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[发明专利]半导体器件、金属-绝缘体-金属电容器结构及形成方法-CN202310347054.4在审
发明人：萧远洋;沈香谷 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本文公开了用于金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构的通孔阵列配置。示例性MIM电容器结构包括电容器底部金属层、位于电容器底部金属层上方的第一介电层、位于第一介电层上方的电容器中部金属层、位于电容器中部金属层上方的第二介电层以及位于第二介电层上方的电容器顶部金属层。具有第一金属通孔和第二金属通孔的金属通孔阵列被连接到电容器顶部金属层和电容器底部金属层。电容器顶部金属层的部分覆盖从第一金属通孔延伸到第二金属通孔的第二介电层的区域。本发明的实施例还提供了半导体器件和形成金属‑绝缘体‑金属电容器结构的方法。
半导体器件金属绝缘体电容器结构形成方法

[发明专利]金属层-绝缘层-金属层电容器及其制作方法-CN201510660408.6在审
发明人：张智侃;陈俭;张斌 -专利权人：格科微电子(上海)有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种金属层-绝缘层-金属层电容器的制作方法，适于应用于集成电路的片内电容，包括：提供第一金属层，提供位于第一金属层表面的第一介质层，定义电容区域；刻蚀电容区域的第一介质层形成若干通孔或沟槽，暴露出第一金属层表面；于第一介质层表面、通孔或沟槽的侧壁以及暴露出的第一金属层表面依次形成电容下极板、电容介质层、电容上极板；于通孔或沟槽中填充形成导电塞层；于第一介质层上形成第二金属层。本发明通过采用立体结构的MIM电容器，增加了电容上、下极板相对应的有效电极面积，提高了电容密度，可在有限的芯片面积上实现较大的电容值，满足了LCD驱动电路、RFCMOS电路等大电容集成电路的需求，适于应用于集成电路的片内电容
金属绝缘电容器及其制作方法

[发明专利]电路板及其制作方法-CN201510709855.6在审
发明人：黄昱程 -专利权人：碁鼎科技秦皇岛有限公司;臻鼎科技股份有限公司
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H05K1/16 文献下载
摘要：一种电路板的制作方法，其包括工序提供一电容基板，电容基板的相对两侧具有第一铜箔层和第二铜箔层；蚀刻第一铜箔层和第二铜箔层形成第一电容线路层和第二电容线路层，得到电容单元；在第一电容线路层上方依次形成第一绝缘层、电阻基板以及第三铜箔层，在第二电容线路层下方形成第二绝缘层、第四铜箔层，得到内嵌有电容单元的基板；在基板上形成盲孔，并对盲孔进行电镀，形成导电柱，第三铜箔层和第四铜箔层分别通过导电柱与第一电容线路层和第二电容线路层导通；蚀刻第三铜箔层、第四铜箔层和电阻基板，形成第一导电线路层和第二导线电路层和电阻线路层。
电路板及其制作方法

[发明专利]半导体存储器电容连接线结构及制备方法-CN201811100903.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体存储器电容连接线结构及制备方法，制备方法包括如下步骤：1)提供半导体衬底，表面包含若干有源区及若干位线；2)在半导体衬底上形成层间介质层；3)在层间介质层内形成第一电容连接孔；4)在第一电容连接孔内形成牺牲介质层，至少填满所述第一电容连接孔；5)在层间介质层内形成第二电容连接孔，且通过层间介质层与第一电容连接孔分隔；6)去除牺牲介质层，并在第一电容连接孔和第二电容连接孔中填满导电层使用本发明的制备方法得到的电容连接线结构不仅能确保电容连接线结构具有良好的形貌及电性，还能加强电容连接线结构与位线的隔离效果，减少寄生电容。
半导体存储器电容连接线结构制备方法

