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[发明专利]一种工艺气体的吹扫方法-CN201811107764.5有效
发明人：林伟华;魏明蕊;吴艳华;王玉霞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种工艺气体的吹扫方法，包括：工艺前阶段，在被加工工件进行主工艺之前，向进气管路通入吹扫气体，以对进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路；工艺后阶段，在被加工工件进行主工艺之后且移出反应腔室后，向进气管路通入吹扫气体，以对进气管路和反应腔室进行吹扫。本发明提供的工艺气体的吹扫方法，其可以减少进气管路和反应腔室中残留的工艺气体，使加工工艺后的被加工工件上的颗粒数量减少，从而满足颗粒度控制的标准。
一种工艺气体方法

[发明专利]用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和设备-CN202111257417.2有效
发明人：陈志敏;王凯;贾岩;魏明蕊;冯金瑞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种用于半导体工艺设备的管路温度控制方法和半导体工艺设备，应用于半导体技术领域，该方法包括：在接收到加热启动指令的情况下，将加热器的整定模式配置为自动整定模式，在自动整定模式下，对加热器的控制参数进行自动调整，并通过调整后的控制参数控制加热器进行加热，在加热区域的实际温度未达到稳定加热条件的情况下，若对控制参数的调整达到自整定结束条件，则将整定模式切换为手动整定模式，通知用户在手动整定模式下对加热器的控制参数进行手动调整。在控制参数的整定过程中，首先先通过自动整定模式对控制参数进行调整，若未得到合适的控制参数，则通知用户进行手动调整，可以提高控制参数的整定效率。
用于半导体工艺设备管路温度控制方法设备

[实用新型]半导体热处理设备-CN202222880189.0有效
发明人：奥振平;柳文涛;刘正道;魏明蕊;孙妍 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体热处理设备，包括内管、外管和进气管，内管设置于外管中，且内管和外管的顶端均是封闭的；内管与外管之间具有间隔，在内管的管壁顶部和底部设置有排气通孔，排气通孔的两端分别与间隔和内管的内部相连通；进气管的出气端位于内管中，且在平行于内管的轴向的方向上的中间位置；进气管的进气端用于与工艺气体的气源连接；外管的管壁中设置有导流通道，导流通道具有进气口和出气口，其中，进气口与间隔相连通，且位于内管的顶部和底部之间；出气口与外管外部的排气管路连接。本实用新型提供的半导体热处理设备，可以提高内管中工艺气体分布的均一性，从而可以提高膜层沉积等工艺结果的一致性。
半导体热处理设备

[发明专利]对基片进行钝化的方法及钝化设备-CN201811268753.5有效
发明人：林伟华;魏明蕊;刘科学 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种对基片进行钝化的方法，该方法包括：在外燃腔内点燃氢气和氧气的混合气，以生成水蒸气；通过设于所述外燃腔内点火处的温度检测元件实时监测所述外燃腔内的温度，并与预设温度进行比较，以利用所述外燃腔外周设置的第一加热模块实时调整所述外燃腔内的温度；将所述水蒸气通入设置有基片的钝化工艺腔。本发明还提供一种钝化设备。本发明所提供的方法对基片进行钝化时，形成的颗粒较少甚至没有，钝化膜的平整度较高。
进行钝化方法设备

[发明专利]硅晶片钝化方法和硅晶片的少子寿命的获取方法-CN201810628267.3有效
发明人：吴艳华;林伟华;魏明蕊;王玉霞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶片的钝化方法和硅晶片的少子寿命的测量方法。该钝化方法包括：对待处理的硅晶片进行热氧化处理，以在所述硅晶片表面形成预定厚度的二氧化硅钝化层；利用冷却气体对热氧化处理后的所述硅晶片进行冷却，所述冷却气体包括氧气。可提高硅晶片钝化的质量。
晶片钝化方法少子寿命获取

[实用新型]一种炉门及半导体热处理设备-CN202122647434.9有效
发明人： 魏明蕊;孙妍;王尉;刘贝贝;武鹏科;董曼飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： F27D1/18 文献下载
摘要：一种炉门及半导体热处理设备，炉门包括炉门本体，炉门本体朝向反应腔室的端面开设有环形的密封槽，密封槽用于容纳密封圈，炉门本体背离反应腔室的端面开设有散热槽，散热槽内设置有散热片。本实用新型涉及的炉门，通具有散热片的散热槽增加密封槽底部的散热面积，既能达到密封圈散热的目的，还能解决炉门表面副产物凝结的问题，且结构加工工艺简单，成本较低。
一种炉门半导体热处理设备

[发明专利]立式热处理设备-CN202111447283.0在审
发明人：李元志;刘科学;吴艳华;孙妍;周文飞;魏明蕊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开一种立式热处理设备，包括工艺炉和炉门，该炉门用于密封该工艺炉的炉口；该炉门包括隔热盘和冷却盘，其中：该隔热盘为石英结构件，该隔热盘具有相背设置的密封面和第一安装面，该炉门通过该密封面密封该炉口；该冷却盘具有第二安装面；在该第一安装面和该第二安装面中，其中一者上设置有定位凸部，另一者上设置有定位凹部，该定位凸部可与该定位凹部定位配合，该隔热盘通过该定位凸部和该定位凹部的配合而定位安装于该冷却盘。上述方案能够防止隔热盘与冷却盘之间产生相对位移。
立式热处理设备

[发明专利]一种成膜设备和成膜方法-CN201910186076.0在审
发明人：林伟华;魏明蕊;刘科学;王玉霞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜设备，包括反应腔室和第一进气管路，还包括吹扫管路、排气管路和尾气处理装置。本发明还提供一种采用该成膜设备进行成膜工艺的成膜方法，该方法在成膜工艺前，仅对第一进气管路进行吹扫；在成膜工艺后，对第一进气管路和反应腔室同时进行吹扫。上述成膜设备和成膜方法可以避免前一组被加工工件工艺时，管路中残留的工艺气体对本组被加工工件的成膜均匀性造成影响；还可以避免管路和反应腔室中残留的工艺气体对下一组被加工工件的成膜均匀性造成影响。从而可以保证不同批次处理中被加工工件的工艺结果一致，提高立式炉设备的成膜均匀性，达到DCE氧化工艺要求。
一种设备方法

[发明专利]半导体加工设备的排气装置及半导体加工设备-CN202010553514.5在审
发明人：武鹏科;孙妍;吴艳华;魏明蕊;董曼飞;刘科学 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体加工设备的排气装置及半导体加工设备，排气装置包括排气管路、气源、加热管路和至少一条第一吹扫管路，排气管路与半导体加工设备的反应腔室连接，气源用于提供吹扫气体；气源和吹扫管路均与加热管路连通，加热管路用于将经过加热管路的吹扫气体加热至预设温度，预设温度满足能够使工艺副产物颗粒形成气态的温度；第一吹扫管路均设置在加热管路和排气管路之间，用于将经加热管路加热的吹扫气体传输至排气管路中。本发明提供的半导体加工设备的排气装置及半导体加工设备，能够减少工艺过程中工艺副产物颗粒附着在排气管路内的数量，从而提高工艺结果的稳定性，延长半导体加工设备维护周期，提高半导体加工设备的工艺效率。
半导体加工设备排气装置

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