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[发明专利]一种专用电容器的制造方法-CN201410288518.X在审
发明人：沈攀攀 -专利权人：沈攀攀
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种专用电容器的制造方法，包括沉积层间介质层；采用铜互连工艺在层间介质层中形成电容区，电容区包括相互平行的铜互连线及铜互连线之间的层间介质；刻蚀电容区中铜互连线间的层间介质；沉积一层高介电常数介质本发明采用高介电常数介质作为金属层间膜，不但提供了比MIM电容大的电容面积并实现多层结构，而且提供了比普通MOM电容高的电容密度，从而实现了在相同面积上更高的电容值。
一种专用电容器制造方法

[实用新型]集成电路电容器及半导体器件-CN201820849679.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成电路电容器及半导体器件，所述集成电路电容器包括第一电极板，位于第一电极板上的电容介电层以及位于电容介电层上的第二电极板，电容介电层包括多层结晶态第一介电层，且第一介电层中掺杂有至少一种掺杂元素，以促使第一介电层的结晶态呈四方晶态结构，以此获取较高K值的结晶态第一介电层，提升电容器的电容值，优化电容介电层电容特性。
电容介电层介电层集成电路电容器电极板结晶态半导体器件电容器本实用新型掺杂元素电容特性晶态结构电容多层掺杂优化

[发明专利]一种防爆电容器-CN201610593501.4在审
发明人：王凯 -专利权人：迪百仕电机科技（苏州）有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01G2/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种防爆电容器，包括电容器壳体、电容芯子模组以及防爆层，电容芯子模块的上部连接安装在电容器壳体内的上极板，电容芯子模块的下部连接安装在电容器壳体内的下极板，上极板和下极板均开设有多个散热通槽连接电容器壳体，电容器壳体的开口处安装有密封盖，电容器壳体与电容芯子模块之间还安装有一防爆层，防爆层与电容器壳体、防爆层与密封盖之间预留有间隙。本发明结构优化，在电容器壳体与电容芯子模块之间增设一防爆层，即使电容器壳体爆裂，防爆层对电容芯子模块能够起到保护作用，使得电容芯子模块可以再利用，降低资源浪费，显著缩小成本，使用方便，实用性高。
一种防爆电容器

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202110779496.7在审
发明人：刘翔 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底，基底上具有电容接触区；在电容接触区上形成缓冲层，缓冲层在基底上的正投影覆盖电容接触区在基底上的正投影；在缓冲层上形成导电层，导电层和缓冲层构成电容接触结构，且导电层的材质为钨。本申请通过对电容接触结构进行改进，该电容接触结构包括缓冲层和导电层，且导电层的材质全部为钨，与相关技术中，电容接触结构包括多晶硅层、缓冲层和导电层的技术方案相比，可以显著降低电容接触结构的电阻，进而提高半导体结构的性能
半导体结构及其制备方法

[发明专利]半导体存储器件结构及其制作方法-CN201810207850.7有效
发明人：吴双双 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法，半导体存储器件结构包括半导体衬底、双面电容器、底部支撑层、中部支撑层及顶部支撑层。半导体衬底具有多个电容触点，双面电容器包括第一导电层、覆盖于第一导电层的电容介质层、及覆盖于电容介质层的第二导电层。底部支撑层连接于第一导电层的底部侧壁。中部支撑层连接于第一导电层的中部侧壁；顶部支撑层连接于第一导电层的顶部侧壁，第一导电层具有凸出于顶部支撑层的凸出部，凸出部被电容介质层及第二导电层包覆。本发明利用多层支撑层来维持足够的电容高度，解决了电容器阵列区域横向不稳定问题，并且不需要额外增加下电极的厚度甚至可降低下电极的厚度，可有效提高电容器的容量。
半导体存储器件结构及其制作方法

