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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]场发射器件及其制作方法-CN202210921500.3在审
  • 沈文超;张晓东;魏星;唐文昕;周家安;张宝顺 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2022-08-02 - 2022-12-02 - H01J9/02
  • 公开了一种场发射器件的制作方法，包括：在衬底上形成一次外延层；在一次外延层上形成多个二次外延结构；在一次外延层上形成发射极电极层以及位于发射极电极层和多个二次外延结构之间的介质层；在介质层和多个二次外延结构上依序形成层叠的保护层、绝缘层、栅电极层和平坦化层；对平坦化层进行刻蚀处理，以使介质层和部分二次外延结构上的部分栅电极层暴露；对部分二次外延结构上的保护层、绝缘层和暴露的栅电极层的部分进行刻蚀去除，以将部分二次外延结构暴露；在介质层上的暴露的栅电极层上形成栅极连接电极层；形成与暴露的部分二次外延结构彼此相对的阳极，阳极与暴露的部分二次外延结构彼此之间具有预定距离。
  • 发射器件及其制作方法
  • [发明专利]双层外延工艺方法-CN201710734293.X有效
  • 伍洲 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2017-08-24 - 2019-12-10 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种双层外延工艺方法，包括步骤：进行第一次外延生长工艺在半导体晶圆表面形成第一外延层；对外延工艺腔进行降温并取出半导体晶圆，在降温过程中，外延工艺腔中的残余工艺气体继续反应在第一外延层表面形成电阻率不匹配外延层；形成第一部分器件结构；将半导体晶圆放置到外延工艺腔中并升温；通入HCL进行外延层刻蚀将第一外延层表面的电阻率不匹配外延层去除；之后进行第二次外延生长工艺形成第二外延层并叠加形成电阻率匹配的双层外延结构；在第二外延层中形成第二部分器件结构。本发明能提高两个叠加的外延层的界面特性，从而提高器件的击穿电压和性能。
  • 双层外延工艺方法
  • [发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410184366.9有效
  • 蔡国辉 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-05-04 - 2018-09-07 - H01L21/336
  • 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的两侧侧壁上具有侧墙；进行外延步骤，形成覆盖所述栅极结构、侧墙和半导体衬底表面的半导体外延材料层；进行刻蚀步骤，去除侧壁和栅极结构表面上的半导体外延材料层，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成第一半导体外延层；进行选择外延步骤，通入沉积气体和刻蚀气体，在栅极结构两侧的半导体衬底上形成第二半导体外延层，所述第二半导体外延层沿水平方向修复或补偿所述第一半导体外延层；重复依次进行外延步骤、刻蚀步骤和选择外延步骤，直至在栅极结构两侧的半导体衬底上形成抬高源/漏区。
  • 半导体结构形成方法
  • [发明专利]一种芯片的制作方法-CN201711135454.X有效
  • 贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 - 扬州乾照光电有限公司
  • 2017-11-16 - 2020-03-31 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种芯片的制作方法中，采用与目标外延层晶格匹配的过渡衬底，通过外延工艺可以在所述过渡衬底表面形成整面晶体结构的过渡外延层。由于所述过渡外延层为整面晶体结构，故可以通过外延工艺，以所述过渡外延层为靶材，在非晶格匹配的目标衬底上形成单晶结构的所述目标外延层。由于所述目标外延层为通过外延工艺形成的单晶结构，其厚度精度较好，且与所述目标衬底的生长应力较小，无需再压合新的衬底，以进行衬底转移，克服了现有技术中外延层的生长厚度的精度较差、压合应力以及生长应力较大的问题
  • 一种芯片制作方法
  • [发明专利]半导体器件结构-CN202010286671.4在审
  • 王鹏;徐大朋;罗杰馨;柴展 - 上海新微技术研发中心有限公司;上海功成半导体科技有限公司
  • 2020-04-13 - 2021-10-22 - H01L29/06
