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[发明专利]用于存储系统接口电路的信号处理方法和装置-CN202210352335.4在审
发明人：祖秋艳;孙春来;严钢;王勇;王武广 -专利权人：澜起电子科技（昆山）有限公司
申请日： 2022-04-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本申请涉及用于存储系统接口电路的信号处理方法，包括：对接收信号进行预处理，以得到输入信号；从输入信号中去除加权反馈信号以得到输出信号；基于预定基准信号对输出信号进行判决以生成数字输出信号；生成串扰链路相关的干扰数字输出信号；经由所述FIR滤波器的滤波系数矩阵对所述干扰数字输出信号进行加权，以得到加权反馈信号；将所述输出信号与参考信号进行比较以产生误差信号；以及根据所述干扰数字输出信号与所述误差信号之间的相关性来确定所述FIR滤波器的滤波系数矩阵的一组优化滤波系数，以及根据所述数字输出信号与所述误差信号之间的相关性来确定所述参考信号，以至少部分地减小由所述串扰链路的传输特性引入所述接收信号中的码间干扰。
用于存储系统接口电路信号处理方法装置

[发明专利]一种应用于存储器异常掉电的数据保护电路-CN202310065113.9有效
发明人：梁庆新;覃鹏飞;蒙超华 -专利权人：广州市微嵌计算机科技有限公司
申请日： 2023-01-28 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于存储器异常掉电的数据保护电路，包括电压检测模块、毛刺消除模块、写操作检测模块、写操作保护模块和复位模块。通过电压检测模块对电源电压检测并输出电平检测信号，通过毛刺消除模块对电平检测信号进行毛刺消除，输出第一电平信号。将第一电平信号和写保护信号输入至同相触发器以判断此时的写操作状态并输出第二电平信号。将第二电平信号输入至写操作保护模块以实现在掉电状态下将目标存储器置于保护状态。通过复位模块实现当系统电源恢复上电后，解除对目标存储器的保护状态。本发明方案通过多个模块的组合，当存储器出现异常掉电情况时实现对写操作数据的保护，在恢复上电后不影响后续的数据写入操作。
一种应用于存储器异常掉电数据保护电路

[发明专利]存储器设备与装置及其封装后修复方法-CN201910593027.9有效
发明人：艾伦·J·威尔逊;杰弗里·赖特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明涉及存储器设备与装置及其封装后修复方法。此类设备可包含存储器单元，其在封装中；易失性存储器，其经配置以响应于进入软封装后修复模式而存储有缺陷地址数据；匹配逻辑电路；及解码器。所述匹配逻辑电路可产生匹配信号，所述匹配信号指示对应于待存取地址的地址数据是否匹配存储于所述易失性存储器中的所述有缺陷地址数据。所述解码器可响应于所述匹配信号指示对应于所述待存取地址的所述地址数据匹配存储于所述易失性存储器中的所述有缺陷地址数据而选择存取所述存储器单元的第一群组而非所述存储器单元的第二群组。所述存储器单元的所述第二群组可对应于与存储于所述设备的非易失性存储器中的其它有缺陷地址数据相关联的替换地址。
存储器设备装置及其封装修复方法

[发明专利]存储器装置和用于验证存储器访问的方法-CN201811208846.9有效
发明人：约埃尔·哈彻;贝恩德·迈尔;贾·奥特斯泰特;斯特芬·桑尼卡尔布 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明涉及存储器装置和用于验证存储器访问的方法。根据一个实施例描述一种存储器装置，所述存储器装置具有：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有能写入的存储器单元的列和行；存储器控制装置，所述存储器控制装置配置为：发起对一行存储器单元中的第一组存储器单元进行访问；并且与对所述第一组存储器单元进行访问一起，发起对该行存储器单元中的第二组存储器单元进行读取访问，验证电路，所述验证电路配置为，基于：在对所述第二组存储器单元进行读取访问时所读取的值是否与之前由所述第二组存储器单元所存储的值一致，检查对所述第一组存储器单元的访问是否已经对存储器单元的正确的行执行。
存储器装置用于验证访问方法

