“外延生长法”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果432081个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]外延生长法-CN200480020384.8无效
发明人：高草木操;金井进 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种外延生长方法，是采用分子束外延生长法形成具有III－V族系化合物半导体的异质结的半导体薄膜的外延生长方法，具备下述工序：照射至少一种以上的III族元素的分子束和第1V族元素的分子束，形成第1化合物半导体层的第1工序；停止上述III族元素的分子束和上述第1V族元素的分子束的照射，中断生长直到上述第1V族元素的供给量变为上述第1工序中的供给量的1/10以下的第2工序；和照射至少一种以上的III族元素的分子束和第
外延生长

[发明专利]固相熔剂外延生长法-CN200580009225.2无效
发明人：鲤沼秀臣;松本祐司;高桥龙太 -专利权人：独立行政法人科学技术振兴机构
申请日： 2005-03-22 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： C30B3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够制造具有与块晶同等的晶体完整性的薄膜、且制造成本低的固相熔剂外延生长法，其中，在基板上将外延生长的物质即目标物质和溶剂相混合的非晶形薄膜在低于共晶点温度的低温下进行堆积，在目标物质和熔剂的共晶点温度以上的温度下对该基板进行热处理通过固相反应即固相扩散，目标物质和熔剂相混合而形成共晶状态的液相，目标物质从该液相析出并在基板上进行外延生长。
熔剂外延生长

[发明专利]外延片及其制造方法-CN95120460.2无效
发明人：三浦祥纪;藤田庆一郎;竹本菊郎;松岛政人;松原秀树;高岸成典;关寿;纐缬明伯 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 1995-12-22 - 公布日： 1996-10-23 - 主分类号： H01L21/36 文献下载
摘要：本发明提供了可以使用在诸如发光元件等中的高性能的外延片，以及可工业化制造该外延片的方法。外延片具有由GaAs，GaP，InAs，InP形成的组中选出的化合物半导体基板1，形成在基板1上的厚度为10毫微米～80毫微米的由GaN构成的缓冲层2，形成在缓冲层2上的含有GaN的外延层3。用有机金属氯化物气相外延生长法，在第一温度下形成缓冲层2，用有机金属氯化物气相外延生长法，在比第一温度高的第二温度下形成外延层3。
外延及其制造方法

[发明专利]制造ZnO单晶的方法、由此得到的自支撑ZnO单晶晶片、以及自支撑含Mg的ZnO系混合单晶晶片和用于其的制造含Mg的ZnO系混合单晶的方法-CN200980110142.0无效
发明人：关和秀幸;小林纯;宫本美幸;大桥直树;坂口勲;和田芳树 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2009-03-18 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：将作为溶质的ZnO与溶剂混合使该溶质熔解后，使所得熔液与种晶基板直接接触，连续地或间歇地提起前述种晶基板，从而通过液相外延生长法可将ZnO单晶生长在前述种晶基板上。此外，将作为溶质的ZnO和MgO与溶剂混合使该溶质熔解后，使所得熔液与种晶基板直接接触，连续地或间歇地提起前述种晶基板以通过液相外延生长法使含Mg的ZnO系混合单晶生长，其后，通过研磨或蚀刻除去基板，研磨或蚀刻前述单晶的液相外延生长的
制造 zno 方法由此得到支撑晶片以及 mg 混合用于

[发明专利]复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片-CN03118956.3无效
发明人：刘明德;王怀兵;何清华;邓纲;熊建明 -专利权人：方大集团股份有限公司
申请日： 2003-04-16 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是一种GaN基蓝光LED外延片的生长技术，由于采用了InGaN/(InGaN，AlGaN)复合量子阱作为有源层及AlN、GaN双缓冲层生长法，制备的外延片具有高亮度及高晶体质量的优点。
复合量子结构亮度 gan 基蓝光 led 外延

[发明专利]氮化铝外延生长法及所用生长室-CN00811253.3无效
发明人：尤里·亚列山德罗维奇·沃达科夫;谢尔盖·尤里耶维奇·卡尔波夫;尤里·尼古拉耶维奇·马卡罗夫;耶夫格尼·尼古拉耶维奇·莫霍夫;马尔科·戈里戈尔耶维奇·拉姆;亚历山大·德米特里耶维奇·罗因科夫;亚历山大·索罗莫诺维奇·谢加尔 -专利权人：福克斯集团公司
申请日： 2000-08-02 - 公布日： 2002-09-25 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种由氮和铝的蒸气混合物外延生长氮化铝单晶的方法,所述方法包括如下步骤外延生长基体(4)和铝源(5)置于生长室(3)内彼此相对的位置上;所述外延生长基体加热到一定温度,确保氮化铝单晶的生长,而且保持该温度在生长室(3)内保持氮和铝蒸气混合物的压力,且所述压力超过低限不大于400mbar,该低限是源物质(5)蒸发形成的化学计量的氮和铝蒸气混合物在密闭空间产生的压力。本发明也涉及一种生长室(3),所述生长室接触源物质和铝蒸气的内表面,其材质是碳化钽在碳化物(原文如此)中的固溶体。
氮化外延生长所用

