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[发明专利]第III族氮化物衬底的制造方法及第III族氮化物衬底-CN201710980349.X有效
发明人：北村寿朗;柴田真佐知;吉田丈洋 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及第III族氮化物衬底的制造方法及第III族氮化物衬底。本发明要解决的课题是提高第III族氮化物衬底的品质。本发明的解决手段为一种第III族氮化物衬底的制造方法，其具有下述工序：准备衬底的工序，所述衬底由第III族氮化物的晶体形成，且具有较之晶体的母相而言氧浓度更大的高氧浓度区域；穿孔工序，对准高氧浓度区域而向衬底照射激光，形成在厚度方向上贯穿衬底的贯穿孔，将高氧浓度区域中的至少一部分从衬底除去；和埋入工序，在贯穿孔的内部使第III族氮化物的晶体生长，将贯穿孔的内部的至少一部分掩埋。
iii 氮化物衬底制造方法及第

[发明专利]氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体-CN201811585112.2有效
发明人：吉田丈洋;藤仓序章;柴田真佐知;堀切文正 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及氮化物半导体基板及其制造方法、半导体层叠物及其制造方法、以及层叠结构体。提供一种能够增大(0001)面的曲率半径、使偏离角分布狭窄的技术。一种氮化物半导体基板，其由III族氮化物半导体的晶体形成，具有最近的低指数晶面为(0001)面的主面，沿着1‑100轴的方向以及沿着与1‑100轴垂直的11‑20轴的方向中的任一方向的(0001)面相对于主面弯曲成凹球面状，且沿着1‑100轴的方向以及沿着与1‑100轴垂直的11‑20轴的方向中的任一方向的(0001)面的曲率半径与另一方向的至少一部分(0001)面的曲率半径不同。
氮化物半导体及其制造方法层叠以及结构

[发明专利]晶体基板的制造方法以及晶体基板-CN201910204487.8有效
发明人：吉田丈洋;柴田真佐知;皿山正二;佐藤隆;三好直哉;村上明繁 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及晶体基板的制造方法以及晶体基板，提供一种能够提高由III族氮化物构成的晶体基板的面内的偏离角均匀性的新型技术。晶体基板的制造方法具有如下工序：准备第1结晶体的工序，所述第1结晶体是由利用气相法制作的III族氮化物的单晶形成且具有第1主面的基板，单晶的c面以规定的曲率弯曲成凹球面状；以及，在第1主面上，使由III族氮化物的单晶形成的第2结晶体在包含碱金属和III族元素的混合熔体中生长的工序。
晶体制造方法以及

[发明专利]氮化物结晶基板的制造方法以及结晶生长用基板-CN201710222410.4有效
发明人：森勇介;吉村政志;今出完;今西正幸;柴田真佐知;吉田丈洋 -专利权人：国立大学法人大阪大学;株式会社赛奧科思;住友化学株式会社
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明的课题在于使用经大直径化的结晶生长用基板制造优质的氮化物结晶基板。解决方法具有：准备结晶生长用基板的第1工序，所述结晶生长用基板具备按照主面相互平行、侧面相互抵接的方式配置成平面状的包含氮化物结晶的多个晶种基板，从多个晶种基板之中任意选择的邻接的晶种基板间的晶格常数之差为以内；和在结晶生长用基板所具有的基底面上使结晶膜生长的第2工序。
氮化物结晶制造方法以及生长用基板

[发明专利]氮化物晶体基板-CN201780015540.9有效
发明人：吉田丈洋;柴田真佐知 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：一种氮化物晶体基板，其由直径为100mm以上的氮化物晶体形成，其在主面中具有连续的高位错密度区域和被高位错密度区域划分的多个低位错密度区域，并且主面不包含极性反转区。
氮化物晶体

[发明专利]第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法-CN201680013458.8有效
发明人：森勇介;吉村政志;今出完;柴田真佐知;吉田丈洋 -专利权人：国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供第III族氮化物半导体晶体衬底的制造方法，其中，将利用液相生长法生长而成的第III族氮化物单晶作为晶种衬底，利用气相生长法使第III族氮化物单晶在所述晶种衬底的主面上进行同质外延生长，所述晶种衬底的主面为+C面，在所述晶种衬底面内的整个区域中，所述晶种衬底的主面附近处的晶体中的氧原子浓度为1×1017cm‑3以下。
iii 氮化物半导体晶体衬底制造方法

[发明专利]化合物多晶的制造方法和制造装置、以及化合物单晶的制造方法-CN201310498994.X无效
发明人： 柴田真佐知;稻田知己 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本发明提供能够不使用液体密封剂或石英安瓿而简便地合成高纯度的化合物多晶的化合物多晶的制造方法和制造装置、以及化合物单晶的制造方法。在本发明的一个方式中，提供一种化合物多晶的制造方法，其包括：将Ga（110）和As（111）收纳在通过细孔与外部连接的反应容器（10）中的工序；将反应容器（10）载置在压力容器（101）内，将压力容器（101）密闭的工序；用不活泼气体（112）置换压力容器（101）内的气氛的工序；和通过控制不活泼气体（112）的压力，总是以As的蒸气压以上的压力对压力容器（101）内进行加压，并且对反应容器（10）进行加热，使Ga（110）和As（111）反应，合成化合物多晶（114）的工序。
化合物多晶制造方法装置以及