[发明专利]恶意攻击保护电路、片上系统及其操作方法-CN202211071277.4在审
发明人：李铉旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：提供一种恶意攻击保护电路、片上系统及其操作方法。所述恶意攻击保护电路包括：参考中断生成器，用于每隔参考中断周期输出参考中断信号；可变时钟管理器，用于将操作时钟信号输出到所述恶意攻击保护电路外部的逻辑电路，并且输出具有可变周期的可变时钟信号；可变中断生成器，用于基于可变时钟信号每隔可变中断周期输出中断信号；比较电路，用于将参考中断信号与中断信号进行比较，并且输出比较结果信号；以及控制器，根据比较结果信号中断输入到逻辑电路的操作时钟信号的输出。
恶意攻击保护电路系统及其操作方法

[发明专利]具有安全锁的半导体装置以及相关联方法和系统-CN202180064478.9在审
发明人： N·J·迈尔;B·P·万莱文 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：描述了存储器装置、包含存储器装置的系统以及操作存储器装置的方法，其中实施安全锁以控制对所述存储器装置的安全功能的访问。在一个实施例中，所述存储器装置检测被引导到所述存储器装置的预定信号。所述预定信号可包含引导到所述存储器装置的一或多个命令、所述存储器装置的操作参数或这两者。所述存储器装置可跟踪所述预定信号的实例以与存储在所述存储器装置中的阈值进行比较。如果所述存储器装置确定所述预定信号满足所述阈值，那么所述存储器装置禁止对所述安全功能进行访问。
具有安全半导体装置以及相关方法系统

[发明专利]针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法-CN201810131724.8有效
发明人：李承俊;申丞濬;辛薰;崔益准;黄柱盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：提供针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列、刷新控制器以及控制逻辑。存储器单元阵列包括多个行。刷新控制器对所述多个行执行刷新操作。控制逻辑基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数，控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作。控制逻辑还基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数，控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作。第一周期和第二周期是不同的周期。
针对干扰执行照顾操作存储器装置及其操作方法

[发明专利]具有单粒子锁定防止电路的存储器-CN201711134937.8有效
发明人：张卫民;徐彦忠 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：提供一种集成电路，其包括随机存取存储器单元的阵列。每个存储器单元可以包括由上拉晶体管和下拉晶体管形成的反相电路以及耦合到所述反相电路的存取晶体管。上拉晶体管可以形成在n阱中。存储器单元还可以耦合到单粒子锁定(SEL)防止电路。SEL防止电路可以包括箝位电路、电压感测电路、以及驱动器电路。响应于在存储器单元中的一个存储器单元处的单粒子阿尔法粒子撞击，可以在箝位电路处呈现暂时的电压升高。电压感测电路可以检测电压升高并且引导驱动器电路将n阱偏置到深反向偏置区。以这种方式进行操作，SEL防止电路可以缓解SEL，同时使存储器单元泄漏最小化。
具有粒子锁定防止电路存储器

[发明专利]一种存储设备的锁止保护方法、装置、介质及系统-CN202211656916.3在审
发明人：左振宇;刘瑛 -专利权人：长沙千视电子科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储设备的锁止保护方法、装置、介质及系统，其中存储设备对应配置有锁止开关，锁止保护方法包括步骤：1)在存储设备正常工作时，实时检测锁止开关的状态；2)当检测到锁止开关由锁止状态切换至打开状态时，执行紧急保护机制以保护数据文件或/和存储设备。装置包括锁止开关、检测开关和控制单元，锁止开关用于将存储设备锁止于对应的设备上，检测开关位于存储设备上，用于在存储设备正常工作时，实时检测锁止开关的状态；控制单元与检测开关相连，用于在检测到锁止开关由锁止状态切换至打开状态时，执行紧急保护机制以保护数据文件或/和存储设备。本发明能够在用户误操作情况下保护数据文件和存储设备磁盘扇区不受损坏。
一种存储设备保护方法装置介质系统

[发明专利]存储装置及控制方法-CN202111202660.4在审
发明人：唐伯元;叶仰森;苏瑄淇 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储装置及控制方法，其中所述存储装置包括一存储阵列以及一抗干扰电路。存储阵列包括一第一存储单元以及一第二存储单元。第一存储单元耦接一第一导线以及一特定导线。第二存储单元耦接一第二导线以及特定导线。抗干扰电路对第一存储单元进行一第一写入操作，并对第二存储单元进行一确认操作。确认操作是判断第二存储单元所存储的数据是否受到第一写入操作的干扰。当第二存储单元所存储的数据受到第一写入操作的干扰时，抗干扰电路对第二存储单元进行一第二写入操作。
存储装置控制方法

