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[发明专利]多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法-CN201110143760.4无效
发明人：王庆康;万霞;王阳培华;李翔;胡克想 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2011-05-31 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法，该多晶硅纳米线太阳能电池包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极，透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法，采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层，并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜，在常温常压下，制备大面积多晶硅纳米线，制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池，提高了太阳能电池光电转换效率
多晶纳米太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构-CN201610804968.9在审
发明人：李铁;王辉;袁志山 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构，所述制备方法包括S1提供一基板；S2在基板表面制备多晶硅层，对多晶硅层进行掺杂；S3在掺杂的多晶硅层表面制备顶绝缘层；S4在顶绝缘层表面制备铜薄膜层；S5在铜薄膜层表面形成光刻胶图形并行图形化处理，去除光刻胶图形，得到铜薄膜图形；S6进行退火处理，铜薄膜图形收缩成纳米尺寸的铜图形，基于铜图形与顶绝缘层反应使掺杂的多晶硅层中硅原子及掺杂离子穿过顶绝缘层形成带有掺杂离子的硅纳米线通过本发明提供的在掺杂的多晶硅层上制备硅纳米线的方法及结构，解决了现有技术制备硅纳米线时工艺流程复杂，工艺价格昂贵，生长的硅纳米线尺度较大的问题。
一种掺杂多晶硅层上制备纳米方法结构

[发明专利]杂质原子阵列晶体管及其制备方法-CN201910370984.5有效
发明人：郭仰岩;韩伟华;窦亚梅;赵晓松;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：一种杂质原子阵列晶体管，所述杂质原子阵列晶体管包括，SOI基片，包括硅衬底、氧化物绝缘层以及顶层硅，由所述顶层硅形成源区硅电导台面、漏区硅电导台面和V槽型多晶硅纳米晶阵列硅纳米线，其中：所述V槽型多晶硅纳米晶阵列硅纳米线连接所述源区硅电导台面和漏区硅电导台面，所述V槽型多晶硅纳米晶阵列硅纳米线具有阵列的多个V型凹槽，每个所述V型凹槽内形成单个杂质原子掺杂的多晶硅纳米晶。
杂质原子阵列晶体管及其制备方法

[发明专利]双栅电荷俘获存储器及其制作方法-CN201210026182.0有效
发明人：刘明;王晨杰;霍宗亮;张满红;刘璟;王永;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多晶硅纳米线场效应晶体管的双栅电荷俘获存储器及其制作方法。该双栅电荷俘获存储器具有两个多晶硅栅极，包括：半导体衬底；形成于该半导体衬底之上的第一介质缓冲层；形成于该第一介质缓冲层之上的第二介质缓冲层；形成于该第二介质缓冲层之上的多晶硅底栅；在该多晶硅底栅两侧对称分布的两个纳米线沟道；形成于该多晶硅底栅与该两个纳米线沟道之间的两个电荷俘获存储器介质层；形成于该两个纳米线沟道外侧的两个顶栅介质层；形成于该多晶硅底栅、该电荷俘获存储器介质层、该纳米线沟道及该顶栅介质层之上的硬质掩蔽层；形成于该硬质掩蔽层及该电荷俘获存储器介质层之上的多晶硅顶栅；以及跨越两个纳米线沟道的源区和漏区。
电荷俘获存储器及其制作方法

[发明专利]多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法-CN201110111195.3无效
发明人：李媛;吴兴坤;郝芳;周丽萍;杨晗琼 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法，属于薄膜太阳能电池技术领域，现有金属诱导法结晶速率较慢，本发明是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层，由此形成基板、硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层、多晶硅薄膜层三层复合结构的多晶硅薄膜。本发明以硅化钛纳米线作为诱导剂，一方面，更容易诱导非晶硅薄膜晶化，晶化温度更低；另一方面，硅化钛纳米线巨大的比表面积，使诱导层有非晶硅之间的接触面积增大，非晶硅晶化初始阶段，形核数目增加，结晶速率得到极大地提高
多晶薄膜用非晶硅低温诱导制备方法

[实用新型]多晶硅薄膜-CN201120134612.1有效
发明人：李媛;吴兴坤;郝芳;杨晗琼 -专利权人：杭州天裕光能科技有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用非晶硅低温诱导制备的多晶硅薄膜，属于薄膜太阳能电池技术领域，现有金属诱导法结晶速率较慢，本实用新型是在基板上自下而上依次沉积硅化钛纳米线层和非晶硅薄膜层，由所述的硅化钛纳米线层诱导非晶硅薄膜层结晶成为多晶硅薄膜层，由此形成基板、硅化钛纳米线与多晶硅薄膜共存的过渡层、多晶硅薄膜层三层复合结构的多晶硅薄膜。本实用新型以硅化钛纳米线作为诱导剂，一方面，更容易诱导非晶硅薄膜晶化，晶化温度更低；另一方面，硅化钛纳米线巨大的比表面积，使诱导层有非晶硅之间的接触面积增大，非晶硅晶化初始阶段，形核数目增加，结晶速率得到极大地提高
多晶薄膜

