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[发明专利]硅外延生长方法及半导体结构-CN201910842905.6在审
发明人：宋洋;马雁飞;叶康 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延生长方法及半导体结构，通过在侧墙侧的半导体衬底中形成开口，将所述开口作为硅生长窗口；在所述开口中进行硅外延生长工艺，形成硅外延层。使得在硅外延生长工艺时，硅外延层能够位于所述开口中，能够灵活的控制硅外延生长的厚度，从而给后续工艺提供更加宽的制程窗口；进一步的，由于硅外延层能够在所述开口中均匀生长，能够提供一定的拉应力或压应力。
硅外延开口硅外延层生长半导体结构后续工艺生长窗口拉应力灵活的压应力侧墙衬底制程半导体

[发明专利]分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法-CN201910428331.8在审
发明人：刘斌;初嘉鹏;谢自力;陶涛;李振华;吴耀政;赵红;陈敦军;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种分子束外延生长蓝宝石基AlGaN/GaN异质结结构的方法，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在衬底上同质外延一层GaN外延层，使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在GaN外延层上外延AlN插入层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在AlN插入层上外延一层Al_xGa_(1‑x)N层；使用分子束外延技术，通过控制生长参数，在Al_xGa_(1‑x)N层上外延一层GaN盖帽层。本发明采用分子束外延技术在GaN外延层与Al_xGa_(1‑x)N薄膜层之间生长不同厚度AlN插入层，能够优化Al_xGa_(1‑x)
分子束外延技术生长参数分子束外延异质结结构蓝宝石基生长二维电子气特性问题同质外延薄膜层盖帽层异质结衬底输运优化

[发明专利]外延衬底-CN201210085292.4有效
发明人：魏洋;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延衬底，包括：一基底，所述基底具有一外延生长面，该外延生长面具有多个凸起部与多个凸起；以及一碳纳米管层，该碳纳米管层设置于所述基底的外延生长面，并覆盖所述多个凸起部与多个凸起；其中，所述碳纳米管层与所述基底的外延生长面接触设置，所述碳纳米管层的起伏趋势与所述外延生长面的起伏趋势相同。
外延衬底

[发明专利]一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法-CN201610801795.5在审
发明人：刘扬;张佳琳;杨帆;何亮 -专利权人：中山大学
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法。一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法，包括下述步骤：首先提供所需衬底，在所述衬底上依次外延生长应力缓冲层以及GaN缓冲层，获得进行选择区域外延的基板。在所述基板上依次选择区域外延GaN沟道层、AlN插入层以及AlGaN势垒层，其中GaN沟道层通过TMIn辅助生长。本发明能够有效抑制选区外延中再生长界面的寄生沟道，提高选区外延生长的AlGaN/GaN异质结构质量，降低外延层的漏电流。
一种选区外延质量 algan gan 生长方法

[发明专利]一种LED外延生长方法-CN202111346844.8有效
发明人：徐平 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长P型AlGaN层、H2处理、交替生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层、生长AlInGaN/GaN超晶格层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型本发明解决现有LED外延生长中存在的大电流注入下的亮度衰减问题，并有利于整个外延层材料生长平整，能够防止外延片表面开裂，减少外延片翘曲。
一种 led 外延生长方法

[发明专利]连续生长外延片的方法、装置、设备及存储介质-CN201910856218.X在审
发明人：彭伟伦;林忠宝;周亮 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明提供一种连续生长外延片的方法、装置、设备及存储介质，方法包括：经第一生长周期获得第一组外延片；获得第一组外延片中的每一个外延片的不同位置的多个波长值；根据多个波长值计算得到第一组外延片的每一个外延片的平均波长偏差值以及若干个外延片的总平均波长偏差值；比较第一生长周期的总平均波长偏差值与第一组外延片的目标波长，并根据比较结果调整气体流量参数以在第二生长周期中进行第二组外延片的生长。该方法完全可以实现外延片生长的参数的智能化自动控制，使得MOCVD系统的参数的调整更加统一，更加准确，从而提高MOCVD设备不同的生长周期生长的外延片波长一致性，提高外延片的良率。
外延片生长周期平均波长波长生长气体流量参数波长一致性外延片生长存储介质目标波长智能化良率统一

