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[发明专利]碳/碳复合材料基二硅化钽/碳化硅涂层及其制备方法-CN200610091392.2有效
发明人：李贺军;史小红 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2006-06-09 - 公布日： 2007-01-31 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：一种碳/碳复合材料基二硅化钽/碳化硅涂层，组分有二硅化钽、碳化硅、硅和少量的过渡金属碳化物，其制备时利用二次包埋法在经打磨抛光后的碳/碳复合材料表面直接包埋沉积碳化硅涂层，再用包埋法在已沉积了碳化硅涂层的碳/碳复合材料表面沉积制备二硅化钽外涂层。本发明可有效利用二硅化钽的高温抗氧化性能，提高碳/碳复合材料的使用温度，填补国内外在碳/碳复合材料基二硅化钽涂层研究方面的空白，并为以后碳/碳复合材料在该领域更高温度长时间的使用打下基础。
复合材料基二硅化钽碳化硅涂层及其制备方法

[发明专利]一种钽基表面涂层、制备方法和高温抗氧化材料-CN202310255754.0在审
发明人：蔡圳阳;肖来荣;赵小军;刘赛男;肖宇翔;刘冠群;罗逸豪;林文涛;张亚芳;徐嘉维;邓冠志;查怡涛 -专利权人：中南大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明属于难熔金属钽基体表面高温抗氧化涂层制备技术领域，具体是涉及一种钽基表面涂层、制备方法和高温抗氧化材料，钽基表面涂层包括依次设置在钽基表面的硅化钽层和硅化钨层，本发明有效提高其高温抗氧化性能和使用寿命
一种表面涂层制备方法高温氧化材料

[发明专利]一种用于钛钽合金表面的石墨烯基复合抗菌涂层的制备方法-CN202310694845.4在审
发明人：白天;周文昊;李小成;徐伯文;王岚 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： A61L27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于钛钽合金表面的石墨烯基复合抗菌涂层的制备方法，该方法包括：一、将二元酸或二元醇与三乙氧基硅烷或三甲氧基硅烷合成得到超支化聚硅氧烷；二、将超支化聚硅氧烷接枝到石墨烯及其衍生物表面，得到超支化聚硅烷接枝的石墨烯基复合物；三、将超支化聚硅烷接枝的石墨烯基复合物配制成水溶液后涂覆在钛钽合金表面，形成石墨烯基复合抗菌涂层。本发明通过将超支化聚硅氧烷接枝到石墨烯及其衍生物表面后涂覆制备石墨烯基复合抗菌涂层，提高了石墨烯及其衍生物在钛钽合金基体表面的分散性，以及涂层与基体的结合强度，提高了石墨烯基复合抗菌涂层的抗菌效果，有利于钛钽合金的进一步临床推广应用
一种用于合金表面石墨复合抗菌涂层制备方法

[发明专利]用于沉积钽基材料的化学气相沉积母体-CN200480002409.1无效
发明人：斯穆拉提·卡梅帕利;托马斯·H·鲍姆 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2004-01-06 - 公布日： 2006-02-22 - 主分类号： C07F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了适用于在衬底上化学气相沉积含钽材料如钽、TaN、TaSiN等的钽母体。钽母体为取代的环戊二烯基钽化合物。在本发明的一个方面，这种化合物被甲硅烷化，以构成钽/硅源反应物。本发明的母体有利地用于半导体制造领域，以形成与半导体器件结构的铜金属化相关的扩散屏障。
用于沉积基材化学母体

[发明专利]一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用-CN201911081884.7有效
发明人：欧欣;鄢有泉;黄凯;赵晓蒙;李忠旭;陈阳;游天桂 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法和应用。本发明通过采用一不带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底，包含硅支撑层和钽酸锂单晶薄膜层，其中硅支撑层预先经离子注入处理；先在该衬底薄膜层表面生长一金属层，然后将该金属层与表面沉积金属的氧化硅衬底的金属层键合，其中氧化硅衬底的金属层在氧化硅层表面；最后经过硅的离子剥离及后续抛光，间接地将钽酸锂单晶薄膜和金属层转移至氧化硅衬底上，从而形成带底电极的硅基钽酸锂单晶薄膜衬底。本发明避免了直接剥离钽酸锂并转移其薄膜和金属层至沉积了金属的氧化硅衬底表面的热失配风险，该方法可为高响应度的钽酸锂热释电红外探测器的制备提供厚度定制化的薄膜衬底。
一种电极硅基钽酸锂单晶薄膜衬底及其制备方法应用

