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[发明专利]电子组件-CN201910184455.6有效
发明人：赵范俊;金起荣;罗在永 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01G4/40 文献下载
摘要：所述结合构件包括锡(Sn)基焊料层；锡‑铜基合金焊料层，设置在所述锡基焊料层与所述外电极之间；以及锡基合金焊料层，设置在所述锡基焊料层与所述金属框架之间。
电子组件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610005485.9无效
发明人：玉川道昭;南泽正荣 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：通过含焊料碳构件结合半导体元件与作为散热构件的壳体，该含焊料碳构件具有如下结构：在含焊料碳烧结体的表面上形成外焊料层，该含焊料碳烧结体通过使用焊料浸渍碳烧结体而形成。通过使用廉价焊料浸渍烧结体，可紧密结合烧结体与外焊料层。通过外焊料层，可紧密结合半导体元件与壳体。因此，可以低成本实现具有高可靠性和优异散热性的半导体器件。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种钎焊立方氮化硼工具-CN202123282140.7有效
发明人：王波;林宗良;郭坤;丁潇杰;蔡昌鹏 -专利权人：江苏韦尔博新材料科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： B24D7/00 文献下载
摘要：本实用新型所述钎焊立方氮化硼工具包括一个钢基体，其设有一个工作面；焊接于钢基体工作面上的一层镍基焊料合金层，镍基焊料在钢基体工作面上铺展均匀；以及若干个镀钛CBN磨粒，镀钛CBN磨粒均匀的排布于镍基焊料合金层上，镀钛CBN磨粒底部被镍基焊料合金层包埋，通过镍基焊料合金层钎焊在钢基体的工作面上。本实用新型所述钎焊镀钛CBN工具中镀钛CBN磨粒在钎焊工具表面出露完整，磨粒表面清洁无焊料包覆，磨削锋利，且焊料层耐磨，能承受更大的磨削负载，磨削效率高。
一种钎焊立方氮化工具

[发明专利]焊料凸点制作方法-CN200610026343.0无效
发明人：钟志明;李德君 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-05-08 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种新的焊料凸点的制作方法。该方法可以防止焊料凸点下金属层被过度刻蚀。本发明的特征是，分别形成焊料凸点下的电镀铜层和位于电镀铜层上的镍隔离层，使镍隔离层完全覆盖位于其下的电镀铜层，以防止在随后进行的各向同性刻蚀中电镀铜层被刻蚀，并在各电镀铜层中形成底切现象，即向内凹进的切口由此，可以防止所形成的焊料凸点导电率下降，提高了焊料凸点和半导体器件的可靠性。
焊料制作方法

[发明专利]铝油冷器-CN201410214127.3有效
发明人：王挺;胡恩波;李其坤 -专利权人：宁波申江科技股份有限公司
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： F01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝油冷器，包括箱体(1)、进水管(2)和出水管(3)，所述的进水管(2)和出水管(3)的一端设有凸筋(4)，所述的凸筋(4)与箱体(1)侧壁之间设有焊料垫圈(5)；所述的焊料垫圈(5)依次由上焊料层(5.1)、铝基材层(5.2)和下焊料层(5.3)组成，其中：所述的上焊料层(5.1)和下焊料层(5.3)的组分和重量百分比为：Si 5％～12％；Fe 0.1～1.0％；Mn 0.005～0.025％
铝油冷器

[实用新型]一种靶材组件-CN201420001795.3有效
发明人：陈俊杰;黄威智;方家芳 -专利权人：昆山全亚冠环保科技有限公司
申请日： 2014-01-02 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种靶材组件，靶材组件包括背板和靶材，背板的焊合表面设有低熔点的背板焊料层，靶材的焊合表面从内到外依次设有等离子喷涂界面层和低熔点的靶材焊料层；背板焊料层与靶材焊料层软焊接。
一种组件

