专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]提高工艺片均匀的方法-CN201410174514.9有效
  • 黄自强 - 北京七星华创电子股份有限公司
  • 2014-04-28 - 2016-10-26 - H01L21/316
  • 本发明公开了一种提高工艺片均匀的方法,其包括向热的氧化炉炉管内通入氮气;旋转工艺片承载舟,并从原始位置升舟至第一位置;保持旋转工艺片承载舟,对工艺片进行主氧化工艺;主氧化工艺完成后,保持旋转工艺片承载舟本发明通过升舟、降舟和主氧化工艺的过程中保持低速旋转工艺片承载舟,来减小温度场、气流场分布不均匀对工艺片均匀的影响,从而优化半导体立式炉设备中工艺片的均匀,同时降低了生产成本。
  • 提高工艺片成膜均匀方法
  • [发明专利]一种提高均匀的方法-CN201310753169.X有效
  • 林伟华;尹武力;兰天 - 北京七星华创电子股份有限公司
  • 2013-12-31 - 2016-11-02 - H01L21/02
  • 一种提高工艺均匀的方法,其在根据主工艺要求设定的工艺参数完成主工艺步骤后,继续保持与主工艺相同的温度和压力,进行仅通反应保护气体的退火稳定步骤,其中,退火稳定步骤气体流量和工艺时间,取决于退火稳定步骤完成后需达到的主工艺气体流量和时间因此,本发明通过在主工艺步骤后增加了退火工艺步骤,同时,通过分温区精确控制工艺过程中温度和气体流量而形成稳定温场和气流,提高了工艺硅片内/间的均匀,该方法可行强和重复性高,在不改变硬件条件下,对提高质量效果显著
  • 一种提高均匀方法
  • [发明专利]提高栅极绝缘层均匀的方法-CN201910234476.4有效
  • 杨文龙 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2019-03-26 - 2020-11-03 - H01L21/283
  • 本发明提供一种提高栅极绝缘层均匀的方法,使用实验设计(DOE)方法设计在CVD装置中沉积形成栅极绝缘层的多个测试实验,其中,每一个所述测试实验对应一个与所述栅极绝缘层均匀有关的相关工艺参数及该相关工艺参数的一组取值,然后执行所述多个测试实验,获取每一个相关工艺参数对栅极绝缘层均匀的影响趋势,找出影响栅极绝缘层均匀的关键工艺参数,最后综合分析相关工艺参数对栅极绝缘层均匀和非均匀指数的影响,对于所述关键工艺参数进行调整验证实验,以确定相关工艺参数的最优值,可使栅极绝缘层均一更佳,产品整体不均匀度降低。
  • 提高栅极绝缘层成膜均匀方法
  • [发明专利]一种可调控高粘度流体厚度及均匀的装置-CN202210693854.7有效
  • 李钒;路楠;侯海元 - 北京工业大学
  • 2022-06-19 - 2023-09-12 - B29C41/04
  • 本发明公开了一种可调控高粘度流体厚度及均匀的装置,包括盘、上连接杆、万向轴承、三角支架、下连接杆、磁摆、电磁铁、偏转轮和电机。本发明利用类似于地动仪的“悬垂摆原理”,在未通电时由于重力作用使盘成水平状态;通电后通过轴承、连接杆以及电磁铁和磁摆的相互吸引作用使盘与水平面一定角度做倾斜圆周运动,保证了均匀;通过调整偏转轮旋转速度可以控制成厚度;依据高粘度流体粘稠度的不同,通过调节电磁铁距偏转轮正中心的距离来调节盘做倾斜圆周运动时与水平面所角度,也能更好地调节厚度以及均匀性问题。因此,解决了高粘度流体厚度及均匀不好调控的问题。
  • 一种调控粘度流体厚度均匀装置
  • [发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201910117376.3有效
  • 朱静 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
  • 2019-02-13 - 2020-11-03 - H01L29/786