[实用新型]一种立式叠层电容器-CN201821387048.2有效
发明人：陈祈玮;林薏竹 -专利权人：丰宾电子（深圳）有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种立式叠层电容器，包括叠层电容单元、绝缘的封装体和导电的引出部，叠层电容单元包括阴极端子、绝缘隔离部和阳极端子，若干叠层电容单元层叠形成叠层电容体，且叠层电容单元沿叠层电容体的最短边的延伸方向层叠，阴极端子之间连接，形成叠层电容体的阴极，阳极端子之间连接形成叠层电容体的阳极，封装体封装叠层电容体，叠层电容体的阴极和阳极分别通过引出部引出。本实用新型在相同空间体积下相较于卧式堆叠结构可大大提升堆叠层数,在维持电容量的同时优化等效串联电阻，并将薄型化趋势对于电子元件设计局限降至最小,有助于维持且优化产品在薄型化后的电气特性。
叠层电容体电容单元电容器阴极本实用新型阳极立式叠层阳极端子阴极端子薄型化封装体引出部等效串联电阻绝缘隔离部电气特性堆叠结构电容量堆叠层导电短边绝缘封装优化局限延伸

[发明专利]电容堆叠结构及其形成方法-CN202211258826.9在审
发明人：骆中伟 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请提供了一种电容堆叠结构及其形成方法，所述方法包括：形成包括多个第一电容的第一电容层结构；于所述第一电容层结构的第一表面形成包括第二电极相互连接的多个第二电容的第二电容层结构，或于所述第一电容层结构的第二表面形成包括第一电极相互连接的多个第二电容的第二电容层结构，其中，所述第一电容层结构的第一表面与所述第一电容层结构的第二表面为两个相对的表面。上述技术方案，能够在在增高电容高度以增大电容容量的情况下，避免电容失效，解决堆叠结构的电容容量随晶体管尺寸缩小而减小的问题。
电容堆叠结构及其形成方法

[发明专利]嵌入结构的MIM电容及其制造方法-CN201911363247.9有效
发明人：陈瑜 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入结构的MIM电容，层间膜形成在第一层金属连线和第二层金属连线之间；MIM电容形成于层间膜表面且包括依次叠加的电容下电极、电容绝缘介质层和电容上电极；电容下电极通过底部第一通孔和第一层金属连线连接，第一层金属连线延伸到电容下电极外部并通过位于电容下电极外部第二通孔将第一层金属连线连接到第二层金属连线形成的下电极引出结构；在MIM电容的侧面形成有侧墙；第二层金属连线形成的上电极引出结构覆盖在MIM电容的所述电容上电极的表面并延伸到MIM电容外的层间膜表面；上电极引出结构和电容下电极通过侧墙隔离。本发明还公开了一种嵌入结构的MIM电容的制造方法。本发明能提高电容的性能和可靠性。
嵌入结构 mim 电容及其制造方法

[发明专利]一种穿戴设备及其控制方法-CN201810326778.X有效
发明人：杨毅;刁宇;高帅;李伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本文公开了一种穿戴设备及其控制方法，电容生成电路，包括相对设置的第一柔性电容电极层和第二柔性电容电极层；第一柔性电容电极层和柔性第二电容电极层之间填充可形变介质；表面肌电信号传感器，设置于第一柔性电容电极层远离第二柔性电容电极层的一侧，用于采集表面肌电信号；其中，当所述穿戴设备被佩戴时，传感器层为最靠近肌肤的一侧；电容检测电路，用于测量第一柔性电容电极层和第二柔性电容电极层之间的电容；控制器，用于根据所述表面肌电信号，或者根据所述表面肌电信号和所述电容识别动作
一种穿戴设备及其控制方法

[发明专利]耐高压电容器组件和组装方法-CN201580042256.1有效
发明人： O.博 -专利权人：西门子公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器组件和一种组装电容器组件的方法。电容器组件具有至少两个电容器叠层，所述电容器叠层具有包括顶层和底层的层结构。支撑组件支撑电容器叠层。电容器叠层在支撑组件中堆叠在彼此的顶部上。支撑组件具有压缩构件，其在基本上垂直于层结构的方向上压缩至少两个电容器叠层。压力分布装置调节由压缩构件施加到电容器叠层的压力的分布。
高压电容器组件组装方法

