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[发明专利]一种应变垂直MOS器件的制造方法-CN201410119735.6有效
发明人：李尊朝;苗治聪;李昕怡;张亮亮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力衬垫层；进行离子注入，形成漏端n‑掺杂区；对衬底的外围环状区域进行离子注入，形成漏端n+掺杂区；对硅纳米线上部进行P+离子注入，形成Halo掺杂结构，进行n型离子注入形成源端；淀积金属和合金。本发明提高纳米结点集成电路中器件的栅控能力，抑制短沟道效应和热载流子效应，提高载流子迁移率，增强电流驱动能力，在不降低器件性能的前提下缩小器件尺寸，以实现器件微型化的要求。
一种应变垂直 mos 器件制造方法

[实用新型]一种纳米陶瓷、玻璃炒锅-CN201520403857.8有效
发明人：罗开勋 -专利权人：罗开勋
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： A47J27/00 文献下载
摘要：本实用新型属于烹饪用具技术领域，公开了一种纳米陶瓷、玻璃炒锅，用于解决现有自发热锅体存在的结构复杂，并且使用范围较窄而导致实用性差的问题。本实用新型包括锅体和把手，锅体包括内壳和外壳，外壳套设在内壳的外部，所述外壳和内壳由纳米陶瓷、纳米玻璃制成，所述外壳与内壳之间设有纳米半导体多晶硅发热膜，所述纳米半导体多晶硅发热膜覆盖的面积大于内壳外壁面积的一半；所述纳米半导体多晶硅发热膜配设有三个接线柱，所述的三个接线柱与纳米半导体多晶硅发热膜相连接；所述锅体配设有底座，所述底座上设有至少两个用于放置锅体的凹槽，所述凹槽开设有与接线柱相互适配的插槽，所述插槽内连接有与电源连接的电源连接器
一种纳米陶瓷玻璃炒锅

[发明专利]一种掺氮晶体硅及其制备方法-CN201010197768.4无效
发明人：王敬;翟志华 -专利权人：王敬;江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
申请日： 2010-06-03 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺氮多晶硅锭的制备方法，包括在石英坩埚中装入多晶硅料与粒径为1～100nm的氮化硅纳米粉末以及电活性掺杂剂的混合物并装炉，将炉室抽真空后加热至1420～1550℃，并在该温度保温直至所述混合物完全熔化，得到熔融硅料混合物；接着使所述熔融硅料混合物凝固，得到多晶硅锭，其中所述电活性掺杂剂为B、P、或Ga的任一种，其加入量为使得所形成的多晶硅锭中的电活性掺杂剂浓度为0.02～2ppm的量，所述氮化硅纳米粉末的加入量为使得在所述多晶硅锭中的氮浓度为根据本发明的掺氮多晶硅的制备方法，可以利用现有的设备进行掺氮，掺氮均匀、掺氮浓度高、整个工艺简单易控、且成本低。此外，本发明还公开了一种掺氮单晶硅锭的制备方法。
一种晶体及其制备方法

[实用新型]一种TOPCon电池-CN202222666523.2有效
发明人：王泊温;付少剑;郁寅珑;张明明;何帅;刘倩;蒋红洁 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏发电组件领域，特别是涉及一种TOPCon电池，包括N型基体硅，从所述N型基体硅向迎光面依次包括P型扩散层、正面复合钝化层及正面电极；从所述N型基体硅向迎光面依次包括遂穿氧化层、N+多晶硅层、背面复合钝化层及背面电极；所述N+多晶硅层的厚度范围为100纳米至120纳米，包括端点值。本实用新型中通过减薄TOPCon电池背面的N+多晶硅层的厚度，大大缩短了载流子穿过所述N+多晶硅层所需的时间，减少了载流子复合，也就减少了成本品种的暗片问题，实现了电池片开路电压、短路电流的提升，也就提升了
一种 topcon 电池