[发明专利]一种3D周围栅极MOS管的制备方法-CN201610310451.4在审
发明人：田武;江宁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种3D周围栅极MOS管的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成被浅沟槽隔离结构隔离的N型阱与P型阱；分别在N阱区之上以及P阱区之上进行硅纳米线生长，以分别形成NPN纳米线和PNP纳米线；继续沉积氧化隔离层并进行平坦化处理后，去掉位于中间部分的氧化隔离层；依次进行栅氧化层和多晶硅的沉积，并刻蚀掉位于NPN纳米线与PNP纳米线之间的多晶硅后，沉积氧化隔离层；去除部分氧化隔离层，以将覆盖在NPN纳米线与PNP纳米线之上的部分多晶硅予以暴露，并将暴露的多晶硅予以去除；再次沉积氧化隔离层后，进行源极、漏极以及栅极的制备，以形成MOS管。
一种周围栅极 mos 制备方法

[发明专利]一种压力传感结构及其制备方法-CN201510224539.X在审
发明人：雷双瑛;韩瑞峰 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力传感结构，包括硅片基底和多晶硅梁结构，所述多晶硅梁结构呈n型架设在所述硅片基底上，所述多晶硅梁结构上表面并列设有两个压力感应结构，所述压力感应结构包括两个相对设置的氮化硅层和位于两个氮化硅层之间的多根硅锗异质结纳米线，所述氮化硅层上还沉积有多晶硅层，所述多根硅锗异质结纳米线呈列阵结构排布。本发明还公开了上述压力传感结构的制备方法，本发明压力传感结构采用硅锗异质结纳米线作为敏感源，硅锗异质结纳米线比单一的硅纳米线或单一的锗纳米线具有更灵敏的压阻特性，另外，本发明压力传感结构具有两组列阵式硅锗异质结纳米线敏感源
一种压力传感结构及其制备方法

[发明专利]一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法-CN201210353110.7有效
发明人：朱建军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：本发明揭示了一种生物芯片中硅纳米线阵列的制造方法，其包括如下步骤：在半导体衬底上通过湿氧氧化的方法生长二氧化硅层；在二氧化硅层上生长多晶硅层；在多晶硅层上低温生长低温氧化层；对多晶硅层及低温氧化层进行光刻及刻蚀形成硅纳米线阵列图形，其中，硅纳米线阵列图形由硅纳米线组成；在硅纳米线上再生长一层氮化硅层；对氮化硅层进行整片刻蚀以在硅纳米线两侧形成氮化硅侧壁；通过湿法刻蚀方法去除低温氧化层；通过湿法刻蚀方法去除氮化硅侧壁。因此，本发明可以在制作所有尺寸大小的硅纳米线，均不用考虑硅纳米线的底部在去除LTO层时由于被侵蚀而产生容易倒塌的情况。
一种生物芯片纳米阵列制造方法

[发明专利]射频收发机中的多晶硅纳米线热电偶微型热电式发电机-CN201810208260.6在审
发明人：廖小平;严嘉彬 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： H01L35/00 文献下载
摘要：本发明的射频收发机中的多晶硅纳米线热电偶微型热电式发电机，主要由衬底、水平放置的热电堆和散热金属板构成；其中，硅衬底的中央区域通过深反应离子刻蚀技术刻孔，作为上方二氧化硅薄膜的支撑结构和传热结构；热电堆的一端位于硅衬底上，另一端位于薄膜结构的中央；热电堆是由许多热电偶串联而成，具有多个输出电极，而每个热电偶又由N型多晶硅纳米线热电偶臂和P型多晶硅纳米线热电偶臂构成，热电偶臂上包含多列多晶硅纳米线，不同列之间采用纳米线支撑结构作为连接
热电堆多晶硅纳米线热电偶臂纳米线热电偶射频收发机微型热电支撑结构硅衬底发电机深反应离子刻蚀二氧化硅薄膜氮化硅薄膜热电偶串联散热金属板薄膜结构传热结构空腔结构输出电极中央区域金属板牺牲层衬底多列空腔释放