[发明专利]硅基钽酸锂混合波导及其制备方法-CN202211265859.6在审
发明人：张永;冯成龙;徐子涵;沈健;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种硅基钽酸锂混合波导及其制备方法，该混合波导由上而下依次包括：非晶硅层、用于防止沉积非晶硅时出现黑点杂质影响波导传输效果的薄膜氧化硅层、用于传输TE模的钽酸锂层、氧化硅掩埋层和硅衬底，其中：非晶硅层、薄膜氧化硅层和钽酸锂层沉积形成层次结构，作为波导结构中用于光传播的结构层。本发明在LTO晶圆上通过沉积和刻蚀技术实现硅与钽酸锂异质集成的混合波导结构，光场会在传播过程中泄露到所述的波导的钽酸锂层中，从而实现光的钽酸锂层局域化，通过上述过程可以将钽酸锂这一具有优良特性的材料引入集成光波导中，实现对传统硅基光波导的突破。
硅基钽酸锂混合波导及其制备方法

[发明专利]一种二硼化铪-二硅化钽复合粉体及其制备方法-CN202111315077.4有效
发明人：柳彦博;谢明劭;刘少璞;王一帆 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硼化铪‑二硅化钽复合粉体及其制备方法，属于复合粉体材料技术领域。本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体为熔融共晶态，成分包括二硼化铪与二硅化钽，所述二硼化铪与二硅化钽的质量比为2～11:1。本发明使用二硅化钽作为二硼化铪的改性成分，一方面，二硅化钽的高温氧化产物SiO2能够作为很好高温封填相，对二硼化铪涂层的孔洞缺陷进行封填；另一方面，二硅化钽的另一高温氧化产物因此，本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体具有良好的高温抗氧化烧蚀特性。
一种二硼化铪二硅化钽复合及其制备方法

[发明专利]一种高纯二硅化钽粉末制备方法-CN201610534377.4在审
发明人：郑贵林;武桂燕;林涛 -专利权人：福斯曼科技（北京）有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高纯硅化钽粉末制备方法，包括如下步骤：将‑500目硅粉和‑300目钽粉以及添加剂NH₄Cl按配比称重，球磨混合均匀，装入陶瓷坩埚并振实到一定密实程度，装入燃烧合成炉，抽真空通入氩气预热后点燃发生燃烧合成，冷却后球磨得到所需的二硅化钽粉末。与现有制造方法相比，本发明方法的合成团块松散，容易破碎，且全部为二硅化钽相的二硅化钽粉末。因此，本发明方法能够制备具有粒度可控性好，纯度高的单相二硅化钽粉末。
一种高纯二硅化钽粉末制备方法

[发明专利]五氧化二钽改性二硅化钼基复合材料及其制备方法-CN200710144487.0无效
发明人：方双全;张晓红;乔英杰;刘爱东 -专利权人：哈尔滨工程大学
申请日： 2007-10-26 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供的是一种五氧化二钽改性二硅化钼基复合材料及其制备方法。按照重量百分比为五氧化二钽1％－7％、MoSi₂93％－99％的比例将各原料混合均匀，进行超声波分散和球磨混合后得到干燥粉体，将干燥粉体置于真空热压烧结炉中，在1400℃进行烧结得到五氧化二钽改性二硅化钼基复合材料
氧化改性二硅化钼基复合材料及其制备方法