[发明专利]电磁电容一体式触摸屏及其制作方法-CN201310077957.1在审
发明人：许向东 -专利权人：深圳市信濠精密技术股份有限公司
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：一种电磁电容一体式触摸屏，包括电磁电容感应层和电磁电容驱动层；在电磁电容感应层和电磁电容驱动层的导电层上分别间隔地、彼此平行阵列排布着电磁线和电容线，电磁电容感应层和电磁电容驱动层层叠地粘合为一体;电磁电容感应层和电磁电容驱动层的各电磁线和电容线分别通过位于电磁电容感应层和电磁电容驱动层外沿处的电磁连接线和电容连接线分别一一连接至位于所述电磁电容一体式触摸屏边缘处的异向导电薄膜上本发明的有益效果是：电容、电磁触摸功能都在同一个ITO膜上实现，产品厚度明显变薄，更利于使用；同时，制作工艺简化，成本低，易于实施。
电磁电容体式触摸屏及其制作方法

[发明专利]电容式内嵌触控屏及显示装置-CN201410667531.6有效
发明人：徐向阳 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明提供一种电容式内嵌触控屏，其包括基板及设置在所述基板上的黑矩阵，所述电容式内嵌触控屏还包括第一电容触控层、绝缘层及第二电容触控层，所述第一电容触控层形成于所述黑矩阵上，绝缘层形成于所述第一电容触控层上，所述第二电容触控层形成于所述第二电容触控层上并与所述第一电容触控层上呈栅格状叠加相交设置。
电容式内嵌触控屏显示装置

[发明专利]薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器-CN200510092218.5有效
发明人：具在本;徐旼彻;牟然坤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-05-24 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管和采用该薄膜晶体管的平板显示器，包括栅极，源极和漏极，有机半导体层和栅极绝缘层。第一电容是位于有机半导体层、电极和栅极绝缘层彼此接触的第一点的电容，第二电容是位于有机半导体层与栅极绝缘层相接触的第二点的电容，第三电容是位于电极与栅极绝缘层相接触的第三点的电容，第四电容是一位于有机半导体层与电极相接触的第四点的电容第一电容比第二电容、第三电容和第四电容中的一个大。
薄膜晶体管采用平板显示器

[发明专利]一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法-CN201310115731.6有效
发明人：闵炼锋;缪海生;刘长安 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其包括：先在硅片上沉积电容下电极板、然后在电容下电极板上沉积介质层，再在电容的介质层上沉积一层氮化钛缓冲层、最后在氮化钛缓冲层上沉积电容上电极板。本发明的方法在电容上电极板的金属层与介质层之间沉积一层氮化钛缓冲层作为应力缓冲层，使得介质层上下应力达到平衡，能够从本质上改善电容分层的情况。
一种改善半导体电容制程中介质分层方法

[发明专利]电容阵列及其制备方法和半导体存储结构-CN201911147222.5有效
发明人：吴秉桓 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本申请涉及一种电容阵列制备方法、电容阵列和半导体存储结构。其中，制备方法包括：在衬底上形成牺牲层和覆盖牺牲层的格架结构层；刻蚀格架结构层和牺牲层，形成暴露出衬底的电容孔阵列；在电容孔的内壁形成下电极层；刻蚀格架结构层形成开口，通过开口去除牺牲层，并形成切割槽，切割槽将电容孔阵列切割为至少两个子区域并切断各子区域之间的格架结构层的连接；在电容孔内形成电容介质层和上电极层，上电极层通过电容介质层与下电极层隔离。通过形成切割槽，将格架结构层切割为多个小区域，避免电容孔形变，由此提高器件的电性性能。
电容阵列及其制备方法半导体存储结构

[发明专利]电容单元及其制造方法-CN202110198057.7在审
发明人：叶国裕;林维昱 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开一种电容单元及其制造方法，所述制造方法主要包括提供载板，在载板上形成金属层，并在金属层上定义各金属区块，在各金属区块上形成各中间堆叠结构，其具有电性连接金属区块的第一电容导电层、第二电容导电层、位于第一电容导电层和第二电容导电层之间的电容绝缘层，移除载板以外露各金属区块并形成独立的多个电容单元，各金属区块和各中间堆叠结构中的第二电容导电层分别作为各电容单元的底面电极和顶面电极。由此，本发明可制作具有高电容的双面式电容单元。
电容单元及其制造方法