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[实用新型]具有倒T型埋层的深沟槽型功率器件-CN202221977020.0有效
发明人： 陈洪宁 -专利权人：江苏丽隽功率半导体有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有倒T型埋层的深沟槽型功率器件。其有源区内的元胞采用沟槽结构；在所述功率器件的截面上，任意相邻的两个元胞沟槽之间设置一第二导电类型倒T型埋层，所述第二导电类型倒T型埋层位于第一导电类型外延层内，第二导电类型倒T型埋层包括竖向埋体以及与所述竖向埋体连接的横向埋体，其中，竖向埋体在第一导电类型外延层内呈竖向分布，竖向埋体贯穿有源区内的第二导电类型基区，竖向埋体与横向埋体的结合部位于元胞沟槽槽底的下方，横向埋体的横向宽度大于竖向埋体的横向宽度。本实用新型能有效降低器件的导通电阻，提高器件的开关频率，降低导通损耗，安全可靠。
具有型埋层深沟功率器件

[发明专利]一种590MPa级冷轧双相钢与270MPa普碳钢的窄搭接焊接方法-CN201910251666.7有效
发明人：孙帅;王汝飞;刘义学;江波;刘成群;李晓;王永新;许铭;陈洪宁 -专利权人：山东钢铁集团日照有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B23K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种590MPa级冷轧双相钢与270MPa普碳钢的窄搭接焊接方法，将前卷带钢的带尾和后卷带钢的带头经焊机横切剪剪切，保证剪切前后带钢厚度、板形、断面质量良好，设定合适的焊接参数，然后将前卷带钢的带尾和后卷带钢的带头搭接，选用合适的电流、压力、速度，焊轮通过移动框架，对前后搭接的地方进行碾压，碾压力在带钢厚度为0.8mm以下为低压，0.8mm以上选择为高压，得到高强度的焊缝，使带钢能够连续生产。采用低成本的窄搭接焊机来焊接高强钢590MPa级别的冷轧钢双相钢与普碳钢270MPa的焊接，无需对设备进行改造，保证连续退火生产线产品品质的稳定，达到了企业降本增效的目标。
一种 590 mpa 冷轧双相钢 270 普碳钢窄搭接焊接方法

[发明专利]一种CR1000/1500HS热冲压成型用钢的窄搭接焊接方法-CN202010998651.X在审
发明人：孙帅;郝亮;许铭;任东;王永新;张磊;王海阳;张建锋;彭琪;陈洪宁;王国庆 -专利权人：山东钢铁集团日照有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： B23K20/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种CR1000/1500HS热冲压成型用钢的窄搭接焊接方法，将前后剪切后的带钢，进行搭接，通过焊接参数计算公式，计算出恰当的焊接参数，选用合适的搭接量、搭接补偿量、电流、压力、速度，进行焊接，得到高强度的焊缝，使带钢能够连续生产。本发明通过计算公式确定焊接参数的方式，避免了焊接参数采用人工经验设定的弊端，科学合理地控制了焊接质量，提高了焊缝质量的稳定性。采用本发明能使窄搭接焊达到了一次焊接即满足生产工艺的需求，避免了连续退火生产过程中因焊接出现的停车、降速现象，保证了连续生产的稳定。
一种 cr1000 1500 hs 冲压成型窄搭接焊接方法

[实用新型]一种机械组装用零件自动上油装置-CN201922476646.8有效
发明人： 陈洪宁 -专利权人： 陈洪宁
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B05C1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种机械组装用零件自动上油装置，包括支撑台，所述支撑台的顶部两侧外壁均固定安装有竖直设置的第三支撑板，且两个第三支撑板相邻一侧的底部外壁固定安装有同一个第二槽板，所述第二槽板一端的两侧内壁均固定安装有第三电动伸缩杆，且两个第三电动伸缩杆一端的外壁固定安装有同一个第一支撑板。本实用新型提出的一种机械组装用零件自动上油装置，通过设置有第二槽板，并在第二槽板内设置有第三电动伸缩杆、第一支撑板和插杆，可以将需要进行上油的管件插入插杆内，并由第三电动伸缩杆带动第一支撑板移动，使得管件两端的插杆均插入管件内，实现对管件的限位，提高了对管件上油的稳定性。
一种机械组装零件自动上油装置