[发明专利]存储单元、晶体管的制备方法及存储单元的制备方法-CN202010324690.1有效
发明人：陈静;吕迎欢;王硕;葛浩;谢甜甜 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种存储单元、晶体管的制备方法及存储单元的制备方法，其中，该存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的存储单元。本发明公开的存储单元相较于现有技术中的存储单元，在传统六管单元的基础上加入两个晶体管，以牺牲较小单元面积的情况下提升单元抗单粒子能力；该存储单元中的晶体管均采用“工”字型的栅氧层和金属栅结构，可有效抑制总剂量效应引起的上下边角漏电及侧壁漏电和寄生晶体管效应。此外，该存储单元不仅可以在抗单粒子效应能力上得到提高，还可以在存储数据的稳定性上得到增加。
存储单元晶体管制备方法

[发明专利]存储控制器和包括该存储控制器的存储系统-CN202211159429.6在审
发明人：朴文赞;金志守;秋渊成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：提供了一种存储控制器和包括该存储控制器的存储系统。提供了一种设备安全管理器，被配置为：设置第一设备安全区以允许第一租户访问存储在非易失性存储器中的第一租户数据；从主机设备接收访问信息并将接收的访问信息写入映射表，其中，访问信息包括第一租户数据被存储在主机设备中的第一主机存储器地址、用于标识存储在非易失性存储器中的第一租户数据的第一命名空间标识符、与第一命名空间标识符相对应的第一逻辑块地址和加密密钥；通过使用加密密钥来加密第一租户数据；并将加密的第一租户数据写入非易失性存储器的第一设备安全区。
存储控制器包括存储系统

[发明专利]抗亚稳锁存器-CN202011320241.6有效
发明人： D·B·彭妮;W·C·沃尔德罗普 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本申请案涉及一种抗亚稳锁存器。存储器装置接收数据信号及伴随数据选通信号，其通知所述装置数据已准备好锁存。所述数据选通信号实现在所述数据信号从逻辑高转变到逻辑低时捕获所述数据或反之亦然，从而产生不确定输出(例如，在0与1之间)。所述不确定值可导致使用所述不确定输出的存储器操作的亚稳定性。为了防止或降低亚稳定性，级联定时仲裁器锁存器包含级联交替NAND定时仲裁器及NOR定时仲裁器。在一些实施例中，这些逻辑门连接到所述级联定时仲裁器上方及下方的晶体管。所述级联定时仲裁器及/或晶体管在所述锁存器的反馈路径上提供放大。在其它实施例中，所述级联定时仲裁器通过反相器隔离且不连接到晶体管。此实施例减小所述内部反馈路径的节点上的电容性负载。
抗亚稳锁存器

[发明专利]一种Flash接口保护控制电路-CN202211408628.6在审
发明人：任军;欧阳托日;杨帅 -专利权人：恒烁半导体（合肥）股份有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种Flash接口保护控制电路，涉及接口电路技术领域，包括读写控制模块，用于控制Flash接口电路的读写；接口采样模块，用于信号值电压采样；信号保持模块，用于信号保持和输出；故障判断模块，用于通过减法电路判断信号变化程度；智能控制模块，用于接收信号并控制模块；偏置电流控制模块，用于产生偏置电流并由电流镜模块复制和传输；保护模块，用于对Flash接口电路进行对地保护。本发明Flash接口保护控制电路对输入Flash接口电路的信号电压值进行采样和延时信号保持处理，以便故障判断模块通过减法电路判断信号变化程度，以便由智能控制模块接收并在信号变化程度较大时对Flash接口电路进行对地保护，停止Flash接口电路的读写工作数。
一种 flash 接口保护控制电路

[实用新型]一种抗辐射读取电路及存储器-CN202222694737.0有效
发明人：张涛;应红;施海宁;唐堂;王春辉;方奎元;安英辉 -专利权人：苏州热工研究院有限公司;岭澳核电有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗辐射读取电路及存储器，所述抗辐射读取电路用于读取存储单元，其包括第一传输门、第二传输门、冗余加固模块和读取模块；所述第一传输门输出端均分别接入所述冗余加固模块和读取模块，所述第二传输门输出端均分别接入所述冗余加固模块和读取模块；所述第一传输门和第二传输门的控制端被配置为接收第一使能信号，所述第一传输门和第二传输门在所述第一使能信号触发下导通，所述冗余加固模块与所述读取模块电连接。本实用新型提供的抗辐射读取电路及存储器不仅可实现速度快、功耗低的数据信息读取功能，而且在数据信息读取过程中具有抗单粒子翻转的能力。
一种辐射读取电路存储器

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