[实用新型]半导体存储器件结构-CN201820344715.2有效
发明人：吴双双 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体存储器件结构，半导体存储器件结构包括半导体衬底、双面电容器、底部支撑层、中部支撑层及顶部支撑层。半导体衬底具有多个电容触点，双面电容器包括第一导电层、覆盖于第一导电层的电容介质层、及覆盖于电容介质层的第二导电层。底部支撑层连接于第一导电层的底部侧壁。中部支撑层连接于第一导电层的中部侧壁；顶部支撑层连接于第一导电层的顶部侧壁，第一导电层具有凸出于顶部支撑层的凸出部，凸出部被电容介质层及第二导电层包覆。本实用新型利用多层支撑层来维持足够的电容高度，解决了电容器阵列区域横向不稳定问题，并且不需要额外增加下电极的厚度甚至可降低下电极的厚度，可有效提高电容器的容量。
第一导电层半导体存储器件电容器电容介质层顶部支撑层本实用新型底部支撑层第二导电层中部支撑凸出部下电极衬底半导体电容器阵列区域底部侧壁顶部侧壁多个电容稳定问题中部侧壁电容支撑层包覆触点多层覆盖

[发明专利]印刷电路板埋嵌入电容结构-CN201610681931.1在审
发明人：赵波;姜雪飞;刘东 -专利权人：深圳崇达多层线路板有限公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明适用于印刷电路板技术领域，提供了一种印刷电路板埋嵌入电容结构包括多层电路板以及埋嵌设于多层电路板内的电容层介质，多层电路板设有多个测试孔，电容层介质对应于多层电路板的各层设有测试层，各测试孔与所对应层的测试层电性连接该印刷电路板埋嵌入电容结构通过在多层电路板内埋设电容层介质，并于电容层介质对应于多层电路板的各层设有测试层，通过各测试孔与所对应层的测试层电性连接，以形成埋嵌电容测试模块，可以量测出因为多层电路板的各层间偏移造成电容区域面积变化而导致电容值的损耗量，从而为控制电容层介质的层间偏移量提供数据分析，可有效控制埋嵌电容值的公差，满足客户需求，同时使电容测试标准化。
印刷电路板嵌入电容结构

[实用新型]手机保护膜-CN201520521781.9有效
发明人：吴清渠 -专利权人：吴清渠
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手机保护膜，包括保护膜本体，该手机屏幕保护膜还包括第一电容导电层和第二电容导电层，所述第一电容导电层贴附在保护膜本体上与手机屏幕相对应区域的左上方，所述第二电容导电层粘附在保护膜本体的左下方，所述第一电容导电层和第二电容导电层电连接。本实用新型将第一电容导电层粘附在保护膜上与手机屏幕上的返回键对应处，将第二电容导电层粘附在保护膜的左下方，通过导条将第一电容导电层和第二电容导电层连接起来，使手机保护膜粘贴在手机屏幕上时，触按第二电容导电层就能通过第一电容导电层对手机屏幕上的返回键进行触按
手机保护膜

[实用新型]一种耐腐蚀性好的聚丙烯粉包电容器-CN202121522700.9有效
发明人：毛子潇 -专利权人：无锡市米嘉电子科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01G2/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及电容器技术领域，且公开了一种耐腐蚀性好的聚丙烯粉包电容器，包括电容器，所述电容器的内部设置有耐磨层，所述电容器的内部设置有防静电层，所述电容器的内部设置有耐高温层，所述电容器的内部设置有耐腐蚀层，所述电容器的内部设置有防水层，所述电容器的内部设置有绝缘层，所述耐磨层的底部与防静电层的顶部连接，所述防静电层的底部与耐高温层的顶部连接，所述耐腐蚀层的底部与防水层的顶部连接，通过设置耐磨层，使电容器在使用过程中，防止磨损过度而导致漏电损坏，能够使用的寿命更长，通过设置防静电层，达到了使电容器具有防静电的功能，使得电容器在作业过程中的电流不会对人员造成伤害的目的。
一种腐蚀性聚丙烯电容器

[发明专利]绝缘栅型半导体装置及其制造方法-CN200510107043.0有效
发明人：久保博稔;东条润一郎;斋藤洋明;恩田全人;岩田哲;柳田正道 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法，为降低槽型MOSFET的电容，在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是，绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同，可抑止接缝的产生等，可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅，由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用，故可提供低电容的绝缘栅型器件。
绝缘半导体装置及其制造方法