[实用新型]一种便携式机械加工铣床设备-CN201922476619.0有效
发明人： 陈洪宁 -专利权人： 陈洪宁
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： B23C1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便携式机械加工铣床设备，包括工作台，所述工作台顶部外壁的一侧通过螺钉固定有液压缸，且液压缸活塞杆的一端通过螺钉固定有顶板，所述顶板的底部外壁通过螺钉固定有电控滑轨，且电控滑轨的内壁滑动连接有滑块，所述滑块的底部外壁通过螺钉固定有固定块，且固定块的底部外壁开设有安装槽，所述安装槽的内壁通过螺钉固定有电动机，且电动机的输出轴通过联轴器连接有铣刀，所述固定块的内部开设有集尘槽。本实用新型方便对零件的不同位置进行加工，加工的过程中会产生飞扬的碎屑，吸尘泵能够将飞扬的碎屑吸取至集尘槽内，起到良好的除尘效果，可以降低灰尘对车间环境的污染，保障了工人的身体健康。
一种便携式机械加工铣床设备

[实用新型]一种环保型机械加工用磨床-CN201922488741.X有效
发明人： 陈洪宁 -专利权人： 陈洪宁
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环保型机械加工用磨床，包括工作台，所述工作台的顶部外壁通过螺钉固定有箱体，所述工作台的顶部外壁开有安装槽，所述工作台的底部外壁通过螺钉固定有集尘箱，所述箱体的顶部内壁通过螺钉固定有电动伸缩杆，所述电动伸缩杆活塞杆的一端通过螺钉固定有固定块，所述固定块的底部外壁通过螺钉固定有等距离分布的减震弹簧，所述减震弹簧的底端外壁通过螺钉固定有安装板，所述安装板的底部外壁通过螺钉固定有第一电机，所述第一电机的输出轴通过联轴器连接有打磨轮。本实用新型打磨产生的粉末不会飘溢到空气中对人体造成伤害，自动化程度较高，节能环保，实用性较强。
一种环保机械工用磨床

[外观设计]花架-CN202030001036.8有效
发明人： 陈洪宁 -专利权人： 陈洪宁
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： 06-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：花架。2.本外观设计产品的用途：用于摆放花盆。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
花架

[外观设计]台灯-CN202030001028.3有效
发明人： 陈洪宁 -专利权人： 陈洪宁
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：台灯。2.本外观设计产品的用途：用于照明。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
台灯

[外观设计]衣架-CN202030001029.8有效
发明人： 陈洪宁 -专利权人： 陈洪宁
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： 06-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：衣架。2.本外观设计产品的用途：用于悬挂衣物。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与色彩的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.请求保护的外观设计包含色彩。
衣架

[发明专利]场效应晶体管的外延层及其制造方法-CN200810224091.1无效
发明人： 陈洪宁;方绍明;刘鹏飞;王新强;陈勇 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-10-15 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种场效应晶体管的外延层及其制造方法，涉及半导体芯片技术领域。解决了现有技术存在制造方法比较复杂、工艺难度较大，导致场效应晶体管的制造效率比较低的技术问题。该场效应晶体管的外延层，包括设于漏极的衬底之上的第一外延层，第一外延层上还设有至少一层第二外延层，第一外延层以及第二外延层均包含有掺杂元素，第二外延层的掺杂元素的浓度大于第一外延层。该场效应晶体管的外延层的制造方法，包括以下步骤：采用外延生长法在漏极上的衬底之上形成包含有掺杂元素的第一外延层；采用外延生长法在第一外延层上形成至少一层包含有掺杂元素且掺杂元素的浓度大于第一外延层的第二外延层。本发明应用于提高场效应晶体管的制造效率。
场效应晶体管外延及其制造方法

