取剂、C272萃取剂和煤油萃取分离，得到硫酸镍钴溶液和含铝的有机相；E)将硫酸镍钴溶液采用P507萃取剂和煤油萃取分离，得到硫酸镍溶液和硫酸钴溶液；F)将硫酸镍溶液和硫酸钴溶液分别蒸发结晶，得到七水硫酸钴晶体和六水硫酸镍晶体。所述回收方法可以获得较高的钴回收率和镍回收率。
一种铝镍钴铁合金废料回收方法

[发明专利]一种腐蚀锗片的方法-CN202110461579.1有效
发明人：顾小英;赵青松;牛晓东;狄聚青 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23F1/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种腐蚀锗片的方法，包括以下步骤：A)将厚度差在±0.025mm内的锗片固定在同一卡槽内，然后将所述放有锗片的卡槽置于腐蚀液中，进行腐蚀；所述腐蚀液为体积比为(2～5):1的硝酸和氢氟酸的混合液；B)待腐蚀液开始冒红烟，在腐蚀液中缓慢加入纯水，直至红烟变黄烟，继续腐蚀1～2min；C)使用纯水稀释腐蚀液，然后取出卡槽，清洗锗片并干燥。本发明在腐蚀液开始冒红烟的时候缓慢加入纯水，使反应前期锗片可快速反应，并防止反应后期温度过高、反应过于激烈而导致的锗片表面发黑。本发明中的方法在保证腐蚀效率的同时，解决了现有酸腐蚀中反应速率难以控制，锗片表面易发黑的技术问题。
一种腐蚀方法

[发明专利]一种超高纯镉的酸洗工艺-CN202011328458.1有效
发明人：黄杰杰;朱刘;何志达;李清宇 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C23G1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种超高纯镉的酸洗工艺，包括以下步骤：将待清洗的超高纯镉依次使用酸洗液I、酸洗液II和酸洗液III进行酸洗，最后进行水洗，得到酸洗后的超高纯镉；所述酸洗液I为硝酸与水以体积比为1：(8～10)配制得到的硝酸水溶液；所述酸洗液II为硝酸与水以体积比为1：(15～20)配制得到的硝酸水溶液；所述酸洗液III为硝酸与醇类溶剂以体积比为1：(50～80)配制得到的硝酸醇溶液。经本发明中的酸洗工艺清洗后的镉块表面光亮、平整、无异色，经真空熔料后观察镉表面无氧化、变色的情况；经杂质检测分析，清洗后的镉块氧含量小于100ppb，符合客户使用需求。
一种高纯酸洗工艺

[发明专利]一种低密度氢氧化镍的制备方法-CN202210696103.0在审
发明人：吴孝宝;陈应红;聂伟贤;覃瑜根;郝进德 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C01G53/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种低密度氢氧化镍的制备方法，包括以下步骤：a)将硫酸镍晶体和氯化钠溶于水中，得到镍盐溶液；所述镍盐溶液中，镍离子浓度为20～100g/L，氯离子浓度为5～40g/L；b)将所述镍盐溶液与NaOH溶液混合进行低温合成反应，得到氢氧化镍浆料；所述反应的温度为‑10～0℃；c)对所述氢氧化镍浆料进行旋转膜洗涤，得到洗涤后氢氧化镍浆料；d)将所述洗涤后氢氧化镍浆料打入雾化干燥器进行雾化干燥，得到低密度氢氧化镍。本发明的制备方法制得的氢氧化镍具有较低的密度，较高的比表面积，且降低了生产成本；而且本发明的制备方法能够达到较高的产品收率和纯度。
一种密度氢氧化制备方法

[发明专利]一种超高纯镉晶体的制备方法-CN202010630158.2有效
发明人：黄杰杰;朱刘;何志达;李清宇 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高纯镉晶体的制备方法，属于高纯金属材料领域。本发明将原料镉在漏斗中熔料，以使其内的氧化渣料残留在漏斗中，从而使沿漏斗漏孔滴入或流入坩埚中的镉熔体无需经扒渣处理，即可光亮无氧化；另外，采用垂直提拉法对坩埚中的镉熔体进行提纯，所得晶体位错密度低、光学均匀性高、结构稳定，表面光亮无氧化，显金属本色，无需后续处理，可根据客户需要拉制不同产品的大小。
一种高纯晶体制备方法

[实用新型]一种锗片或锗锭的腐蚀装置-CN202121822504.3有效
发明人：牛晓东;赵青松;狄聚青;顾小英;朱刘 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种锗片或锗锭的腐蚀装置，腐蚀装置包括腐蚀筒体；所述腐蚀筒体内部设有垫板，所述垫板与所述腐蚀筒体的底部之间设有预设距离，所述预设距离大于0；所述垫板包括垫板本体及分布在所述垫板本体上的锥形凸起和孔；所述腐蚀筒体下方设有加热器。该装置设置锥形凸起，减少锗原料与腐蚀装置的接触面积，使得腐蚀彻底，腐蚀效果较好。锗料远离腐蚀筒体下方的加热器，受热均匀，减少裂纹的产生。
一种腐蚀装置

[实用新型]一种气体保护箱-CN202023162268.5有效
发明人：黄杰杰;朱刘;何志达;李清宇 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B65D81/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属材料技术领域，公开了一种气体保护箱，其包括箱体和与所述箱体连接的盖体，所述箱体和所述盖体之间形成有容纳腔，所述盖体用于覆盖或敞开所述容纳腔，所述容纳腔具有进气口和出气口，所述容纳腔还具有供金属块通过的放入口，所述放入口处连接有覆盖板，所述覆盖板能够覆盖或敞开所述放入口。本实用新型提供的气体保护箱能便于工作人员放入锌块的气体保护箱中，防止锌块氧化。
一种气体保护

[实用新型]一种高纯镓粒制备装置-CN202120733946.4有效
发明人：李清宇;黄杰杰;何志达;朱刘 -专利权人： 清远先导材料有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： F25D17/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及高纯镓粒制备技术领域，具体公开了一种高纯镓粒的制备装置。装置包括：手套箱，手套箱内设有加热板；制粒管，制粒管竖直穿过手套箱底部，使制粒管上部位于手套箱主箱体内，制粒管下部位于手套箱主箱体外，制粒管上部开口处设有可拆卸的密封开口的盲板，制粒管下部开口处设有产品收集槽；漏斗，漏斗与制粒管上部开口相适配；循环冷却系统；抽真空系统；供气系统。本实用新型装置创造性的将制粒管与手套箱密封连接，可直接在手套箱内对物料进行熔化、制粒、干燥和包装，大幅减少镓粒与空气的接触时间，同时对制粒管采用冷却剂循环制冷方式，保证了冷却剂温度和液面的稳定。
一种高纯制备装置

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