[实用新型]驱动基板和显示面板-CN201820709451.6有效
发明人：秦旭;许骥;张露;胡思明;韩珍珍 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2018-05-14 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：多个第一像素驱动单元包括第一储存电容。第一储存电容包括在基底表面依次设置的第一电极层、第一介质层和第二电极层。第一电极层和第二电极层的相对面积为第一电容面积。多个第二像素驱动单元包括第二储存电容。第二储存电容包括在基底表面依次设置的第三电极层、第二介质层和第四电极层。第三电极层和第四电极层的相对面积为第二电容面积。第二电容面积小于第一电容面积。通过使得第一储存电容的容值大于第二储存电容的容值，进而使得第一信号线的电容负载与第二信号线的电容负载趋于相同，进而可以使屏体的异形显示区与正常显示区的亮度趋于相同。
储存电容电容像素驱动单元第二电极第三电极第一电极电容负载基底表面驱动基板显示面板依次设置电极层介质层第二信号异形显示正常显示异形区正常区基底屏体申请

[实用新型]一种振膜-CN201620216901.9有效
发明人：赵国栋;汲鹏程;杨鑫峰 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H04R9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种振膜，其包括环状支撑件、第一振膜层和电路层，环状支撑件包括支撑主体和内孔，第一振膜层与支撑主体固定连接，电路层位于第一振膜层邻近振动音圈的表面上、并与第一振膜层和支撑主体固定连接，电路层上设有电路区、电容区和电容焊盘，其中，电路区与电容区和电容焊盘相连，电容焊盘与支撑主体相对应。本实用新型的电容区设在电路层上，即电容器的下极板直接设在电路层上，同时环状支撑件对第一振膜层和电路层起到支撑的效果，且电容焊盘与支撑主体相对应，这样，与电容焊盘相连接的采集电容数据的引线不会随着振膜一起振动，从而采集电容数据的引线不会因振动而断裂，保证了电容数据采集的可靠性。
一种

[发明专利]阵列基板以及显示面板-CN202010003349.6在审
发明人：李源规 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阵列基板以及显示面板，阵列基板包括：具有电容区和非电容区的衬底基板；存储电容，位于电容区；存储电容包括沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一电极层、第一电介质层、第二电极层、第二电介质层和第三电极层，第三电极层通过第一过孔与第一电极层电连接且与第二电极层绝缘；还包括位于非电容区的绝缘层，第一电介质层和/或第二电介质层的厚度小于与其同层设置且材料相同的位于所述非电容区的绝缘层的厚度。本发明实施例提供的技术方案通过增加存储电容和改变电介质层的厚度这两者相结合的方式，增大了存储电容的电容值，促使显示面板在一帧时间内保持不变的亮度，进而显示稳定的画面。
阵列以及显示面板

[发明专利]一种堆叠结构的滤波器、集成电路和电子设备-CN202310816918.2在审
发明人：秦坤;程伟;左成杰;何军 -专利权人：安徽云塔电子科技有限公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H03H7/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种堆叠结构的滤波器、集成电路和电子设备，该堆叠结构的滤波器包括：在第一方向上堆叠设置的电感层和电容层；电容层包括电容，电感层包括第一电感，第一电感位于电感层背离电容层一侧的表面；电感层具有第一通孔，第一电感通过第一通孔与电容层连接。也就是说，该滤波器采用电容电感分离的设计方式，电感层上的第一电感位于整个结构的上方，尽可能的远离电容层，避免第一电感的性能被电容层影响，并且该电感层为单层结构，第一电感只需通过一个第一通孔即可实现与电容层的连接，电感层内部无需额外的过渡孔盘，可以降低寄生电容，实现高Q值电感的设计，形成一种低插损、高抑制滤波器。
一种堆叠结构滤波器集成电路电子设备

[发明专利]光敏电容、光感测电路、基板及其制造工艺和显示装置-CN200810067938.X有效
发明人：廖维仑;叶冠华;刘佳玫;吴宏基 -专利权人：群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司
申请日： 2008-06-20 - 公布日： 2009-12-23 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明提供一种光敏电容、光感测电路、薄膜晶体管基板及其制造工艺和液晶显示装置。该光敏电容包括一电容电极、一设置在该电容电极上的绝缘层和一设置在该绝缘层上的半导体层。其中，该半导体层包括依次设置在该绝缘层上的非掺杂非晶硅层和掺杂非晶硅层。该光敏电容的电容值随光强度变化而变化。该光敏电容的结构简单。
光敏电容光感测电路及其制造工艺显示装置

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