[发明专利]一种功率器件芯片-CN200810224582.6无效
发明人：刘鹏飞;方绍明;陈勇;陈洪宁;王新强;张立荣;赵亚民 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种功率器件芯片，以提高功率器件芯片电流能力，本发明实施例提供的芯片包括多个形状相同且在平面上无缝衔接的元胞，在平面上所述元胞栅极介质层的形状为与正方形面积相同时周长大于正方形周长的形状，因为单位面积内沟道的宽长比是决定芯片电流能力的重要因素。在工艺一定的情况下，沟道的长度是固定的，沟道的宽度可以近似为元胞的周长，所以采用本发明实施例提供的方案将提高功率器件芯片电流能力。
一种功率器件芯片

[发明专利]一种沟槽型DMOS管及其制备方法-CN200810224888.1无效
发明人：王新强;方绍明;赵亚民;刘鹏飞;陈勇;陈洪宁;张立荣 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型DMOS管及其制备方法，涉及集成电路制备，尤其涉及沟槽型DMOS管及其制备方法，为了解决现有技术无法同时实现DMOS管耐高压和低导通电阻的问题。沟槽型DMOS管的制备方法包括：在衬底上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；在所述第一外延层上沉积一层与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。沟槽型DMOS管包括：在衬底上有与所述衬底的导电类型相同的第一外延层；在所述第一外延层上有与所述衬底的导电类型相同的第二外延层；所述第二外延层的杂质离子浓度小于所述第一外延层。本发明适用于集成电路工艺中的DMOS管的制备。
一种沟槽 dmos 及其制备方法

[发明专利]一种硅晶片、硅晶柱以及半导体芯片生成方法-CN200810222160.5无效
发明人：王新强;方绍明;赵亚民;刘鹏飞;陈勇;陈洪宁 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片工艺技术领域，尤其涉及生成导通电阻小的半导体芯片技术。一种半导体芯片生成方法，包括：在硅晶片的外延层上水平放置半导体芯片的掩模；所述掩模的边与该硅晶片的(110)晶向成45度角；根据所述掩模生成所述半导体芯片。本发明还提供了一种硅晶片和硅晶柱。由于将半导体芯片掩模与硅晶片的(110)晶向成45度角放置(即与(100)晶向平行)，从而生成芯片表面的载流子迁移方向也与硅晶片的(110)晶向成45度角，而使得芯片的载流子迁移率较高，从而生成的芯片导通电阻较小。
一种晶片硅晶柱以及半导体芯片生成方法

[发明专利]防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法-CN200810114957.3有效
发明人：方绍明;刘鹏飞;曾爱平;陈勇;陈洪宁;王新强 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-06-13 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构，从下往上依次包括：衬底、栅极氧化层、栅极介质层、接触孔介质层、及金属层，其中沉积在栅极氧化层之上的栅极介质层呈间隔分布；接触孔介质层在有栅极介质层的区域形成有接触孔；金属层沉积在接触孔介质层上，并与从接触孔露出的栅极介质层接触。本发明还公开了这种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构的形成方法以及另一种防止芯片压焊时金属层脱落的栅极焊点结构及其形成方法。
防止芯片压焊时金属脱落栅极结构及其形成方法

[发明专利]平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法-CN200810119295.9有效
发明人： 陈洪宁;方绍明;刘鹏飞;王心强;陈勇 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，用以减小平面双扩散金属氧化物半导体器件的结型场效应晶体管导通电阻，提高平面双扩散金属氧化物半导体器件的性能。本发明技术方案在制作Planar DMOS器件之前，在晶圆外延层的表层注入第一掺杂原子，使外延层表层的掺杂浓度高于外延层其它部分的掺杂浓度，并将第一掺杂原子驱入外延层，使得减小了晶圆外延层一定深度的电阻率，使损耗层宽度减小，电流的通道变宽，降低了结型场效应晶体管导通电阻，从而降低了导通电阻，提高了平面双扩散金属氧化物半导体器件的性能。
平面扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法

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