[发明专利]立式晶舟法的结晶制造装置和结晶制造方法-CN201310487288.5无效
发明人：佐佐边博;佐藤薰由;柴田真佐知 -专利权人：日立金属株式会社
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种立式晶舟法的结晶制造装置和结晶制造方法，通过采用安瓿封入方式，在掺杂Si的GaAs结晶的生长中，在任意的时刻向坩埚内追加B₂O₃，可以制造能够控制结晶中的Si浓度、且尺寸比现有技术长、长度方向的载流子浓度稳定的掺杂Si的GaAs单晶。在立式晶舟法的结晶制造装置（10）和使用该装置的结晶制造方法中，坩埚（11）中含有作为原料的GaAs和作为掺杂剂的Si，具备：设置于安瓿（12）内与原料不同位置的追加B₂O₃（23）、将追加B₂O₃（23）与原料独立地加热的B₂O₃追加用加热器（24），在结晶（15）的生长中，利用B₂O₃追加用加热器（24）控制追加B₂O₃（23）的温度，使追加B₂O₃（23）的至少一部分熔融并且供给到坩埚（11）内。
立式晶舟法结晶制造装置方法

[发明专利]Ⅲ-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-V族氮化物系半导体-CN201110064859.5有效
发明人： 柴田真佐知 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。
氮化物半导体衬底及其制造方法

[发明专利]GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法-CN200810100724.8有效
发明人：大岛佑一;柴田真佐知 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2008-05-20 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高元件的成品率的GaN自支撑衬底及GaN自支撑衬底的制造方法。本发明涉及的GaN单晶具备衬底表面和包含在衬底表面上的极性反转区，极性反转区在衬底表面上的个数密度为20cm^-2以下。
gan 衬底以及制造方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺-CN200810001918.2无效
发明人：碓井彰;柴田真佐知;大岛祐一 -专利权人：日本电气株式会社;日立电线株式会社
申请日： 2003-07-01 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE－GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE－GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。
氮化物半导体衬底及其生产工艺

[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底、其制造方法及Ⅲ－Ⅴ族氮化物系发光元件-CN200610151667.7无效
发明人： 柴田真佐知 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2006-09-11 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了即使衬底面内存在因晶体翘曲而产生晶体取向偏差的情况下，发光波长偏差仍然很小的III－V族氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及发光波长的衬底面内均一性优良的III－V族氮化物系发光元件。本发明的III－V族氮化物系半导体衬底是由III－V族氮化物系半导体晶体构成的半导体衬底，衬底的正面保持生成态，衬底的背面研磨成平坦面，并且晶体的C轴相对于衬底的正面大致垂直或者仅以特定角度倾斜。在该III－V族氮化物系半导体衬底上形成由III－V族氮化物系半导体晶体构成的外延层，从而形成III－V族氮化物系发光元件。
氮化物半导体衬底制造方法发光元件

[发明专利]Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ－Ⅴ族氮化物系半导体-CN200510064396.7有效
发明人： 柴田真佐知 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2005-04-15 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： G01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III－V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III－V族氮化物系半导体层的III－V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III－V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。
氮化物半导体衬底及其制造方法

[发明专利]多孔基板及其制造方法、GaN系半导体叠层基板及其制造方法-CN03815296.7有效
发明人： 柴田真佐知;大岛祐一;江利健;碓井彰;砂川晴夫 -专利权人：日立电线株式会社;日本电气株式会社
申请日： 2003-06-26 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及用于生长半导体等、特别是III族氮化物半导体的结晶层的基板的结构及其制造方法。在本发明中，基板上具备两个多孔层，在两个多孔层中，位于最表面的第一多孔层中的空隙的平均开口部直径小于与第一多孔层相比更靠近于基板侧的第二多孔层的空隙的平均直径，第一以及第二多孔层具有10～90％的体积空隙率，且第一多孔层的空隙的50％以上从第一多孔层表面向第一多孔层与第二多孔层的界面贯通。根据本发明的多孔基板，即使采用以往的结晶生长方法，也能容易地在该多孔基板上生长低缺陷密度的外延结晶。
多孔及其制造方法 gan 半导体叠层基板

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺-CN03815842.6无效
发明人：碓井彰;柴田真佐知;大岛祐一 -专利权人：日本电气株式会社;日立电线株式会社
申请日： 2003-07-01 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的III族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE－GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE－GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。
氮化物半导体衬底及其生产工艺

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