  • 本发明提供一种半导体器件结构，半导体器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延结构，外延结构包括至少两层外延单元层，且至少两层具有不同的掺杂浓度；沟槽结构以及形成于沟槽结构中的第二导电类型的柱结构本发明在制备外延结构的过程中，制备出包括少两层外延单元层的外延结构，且外延单元层中的至少两层具有不同的掺杂浓度，可以基于上述材料层的设置改变形成在外延结构中的沟槽结构的侧壁的形貌，从而可以使得在沟槽结构中形成的柱结构的形貌依据实际需求进行改进，可以改变沟槽结构侧壁与底部之间的倾斜情况，即改变柱结构侧壁与底部之间的倾斜情况，进而可以改善由其引起的电容急剧变化的问题。
  • 半导体器件结构
  • [实用新型]一种具有复合尺寸的LED芯片-CN202022939584.2有效
  • 崔永进 - 佛山市国星半导体技术有限公司
  • 2020-12-09 - 2021-06-29 - H01L33/24
  • 本实用新型公开了一种具有复合尺寸的LED芯片，包括衬底、外延层、切割道、以及设于外延层上的电极；所述外延层设有n个波长区域，n≥2，每个波长区域的外延层的波长不同；所述切割道沿着外延层的表面贯穿至衬底表面，所述切割道将外延层分隔成多个发光结构，其中，位于同一波长区域的发光结构尺寸相同，不同波长区域的发光结构尺寸不同。本实用新型根据外延层的波长分布将同一区段波长的外延层制成同一尺寸的发光结构，其余不同波长段的外延层制成不同尺寸的发光结构，以提高芯片成品良率，出货效率，以及减少不同波段芯片的库存。
  • 一种具有复合尺寸led芯片
  • [发明专利]半导体元件-CN202011153977.9在审
  • 邱诚朴;李宗颖;吕典阳;赵俊凯;邱春茂 - 联华电子股份有限公司
  • 2020-10-26 - 2022-05-13 - H01L27/088
  • 本发明公开一种半导体元件，其主要包含一逻辑区以及一高压区定义于基底上，第一栅极结构设于高压区，第一外延层以及第二外延层设于第一栅极结构一侧，第一接触插塞设于第一外延层以及该第二外延层之间，第三外延层以及第四外延层设于第一栅极结构另一侧以及第二接触插塞设于第三外延层及第四外延层之间，其中第一外延层底部低于第一接触插塞底部且第三外延层底部低于第二接触插塞底部。
  • 半导体元件
  • [发明专利]一种环栅晶体管及其制造方法-CN202310622741.2在审
  • 李永亮;赵飞 - 中国科学院微电子研究所
  • 2023-05-29 - 2023-08-08 - H01L29/06
  • 本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，以使得位于沟道部中不同层的纳米结构两侧的轻掺杂外延部内的杂质掺杂浓度均同时达到目标范围，有效抑制环栅晶体管的热载流子效应，利于提升环栅晶体管的工作性能所述环栅晶体管包括：半导体基底、有源结构和栅堆叠结构。有源结构包括源外延部、漏外延部、沟道部和轻掺杂外延部。沟道部和轻掺杂外延部均位于源外延部和漏外延部之间，沟道部沿长度方向的两端通过轻掺杂外延部分别与源外延部和漏外延部连接。轻掺杂外延部的导电类型分别与源外延部和漏外延部的导电类型相同。轻掺杂外延部内的杂质掺杂浓度大于等于5×e17cm‑3、且小于等于5×e19上述栅堆叠结构环绕在沟道部的外周。
  • 一种晶体管及其制造方法
  • [发明专利]外延结构体的制备方法-CN201110076903.4有效
  • 魏洋;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
  • 2011-03-29 - 2012-10-10 - H01L33/00
  • 本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一碳纳米管层；在所述基底的外延生长面生长一第一外延层并覆盖所述碳纳米管层；在所述第一外延层的表面设置一碳纳米管层，其中，所述第一外延层的表面为该第一外延层的外延生长面；以及，在所述第一外延层的表面生长一第二外延层。该外延结构体的制备方法工艺简单，成本低廉，且污染小。
  • 外延结构制备方法
  • [发明专利]LDMOS器件及其制作方法-CN202211137968.X在审
  • 李荣伟 - 苏州华太电子技术股份有限公司
  • 2022-09-19 - 2022-12-20 - H01L29/06
  • 本申请提供了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括基底、阱区结构以及连接结构，其中，基底包括衬底、外延层、体区、漂移区以及源区，衬底以及外延层依次层叠，体区与漂移区接触且均位于外延层中，源区位于体区中，衬底、外延层以及体区的掺杂类型相同，漂移区与源区的掺杂类型相同且与外延层的掺杂类型不同；阱区结构位于外延层中，阱区结构分别与体区以及漂移区接触，阱区结构与外延层的掺杂类型相同，且阱区结构的掺杂浓度高于外延层的掺杂浓度；连接结构位于外延层中，连接结构分别与衬底、源区以及阱区结构接触，连接结构用于连接衬底以及阱区结构。
  • ldmos器件及其制作方法
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