[发明专利]一种高转化率的纳米太阳能电池及其制备方法-CN201610696277.1在审
发明人：张杰 -专利权人：四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高转化率的纳米太阳能电池及其制备方法，包括衬底、多晶硅薄膜，衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层，钝化层表面设有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极；上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体，多晶硅薄膜上设有P‑n结，衬底设置在背面AI电极上。
一种转化纳米太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种高转化率的纳米太阳能电池-CN201620910965.9有效
发明人：张杰 -专利权人：四川英发太阳能科技有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高转化率的纳米太阳能电池，包括衬底、多晶硅薄膜，衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层，钝化层表面设有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极；上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体，多晶硅薄膜上设有P‑n结，衬底设置在背面AI电极上。
一种转化纳米太阳能电池

[发明专利]一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法-CN200710110401.2无效
发明人：周发龙;吴大可;黄如;诸葛菁;田豫;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道是完全相同的剖面结构为圆形的双硅纳米线，双硅纳米线被栅氧和多晶硅栅围绕，形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，在沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，形成沟道在绝缘层上的结构
一种纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]射频收发机中的多晶硅纳米薄膜热电偶微型能量收集器-CN201810208090.1在审
发明人：廖小平;严嘉彬 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L27/142 文献下载
摘要：本发明的射频收发机中的多晶硅纳米薄膜热电偶微型能量收集器，主要由衬底、水平放置的热电堆和散热金属板构成；其中，硅衬底的特定区域通过深反应离子刻蚀技术刻孔，作为上方第一氮化硅薄膜8的支撑结构和传热结构；热电堆的一端位于硅衬底上，另一端位于薄膜结构的中央；热电堆是由许多热电偶串联而成，而每个热电偶又由N型多晶硅纳米薄膜和P型多晶硅纳米薄膜构成，因多晶硅纳米薄膜的热导率远低于传统体材料，提高了器件的热电转换效率；两个半导体臂之间采用
热电堆多晶硅纳米薄膜热电偶氮化硅薄膜能量收集器射频收发机纳米薄膜硅衬底深反应离子刻蚀热电转换效率热电偶串联散热金属板半导体臂薄膜结构测试电极传热结构互联金属空腔结构支撑结构传统体金属板热导率牺牲层衬底空腔释放制作

[发明专利]低温多晶硅薄膜、薄膜晶体管、其制备方法及显示面板-CN201310150809.8有效
发明人：刘震 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管及其制备方法和显示面板，涉及液晶显示技术，为减少晶界及缺陷，提高薄膜晶体管的质量而发明。所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括：所述低温多晶硅薄膜由纳米硅薄膜晶化形成。本发明可用于液晶显示设备的制备中。
低温多晶薄膜薄膜晶体管制备方法显示面板

[实用新型]一种纳米线三维结构的太阳能电池-CN201920440279.3有效
发明人：曹钱 -专利权人：江西共晶光伏科技股份有限公司
申请日： 2019-04-03 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种纳米线三维结构的太阳能电池，包括底座，所述底座的顶部固定连接有固定壳，所述固定壳内腔的底部设置有限位板，所述限位板的顶部固定连接有支撑杆，所述支撑杆的顶部贯穿至固定壳的顶部并活动连接有太阳能电池本体本实用新型通过设置底座、固定壳、限位板、支撑杆、太阳能电池本体、底层、背面电极层、金属氧化物层、硅纳米线绒面层、P型多晶硅层、钝化层和正面电极层的配合使用，解决了现有太阳能电池光电转换效率较低的问题，该纳米线三维结构的太阳能电
太阳能电池固定壳支撑杆底座光电转换效率背面电极层本实用新型三维结构纳米线限位板金属氧化物层活动连接有正面电极层表面固定硅纳米线太阳能电钝化层绒面层内腔贯穿

[发明专利]有机或无机电致发光器件、器件阳极及制备方法-CN201010145897.9无效
发明人：徐万劲;秦国刚;李延钊;冉广照 -专利权人：北京大学
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明利用金属及其硅化物层与多晶硅层并联增强电流传导性，提出用纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合薄膜作为发光器件阳极，从而克服目前常见的单晶硅阳极对可见光有强的吸收，纳米厚度多晶硅薄膜作阳极时方块电阻太大等问题本发明纳米厚度多晶硅与金属硅化物复合阳极具有良好的透光性、导电性能好、功函数及空穴注入可调、工艺简单、成本低、稳定性好的特点。
有机无机电致发光器件阳极制备方法

