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- [发明专利]存储器件及其制造方法-CN201010157573.7有效
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梁擎擎;钟汇才
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中国科学院微电子研究所
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2010-04-21
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2011-11-09
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H01L27/108
- 本发明公开了一种存储器件及其制造方法，所述存储器件包括在半导体层中形成的MOSFET，以及位于MOSFET下方的电容器结构，所述电容器结构包括两个电容器电极，所述MOSFET的源区和漏区之一与所述两个电容器电极之一电连接，其中，所述电容器结构包括交替堆叠的多个第一叠层电容器和多个第二叠层电容器，所述多个第一叠层电容器和所述多个第二叠层电容器各自包括上极板、下极板和夹在二者之间的电介质层，所述多个第一叠层电容器和所述多个第二叠层电容器通过所述两个电容器电极并联连接，并且所述多个第一叠层电容器中的每一个的下极板与位于其下方的第二叠层电容器的上极板由公共的第一电极层形成，所述多个第二叠层电容器中的每一个的下极板与位于其下方的第一叠层电容器的上极板由公共的第二电极层形成，其中，所述第一电极层和所述第二电极层由不同的导电材料组成。
- 存储器件及其制造方法
- [实用新型]一种配电控制设备用储能电容-CN202122663111.9有效
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梁娟;张新浩
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常州谨峰电能科技有限公司
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2021-11-02
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2022-04-05
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H01G2/10
- 本实用新型属于储能电容技术领域，具体的说是一种配电控制设备用储能电容，包括安装座；所述安装座上安装有电容本体；所述电容本体在安装座上安装有两个；所述电容本体的内部设置有电容内芯、第一绝缘层、第二绝缘层和真空层；所述电容内芯安装在电容本体的中心位置；所述电容内芯的外表面上固接有第一绝缘层；所述第一绝缘层的外界设有第二绝缘层；所述第一绝缘层与第二绝缘层之间开设有真空层；通过在电容内芯的外界设置第一绝缘层与第二绝缘层，以及在第一绝缘层与第二绝缘层之间开设真空层的结构设计,实现了对储能电容内部进行绝缘的功能，解决了现有的储能电容绝缘性能差，容易出现事故的问题。
- 一种配电控制备用电容
- [发明专利]显示面板及显示终端-CN202111639793.8在审
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刘倩
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广州华星光电半导体显示技术有限公司
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2021-12-29
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2022-04-12
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H01L27/12
- 本发明提供一种显示面板及显示终端，显示面板包括栅极驱动电路，栅极驱动电路包括级联的多个驱动单元电路，每一驱动单元电路包括至少一薄膜晶体管，薄膜晶体管包括第一金属层、有源层、第二金属层以及第三金属层；第二金属层与第一金属层之间形成第一电容；第三金属层与第二金属层之间形成第二电容，第三金属层与第一金属层之间形成第三电容；第一电容、第二电容以及第三电容组合而成驱动单元电路的自举电容；本发明的第三金属层分别与第一金属层、第二金属层之间形成电容以及部分第二金属层与第一金属层之间形成电容，可以替代现有技术中的自举电容，去除了额外增加的第二金属层与第一金属层大面积交叠部分，从而可以优化空间，缩小边框。
- 显示面板终端
- [发明专利]电容阵列结构及其形成方法-CN202010169180.1有效
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盛超军;胡文佳
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长鑫存储技术有限公司
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2020-03-12
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2022-03-18
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H01L21/768
- 本发明涉及一种电容阵列结构及其形成方法。所述电容阵列结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底表面暴露有电容触点，所述基底包括阵列区域和外围区域；形成覆盖所述基底和所述电容触点的底部支撑层，所述底部支撑层中具有缝隙；形成填充所述缝隙、并覆盖所述电容触点和所述底部支撑层表面的填充层，且位于所述外围区域的所述填充层厚度大于位于所述阵列区域的所述填充层厚度；形成沿垂直于所述基底的方向交替堆叠的支撑层和牺牲层；形成电容孔；依次形成下电极层于所述电容孔的内壁、电介质层于所述下电极层的表面、以及上电极层于所述电介质层的表面，形成电容器。本发明缓解了电容阵列结构的延迟效应。
- 电容阵列结构及其形成方法
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