  • 本发明提供一种薄膜晶体管,包括:依序层迭设置的一半导体衬底、一栅电极、一闸极绝缘层、一第一非晶硅层、一第二非晶硅层、一金属层、一钝化层、一透明导电,半导体衬底,包括一非电区与一电区,对应于所述非电区的所述第一非晶硅层一厚度小于对应于所述电区的所述第一非晶硅层一厚度,使非电区可作为电区利用,提升非电区的电均匀度,来提升整个面板的电均匀,减小非电区域的大小
  • 薄膜晶体管及其制作方法
  • [发明专利]一种设备和方法-CN201910186076.0在审
  • 林伟华;魏明蕊;刘科学;王玉霞 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2019-03-12 - 2020-09-22 - H01L21/02
  • 本发明提供一种设备,包括反应腔室和第一进气管路,还包括吹扫管路、排气管路和尾气处理装置。本发明还提供一种采用该设备进行工艺的方法,该方法在工艺前,仅对第一进气管路进行吹扫;在工艺后,对第一进气管路和反应腔室同时进行吹扫。上述设备和方法可以避免前一组被加工工件工艺时,管路中残留的工艺气体对本组被加工工件的均匀造成影响;还可以避免管路和反应腔室中残留的工艺气体对下一组被加工工件的均匀造成影响。从而可以保证不同批次处理中被加工工件的工艺结果一致,提高立式炉设备的均匀,达到DCE氧化工艺要求。
  • 一种设备方法
  • [发明专利]一种基片强适应纳米材料均匀方法及其装置-CN201811348200.0有效
  • 康翠萍 - 宝鸡文理学院
  • 2018-11-13 - 2021-01-22 - C23C14/24
  • 本发明公开了纳米材料镀膜装置技术领域的一种基片强适应纳米材料均匀方法包括添加溶液、基片装夹、蒸发镀膜、预抽真空和循环操作,该基片强适应纳米材料均匀装置,包括第一真空室和第二真空室,所述第二真空室焊接于第一真空室的右侧,所述第一真空室的内腔右侧顶部和第二真空室的内腔左侧顶部均安装有电动推杆,该基片强适应纳米材料均匀方法及其装置,通过设置有两个真空室,在对其中一个真空室内的基片进行时,对另一个真空室进行基片装夹和预抽真空的操作,减少了基片时抽真空的等待时间,可实现连续作业,提高了效率,此外还对蒸发镀膜的流量进行精确控制,其基片上纳米材料的更加均匀
  • 一种基片强适应性纳米材料均匀方法及其装置
  • [发明专利]一种提高LTO均匀的APCVD加工工艺-CN202210071188.3在审
  • 陈良臻;李凯鹏;曹锦伟;王彦君;孙晨光 - 中环领先半导体材料有限公司
  • 2022-01-21 - 2022-05-20 - C23C16/40
  • 本发明公开了一种提高LTO均匀的APCVD加工工艺,其加工工艺包括以下步骤:S1、首先需要将APCVD设备管道进行实时连接组合,并且在APCVD设备内通入一定量的硅烷与氧气,通过进行加热发生化学反应形成二氧化硅薄膜,通过对反应区域温度的实时控制,可以有效的影响不同位置长速率,进而起到改善薄膜均匀的作用,S2、然后由于设备本身冷却水分布以及设备构造设计的原因,因此反应腔体内中部实际温度最高,并且温度设置需低于两侧,但是由于其处于排气出口位置,其实际的温度需高于两侧的温度,有效的实现了硅片均匀的改善,有助于更好的起到薄膜的防止自掺杂的作用,同时使其外观更加符合要求。
  • 一种提高lto均匀apcvd加工工艺
  • [实用新型]一种用于防水材料的设备-CN202021885124.X有效
  • 康哲 - 甘肃宇邦建筑防水材料有限公司
  • 2020-09-01 - 2021-06-08 - E04F21/08
  • 本实用新型公开了一种用于防水材料的设备,属于防水材料技术领域,该设备包括底座和设在底座底部的移动轮,所述底座上方设有成装置,所述装置与原料供应装置连通,所述装置通过连接件连接有动力装置,所述动力装置为装置提供上下移动涂抹成的动力,所述装置底部连接有可调节固定组件,所述可调节固定组件固定在底座上,所述可调节固定组件配合成装置进行上下移动;本实用新型的设备在进行操作时不需要人工进行涂抹,利用装置的周期运动进行涂抹成,可以避免人为操作时用力不均导致的涂抹不均匀现象,提高了防水材料施工的效率和均匀
  • 一种用于防水材料设备

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