[发明专利]外延生长方法-CN201810947746.1在审
发明人：伍洲;黄锦才 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长方法，在第一导电类型的硅衬底上的沟槽中，先在沟槽内淀积一层含碳的且浓度渐变的衬垫外延层，然后沟槽内再填充满第二导电类型的外延层；所述的浓度渐变，是指衬垫外延层中含碳的浓度，靠近衬底的一侧浓度最高，往沟槽中间方向浓度逐渐降低，到与第二导电类型的外延层接触的面碳浓度降为零。靠衬底的高掺杂浓度的衬垫外延层，能有效抑制硼、磷元素的热扩散，同时确保后续生长的第二导电类型的外延层没有位错缺陷的产生；掺碳浓度为零的衬垫外延层与后续填充接触的第二导电类型的外延层结构一致，没有晶格差异，第二导电类型的外延层生长不会产生位错。
外延层导电类型外延生长渐变衬底第一导电类型外延层结构晶格差异位错缺陷有效抑制中间方向逐渐降低生长高掺杂硅衬底磷元素热扩散掺碳淀积位错填充

[发明专利]SiC外延生长装置-CN202080007995.8在审
发明人：水岛一郎;醍醐佳明;森山义和 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：一实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：腔室，其中被导入至少含有硅及碳的工艺气体，且能够收纳通过工艺气体来成膜的基板；配管，其将含有伴随基板的成膜而生成的副产物的气体从腔室排出；和压力控制用的阀，其设置于配管的中途
sic 外延生长装置

[发明专利]外延生长方法-CN202211612866.9在审
发明人：梁鹏欢;王力 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本公开提供一种外延生长方法，所述方法包括如下步骤：将硅片加载至基座上；调节上加热组件和下加热组件的工作参数，以调节反应腔室的温场，使反应腔室达到预定工艺温度，且硅片与所述基座的温差在预定阈值内；向反应腔室供给硅源气体，以在硅片表面成长形成外延层。本公开提供的外延生长方法可抑制硅片外延生长时支撑销杆污染印记的产生，工艺简单、重复性高。
外延生长方法

[发明专利]LED外延生长装置-CN201110371287.5有效
发明人：田宇;韩效亚;马子越;杜石磊;林晓珊;张双翔;张银桥;王向武 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：LED外延生长装置，属于外延生长设备技术领域，炉筒的上、下两端分别连接炉盖和炉底，在炉盖上分别设氮气进气口、混合气体接入通道和若干氢气进气通道；在炉盖和环形石墨护罩之间夹持环形均温组件，于环形石墨护罩内本发明可控制反应室与炉盖之间的温度，当反应室内的温度与炉盖的温度差较小时，在冷却装置表面就不容易生长颗粒。可省去更换冷却装置的工作量，节省时间，提高外延生产效率和外延产品的质量。
led 外延生长装置

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201911232930.9有效
发明人：梅田喜一;奥野好成;金田一麟平 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B25/10 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC外延生长装置。本实施方式所涉及的SiC外延生长装置具备：载置台，其載置SiC晶片；和炉体，其覆盖上述载置台，上述炉体具有：侧壁部；和顶部，其具有向上述炉体内供给原料气体的气体供给口，并覆盖上述气体供给口的周围，位于上述载置台的上方
sic 外延生长装置

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201811380345.9有效
发明人：本山和道;奥野好成;梅田喜一;深田启介 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置；以及圆环状的辐射构件，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置与所述基座的与所述载置面相对的背面接触
sic 外延生长装置

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201911163010.6有效
发明人：梅田喜一;渥美广范 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明的SiC外延生长装置具备载置SiC晶片的载置台和覆盖所述载置台的炉体，所述炉体具备原料气体供给口、第1吹扫气体供给口和第2吹扫气体供给口，所述原料气体供给口位于与所述载置台相对的位置，向所述生长空间供给原料气体，所述第1吹扫气体供给口包围所述原料气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体，所述第2吹扫气体供给口包围所述第1吹扫气体供给口的周围，向所述生长空间供给吹扫气体。
sic 外延生长装置

[发明专利]SiC外延生长装置-CN201811380441.3有效
发明人：本山和道;奥野好成;梅田喜一;深田启介 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及SiC外延生长装置。本实施方式涉及的SiC外延生长装置具备：基座，具有能够载置晶片的载置面；和加热器，在所述基座的与所述载置面相反侧与所述基座分离地设置，在俯视时与载置于所述基座的晶片的外周部重叠的位置，在与所述加热器的所述基座侧的第
sic 外延生长装置

[发明专利]外延生长用衬底-CN200910129736.8无效
发明人：大岛佑一 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种外延生长用衬底，其可以将通过镊子等造成的衬底操作位置限制在衬底周边部的极有限的一部分、从而能够大大抑制伴随衬底操作而污染等的区域。所述衬底为外延生长用的衬底(1)，在与进行外延生长的衬底(1)的表面(1a)相反的背面(1b)侧局部性地存在倒角部(3)。
外延生长衬底