[发明专利]电路板组件的检测方法-CN201810132447.2有效
发明人：张益铭;谢世南 -专利权人：飞旭电子（苏州）有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：一种电路板组件的检测方法，包含以下步骤：在焊接电子元件于电路板形成电路板组件之前，测量焊料层的几何特征值，并和预设值做比较而将焊料层定义优等、中等、劣等或极劣等焊料层，对定义为极劣等焊料层的电路板进行不良品工序；之后，焊接电子元件于电路板并测量焊接层的质量特征值，并和另一预设值做比较而将焊接层定义为良好或较差焊接层；人工检测同时具有中等焊料层与较差焊接层的电路板组件；通过上述检测方法，可有效降低需人工检测的电路板组件的数量
电路板组件检测方法

[发明专利]热电模块以及其制造方法-CN201810509372.5在审
发明人：郭真佑;金炳旭;宋京花;黄炳辰;延炳勋;孙景铉;金钟培;杨丞浩;朴宰成 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：热电模块包括：电极、双层以及焊料层；所述双层堆叠在热电块上，所述焊料层插置在所述双层与所述电极之间，从而将所述双层结合至所述电极，所述焊料层包含Sn‑Cu基合金。所述焊料层形成为具有与所述双层和所述电极中的一个的界面，并包括具有ε相(Cu₃Sn)的至少一个ε层。
电极焊料层热电模块双层堆叠基合金插置热电制造申请

[发明专利]柔性电路板及其制造方法、显示装置-CN202110918715.5有效
发明人：舒洋;王天府;汤强;王景雷 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本公开提供一种柔性电路板及其制造方法、显示装置，该柔性电路板包括主板及小板，主板上设有暴露部分第一导电层的至少一个第一焊接区，小板上设有暴露部分第二导电层的至少一个第二焊接区，第二焊接区包括焊孔，第二焊接区在主板上的正投影与第一焊接区至少部分交叠，第一导电层与第二导电层之间通过焊接结构连接；焊接结构包括：第一层焊料，位于第一焊接区所暴露的第一导电层部分之上；第二层焊料，位于第二焊接区所暴露的第二导电层部分之上，且第二层焊料至少部分通过焊孔，与第一层焊料焊接固定；及高熔点连接件，高熔点连接件一端位于第一层焊料内，另一端位于焊孔内的第二层焊料内，高熔点连接件的熔点高于第一层焊料和第二层焊料的熔点。
柔性电路板及其制造方法显示装置

[实用新型]半导体封装结构-CN202022228292.8有效
发明人：李仲培 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：根据一实施例的半导体封装结构包括：基板，其具有上表面；焊料掩模层，其设置在上表面，焊料掩模层限定焊料掩模开口区域。焊料掩模层包括：第一部分，其具有大体上水平表面；及第二部分，其具有连接到大体上水平表面的倾斜表面。本申请实施例提供的半导体封装结构消除了焊料掩模层底切和空隙陷阱，因而具有良好的封装质量和可靠性。
半导体封装结构

[发明专利]真空玻璃封接方法及真空玻璃、真空玻璃封接用焊料带-CN202110024560.0在审
发明人：张红霞;李海洋;张亚飞 -专利权人：洛阳兰迪玻璃机器股份有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C03C27/06 文献下载
摘要：本发明涉及真空玻璃封接方法及真空玻璃、真空玻璃封接用焊料带。真空玻璃封接方法为：在两玻璃基板的金属化层之间沿玻璃基板周向连续布置至少两个焊料带，其中处于玻璃基板拐角位置的焊料带具有与玻璃基板拐角对应的焊料带拐角，焊料带拐角为一体成型式拐角，或者两玻璃基板的金属化层之间布置闭环焊料带，闭环焊料带具有处于玻璃基板拐角位置的焊料带拐角，焊料带拐角为一体成型式拐角，然后对两玻璃基板的金属化层进行焊接，形成真空玻璃。取消接缝或者使焊料带的接缝处于离开下玻璃基板拐角的位置，能够保证玻璃基板拐角处的焊接质量，解决了目前的真空玻璃的拐角处焊接质量较差造成的真空玻璃封接质量较差的技术问题。
真空玻璃方法封接用焊料