[发明专利]以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法-CN201110139305.7有效
发明人：黄如;诸葛菁;樊捷闻;艾玉杰;王润声;黄欣 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公布了一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法。包括：隔离并淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin硬掩膜；形成Si Fin条；淀积多晶硅；注入多晶硅；淀积SiN；定义沟道和大源漏区；形成Si Fin和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN形成SiN侧墙；氧化形成纳米线；形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；注入多晶硅；光刻定义栅线条；通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；采用常规CMOS后端工艺完成后续流程
空气围栅硅纳米晶体管制备方法

[发明专利]一种用于硅纳米线生物检测芯片的结构及其制造方法-CN201210431190.3有效
发明人：朱建军;赵宇楠;叶红波;戚继鸣 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;华东师范大学
申请日： 2012-11-01 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： G01N33/48 文献下载
摘要：本发明揭示了一种硅纳米线生物检测芯片的结构及制造方法，该结构包括半导体衬底、生长在半导体衬底上的二氧化硅隔离层、生长在二氧化硅隔离层上的多晶硅层和生长在多晶硅层上的结构层；其中，多晶硅层中包括图形化形成的硅纳米线阵列；结构层的结构为从下至上依次包括SiON层、TaN层和/或Ta2O5层，且TaN层和/或Ta2O5层仅覆盖于硅纳米线阵列中各硅纳米线的表面。因此，本发明不仅解决了硅纳米线阵列（SiNW）在保存应用中存在的容易受污染的问题，且能使生物芯片经受Na、K、Fe、Cu和Ca等离子的扩散污染的考验，以及PH值等多种化学因素的影响，即实现了检测的高稳定性
一种用于纳米生物检测芯片结构及其制造方法

[发明专利]一种锰硅纳米线红外探测器及其制作方法-CN201610235400.X在审
发明人：董友强 -专利权人：董友强
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰硅纳米线红外探测器，所述锰硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层、锰硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层，P型外延硅衬底层、锰硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层依次层叠在一起；所述锰硅薄膜光敏层即为锰硅纳米线；所述锰硅纳米线红外探测器的工作模式采用正照方式。本发明的有益技术效果是：利用锰硅纳米线可增加吸收率，同时，锰硅纳米线顶端存在极大的边缘场，产生雪崩倍增效应，大幅度提高锰硅红外探测器的量子效率；增加P型多晶硅盖帽层，可使光生热空穴的逃逸机率增加一倍，并且阻止了减反射膜层内的可动电荷与光生自由电子交换，降低锰硅红外探测器的噪声及暗电流；探测器采用正照方式，大幅简化了封装工艺，提高了器件的可靠性。
一种纳米红外探测器及其制作方法

[发明专利]铂硅纳米线红外探测器及其制作方法-CN201410081602.4有效
发明人：李华高;熊平;钟四成 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：一种铂硅纳米线红外探测器，所述铂硅纳米线红外探测器包括P型外延硅衬底层、铂硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层，P型外延硅衬底层、铂硅薄膜光敏层、P型多晶硅盖帽层、减反射膜层依次层叠在一起；所述铂硅薄膜光敏层即为铂硅纳米线；所述铂硅纳米线红外探测器的工作模式采用正照方式。本发明的有益技术效果是：利用铂硅纳米线可增加吸收率，同时，铂硅纳米线顶端存在极大的边缘场，产生雪崩倍增效应，大幅度提高铂硅红外探测器的量子效率；增加P型多晶硅盖帽层，可使光生热空穴的逃逸机率增加一倍，并且阻止了减反射膜层内的可动电荷与光生自由电子交换，降低铂硅红外探测器的噪声及暗电流；探测器采用正照方式，大幅简化了封装工艺，提高了器件的可靠性。
纳米红外探测器及其制作方法

[发明专利]一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法-CN201110138735.7有效
发明人：黄如;樊捷闻;艾玉杰;孙帅;王润声;邹积彬;黄欣 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-05-26 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提出一种基于湿法腐蚀制备硅纳米线场效应晶体管的方法，包括：定义有源区；淀积氧化硅薄膜作为硬掩膜；并形成源漏和连接源漏的细条状的图形结构；通过刻蚀硅工艺，将硬掩膜上的图形结构转移到硅材料上；抑制底管离子注入；通过湿法腐蚀硅材料，悬空连接源漏的硅细线条；将硅细线条缩小到纳米尺寸形成硅纳米线；淀积多晶硅薄膜；通过电子束光刻形成多晶硅栅线条，跨过硅纳米线，并形成全包围纳米线的结构；通过在衬底上淀积氧化硅薄膜和接下来的刻蚀氧化硅工艺，在多晶硅栅线条两侧形成氧化硅侧墙；通过离子注入和高温退火，形成源漏结构，最终制备出纳米线场效应晶体管，该方法与常规集成电路制造技术兼容，制备工艺简单、方便、周期短。
一种基于湿法腐蚀制备纳米场效应晶体管方法

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