[发明专利]一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法-CN201910222768.6在审
发明人：何其金;张靖;何飞 -专利权人：江苏德润光电科技有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明公布了多晶黑硅技术领域的一种微纳复合绒面结构的多晶黑硅制备方法：硅片：氢氧化钾；硝酸：清水；硝酸银：氢氟酸：金属离子银：碱性溶液；将硅片先放入到由氢氧化钾与硝酸组成的混合腐蚀溶液，得到具有微米绒面结构的多晶硅片，从而增加了多晶硅片的表面积，而且还对多晶黑硅进行了初级简易的加工，去除掉了原始多晶硅片表面的在切割或者打磨时的损伤层，然后在放入到硝酸银与氢氟酸组成的溶液中，并添加金属离子银，即可得到具有微纳复合绒面结构的多晶硅片，最后将多晶硅片发入到氢氧化钠强碱性溶液，对多晶硅片的结构修正刻蚀，减少降低多晶硅片的反射率，从而得到纳米级类金字塔结构的微纳复合绒面结构多晶黑硅。
一种复合结构多晶制备方法

[发明专利]一种无接触破碎多晶硅的方法-CN201410057558.3无效
发明人：季静佳;王体虎 -专利权人：亚洲硅业（青海）有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： B02C19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种无接触破碎多晶硅的方法，更具体的说，本发明公开了一种利用激光技术破碎多晶硅的方法。本发明的无接触破碎多晶硅的方法，把至少一束激光射向多晶硅棒或者多晶硅块，多晶硅棒或者多晶硅块的表面或者体内的局部区域吸收激光能量后，该多晶硅棒或多晶硅块的局部区域被瞬时加热。被加热的多晶硅棒或多晶硅块的局部区域膨胀，在多晶硅柱或多晶硅块的表面或体内产生热膨胀应力，致使多晶硅棒或多晶硅块破碎。
一种接触破碎多晶方法

[发明专利]一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法-CN201110360070.4无效
发明人：黄志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种PIP多晶硅刻蚀工艺方法，包括如下步骤：1)在硅基底上生长栅氧，在栅氧上沉积一层多晶硅，多晶硅光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极作为PIP多晶硅的底部多晶硅；在全硅片上沉积一层侧墙氧化膜作为PIP多晶硅的中间绝缘层，然后再沉积一层多晶硅作为PIP多晶硅的顶部多晶硅，在PIP多晶硅的顶部多晶硅上沉积保护膜，然后进行PIP多晶硅光刻，保护膜和PIP多晶硅的顶部多晶硅刻蚀，光刻胶去除；2)氧化膜侧墙刻蚀和侧墙形成本发明在现有的PIP多晶硅结构的顶部淀积一层保护膜，来改善PIP多晶硅在侧墙刻蚀时候的损失，从而达到稳定晶片面内PIP多晶硅的阻值。
一种 pip 多晶刻蚀工艺方法

[发明专利]纳米晶硅量子点存储设备-CN200610149227.8无效
发明人：李庭凯;许胜藤;L·H·斯特克 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2006-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：已经提供一种纳米晶硅量子点子存储设备和相关的制造方法。该方法包括：形成覆盖在硅基片有源层上的栅(隧道)氧化物层；形成覆盖在栅氧化物层上的纳米晶硅存储薄膜；包括多晶硅(poly－Si)/二氧化硅层；形成覆盖在纳米晶硅存储薄膜上的控制氧化硅层；形成覆盖在控制氧化物层上的栅电极；并且，形成硅有源层中的源/漏区域。一方面，通过用化学气相沉积(CVD)过程沉积一层非晶硅(a－Si)而形成纳米晶硅存储薄膜，并且热氧化非晶硅层的一部分。通常，重复非晶硅沉积和氧化过程，形成多个多晶硅/二氧化硅层叠(即，2到5个多晶硅/二氧化硅层叠)。
纳米量子存储设备