[发明专利]半导体器件和半导体器件的制备方法-CN202111399766.8有效
发明人：杨天应;刘丽娟;吴文垚 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件具有相对的第一表面和第二表面，通过在半导体圆片的第一表面设置正面金属层，在半导体圆片的第二表面设置贯通至正面金属层的通孔，在通孔的侧壁和第二表面设置有背面金属层，背面金属层通过通孔与正面金属层实现电学连接，焊料阻挡层设置在背面金属层的表面，并容置在通孔内，且焊料阻挡层受限于通孔的孔口，以阻挡进入通孔的焊料与背面金属层直接接触，从而避免了焊料侵入背面金属层和正面金属层，提升了芯片的可靠性和性能。同时，焊料阻挡层受限于通孔的孔口，使得焊料阻挡层不会增加通孔的接地串联电阻，不会影响芯片的性能。
半导体器件制备方法

[发明专利]倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制作方法-CN201910469334.6在审
发明人：刘岩;闫宝玉;刘宇轩;陈顺利 -专利权人：大连德豪光电科技有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：每个焊料凸点远离衬底的表面为平面，可以使得在焊接时增加焊料凸点的接头接触面积。从而使得接头的接触面增加，形成牢固的焊接接头，来提高作业精度，提高了产品良率，节约了成本。同时，P电极包括至少一层凸点下金属化层，N电极包括至少一层凸点下金属化层。凸点下金属化层可以使得多个焊料凸点分别与P电极和N电极接触时，润湿增加粘附性，并阻挡多个焊料凸点的焊料继续向下侵入。制作方法可以解决焊料凸点厚度不均匀、焊料凸点与焊料凸点之间存在间隔空隙的问题，实时监控所述磨削量，避免了焊料凸点过磨(产品报废)或锡球少磨返工，提高了产品良率，节约了成本。
焊料凸点倒装发光二极管芯片凸点下金属化层产品良率制作焊料润湿产品报废焊接接头间隔空隙接头接触实时监控不均匀磨削量粘附性节约衬底返工过磨锡球焊接侵入阻挡申请

[发明专利]电子组件及电子设备-CN201910817423.5在审
发明人：周洋;龙浩晖;叶润清;方建平;王竹秋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：其第二有源面上具有至少一个第二焊盘，第二有源面与第一有源面相对设置；至少一个第一焊接部，一个第一焊接部位于一个第一焊盘和一个第二焊盘之间，且第一焊接部与位于其两侧的第一焊盘和第二焊盘键合；第一焊接部包括高温焊料层和低温焊料层；高温焊料层靠近第一焊盘设置，且与第一焊盘键合；低温焊料层靠近第二焊盘设置，且与第二焊盘键合；其中，低温焊料层的熔点低于高温焊料层的熔点，且构成低温焊料层的材料与构成高温焊料层的材料部分相同。
焊盘低温焊料高温焊料键合电子元器件焊接部熔点电子组件电子技术领域部分相同电子设备焊接部位相对设置申请

[其他]电子组件及电子设备-CN202090000371.9有效
发明人：周洋;龙浩晖;叶润清;方建平;王竹秋 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：其第二有源面上具有至少一个第二焊盘，第二有源面与第一有源面相对设置；至少一个第一焊接部，一个第一焊接部位于一个第一焊盘和一个第二焊盘之间，且第一焊接部与位于其两侧的第一焊盘和第二焊盘键合；第一焊接部包括高温焊料层和低温焊料层；高温焊料层靠近第一焊盘设置，且与第一焊盘键合；低温焊料层靠近第二焊盘设置，且与第二焊盘键合；其中，低温焊料层的熔点低于高温焊料层的熔点，且构成低温焊料层的材料与构成高温焊料层的材料部分相同。
电子组件电子设备

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