[发明专利]单晶碳化硅的制造方法及收容容器-CN201680076536.9在审
发明人：矢吹纪人;鸟见聪 -专利权人：东洋炭素株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提供一种在利用溶液生长法使单晶碳化硅生长的情况下，制造高纯度的单晶碳化硅的方法。本制造方法中，在通过溶液生长法使外延层在至少表面由SiC组成的种子材料上生长而制造单晶碳化硅的方法中，以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度变得非常低的方式使单晶碳化硅生长。另外，提供一种收容容器，是用以通过使用Si熔液的溶液生长法而使单晶碳化硅生长的收容容器，其中至少在表面设置有将作为追加原料的SiC及C的至少一者追加于Si熔液内的供给材料。由此，通过使用此收容容器进行溶液生长法，可不用进行特别的处理而制造高纯度的单晶碳化硅。
单晶碳化硅溶液生长法收容容器制造生长高纯度熔液追加二次离子质谱分析表面设置供给材料种子材料外延层法量

[发明专利]自组装InGaN量子点及其制备方法-CN202210672225.6在审
发明人：杨文献;陆书龙;张雪;金山;邱海兵;魏铁石;顾颖;张鹏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种自组装InGaN量子点及其制备方法，所述制备方法包括：S1、基于分子束外延工艺，持续通入In源、Ga源及N源，在衬底上外延生长InGaN浸润层；S2、基于分子束外延工艺，持续通入In源及Ga源，周期性通入和/或中断N源，在InGaN浸润层上进行InGaN量子点的成核及生长。本发明采用两步生长法实现InGaN量子点的自组装生长，相对于S‑K模式直接生长或中断生长法，本发明对InGaN量子点生长动力学过程有更强的调控能力，一方面有利于促进In原子并入，拓展发光波长，另一方面可以改善量子点的微观形貌
组装 ingan 量子及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管的外延层及其制造方法-CN200810224091.1无效
发明人：陈洪宁;方绍明;刘鹏飞;王新强;陈勇 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管的外延层及其制造方法，涉及半导体芯片技术领域。解决了现有技术存在制造方法比较复杂、工艺难度较大，导致场效应晶体管的制造效率比较低的技术问题。该场效应晶体管的外延层，包括设于漏极的衬底之上的第一外延层，第一外延层上还设有至少一层第二外延层，第一外延层以及第二外延层均包含有掺杂元素，第二外延层的掺杂元素的浓度大于第一外延层。该场效应晶体管的外延层的制造方法，包括以下步骤：采用外延生长法在漏极上的衬底之上形成包含有掺杂元素的第一外延层；采用外延生长法在第一外延层上形成至少一层包含有掺杂元素且掺杂元素的浓度大于第一外延层的第二外延层
场效应晶体管外延及其制造方法

[发明专利]发光元件的制造方法、化合物半导体晶圆及发光元件-CN200780011180.1有效
发明人：久米史高;筱原政幸 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件的制造方法，是在成长用单结晶基板1上，依次外延生长由Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体所构成的发光层部24与电流扩散层7，其中，依次实施以有机金属气相成长法将发光层部24外延生长于成长用单结晶基板1上的有机金属气相成长步骤、以及以氢化物气相成长法将电流扩散层7外延生长于发光层部24上的氢化物气相成长步骤。由此，使用氢化物气相成长法形成厚的电流扩散层时，可抑制凸起的产生。
发光元件制造方法化合物半导体

[发明专利]一种β-Ga2-CN202110939569.4在审
发明人：张雅超;张涛;冯倩;张进成;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：薄膜的制备方法及β‑Ga2O3薄膜，该方法包括：选取具有一定偏角范围的偏角衬底；对所述偏角衬底进行退火处理；在所述偏角衬底上外延生长第一β‑Ga2O3层；采用脉冲式生长法在所述第一β‑Ga2O3层上外延生长第二β‑Ga2O3层，以得到β‑Ga2O本发明通过采用偏角衬底提高了外延薄膜平整度；同时配合脉冲式生长法极大地降低了薄膜表面的粗糙度，提升了β‑Ga2O3薄膜质量
一种 ga base sub

[发明专利]一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法-CN200410037945.7无效
发明人：陈弘;郭丽伟;王晶;汪洋;邢志刚;周均铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-05-14 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法，包括：使用常规的两步生长法，在衬底上外延生长GaN缓冲层；在此GaN缓冲层上，使用常规的外延方法，在600～1200℃淀积厚度为1～10nm、非均匀地分布有孔洞的所述的两步生长法为先在500～700℃生长8～40nm厚的GaN或AlN成核层；然后在700～1200℃生长100nm～3μm厚的GaN或Al_xGa_1－xN层在其上外延的GaN材料的质量较好，能降低GaN基外延层中的穿透位错密度；且本方法工艺简单易行，可以减少对衬底的污染和损伤，又可以降低生产成本。
一种利用 sin 原位制备图形衬底方法

[发明专利]第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法-CN201680013458.8有效
发明人：森勇介;吉村政志;今出完;柴田真佐知;吉田丈洋 -专利权人：国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为
iii 氮化物半导体晶体衬底制造方法

[发明专利]基座和化学气相生长装置-CN201910826274.9在审
发明人：余佳;石桥直人;深田启介;梅田喜一;渥美广范 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供基座和化学气相生长装置。该基座是被用于在晶片的主面上采用化学气相生长法使外延膜生长的化学气相生长装置的基座，具有基台和配置于所述基台的外周部的用于支持所述晶片的外周部的3个突起部。
基座化学相生装置

[发明专利]半导体外延结晶基板的制造方法-CN200780034062.2有效
发明人：佐泽洋幸;西川直宏;秦雅彦 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。
半导体外延结晶制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条