[发明专利]一种二硅化钼包覆硼化钽-碳化铪球形粉体及其制备方法-CN202110664756.6有效
发明人：柳彦博;马壮;刘玲;高丽红;朱时珍;委思豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及复合粉体材料技术领域，提供了一种二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体及其制备方法。本发明通过球磨和喷雾干燥造粒制备硼化钽‑碳化铪团聚粉体，然后将团聚粉体进行感应等离子球化处理，实现粉体的烧结致密化，之后在所得硼化钽‑碳化铪球形粉体表面包覆一层二硅化钼包覆层，得到核壳结构的二硅化钼包覆硼化钽本发明制备的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体致密度以及内聚力高，球形度高，流动性好，满足等离子喷涂对于粉体的要求，且二硅化钼的熔点低于硼化钽，在等离子喷涂过程中，可以熔化的更加充分，提高涂层的致密性，二硅化钼包覆层还可以抑制等离子喷涂过程中碳化铪的挥发，降低碳化铪的损失。
一种二硅化钼包覆硼化钽碳化球形及其制备方法

[发明专利]单晶薄膜键合体及其制造方法-CN201510891747.5在审
发明人：胡文 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶薄膜键合体和一种制造单晶薄膜键合体的方法，所述单晶薄膜键合体包括硅基底、铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜以及位于硅基底与铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜之间的硅基薄膜，其中，硅基薄膜通过沉积形成在铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜上，并通过直接键合法与硅基底进行键合，硅基薄膜为硅薄膜、二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜。本发明的三层结构的单晶薄膜键合体能够有效地降低甚至消除在钽酸锂或铌酸锂单晶薄膜和硅基板之间的界面对光波和声波的反射作用，并且降低或消除了界面间的反射作用对于光或声波信号所造成的干扰。
薄膜合体及其制造方法

[发明专利]一种二硼化铪-二硅化钽复合涂层及其制备方法-CN202111315092.9在审
发明人：柳彦博;谢明劭;刘少璞;王一帆 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硼化铪‑二硅化钽复合涂层及其制备方法，属于复合涂层技术领域。本发明使用二硼化铪‑二硅化钽复合粉体作为涂层原料，其中二硅化钽作为二硼化铪的改性成分，一方面，二硅化钽的氧化产物SiO2能够作为很好高温封填相，对二硼化铪涂层的孔洞缺陷进行封填；另一方面，二硅化钽的另一氧化产物Ta2O5能够与HfO2发生固溶反应形成HfTaO本发明采用大气等离子喷涂的方式制备涂层，二硼化铪‑二硅化钽粉体沉积效率高，在喷涂过程中能够充分熔融且不发生分解。
一种二硼化铪二硅化钽复合涂层及其制备方法

[发明专利]一种硅锗合金基热电元件及其制备方法-CN201610209315.6有效
发明人：吴洁华;夏绪贵;杨小燕;顾明;陈立东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。
一种合金热电元件及其制备方法

[发明专利]一种金属基板的高导热半固化胶膜及其制备方法-CN202110513104.2有效
发明人：何新荣;吴国庆;江奎;魏翠;唐剑 -专利权人：广东创辉鑫材科技股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属基板的高导热半固化胶膜，其特征在于，按照重量份数计算，包括以下重量份数的成分：环氧树脂100份、导热填料16～24份、固化剂20～50份和固化剂促进剂3～9份；其中，导热填料为改性氮化硼/二硅化钽微球其中，导热填料使用的是氮化硼为基料，在氮化硼的基础上进行改性，然后将改性后的氮化硼与二硅化钽结合形成微球，改性后氮化硼表面的官能团能够与二硅化钽在盐模板与聚乙烯醇的作用下生成微球，形成的微球具有更大的比表面积以及一定的柔性
一种金属导热固化胶膜及其制备方法

[发明专利]一种制备二硅化钽涂层的方法-CN201410126013.3在审
发明人：牛亚然;葛雪莲;王忠;赵君;黄山松;郑学斌;丁传贤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备二硅化钽涂层的方法,所述方法包括：采用粒径范围为10～120微米，纯度大于95wt%的二硅化钽粉，运用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂于预处理的耐高温基体材料表面，即得二硅化钽涂层，所述等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30-50slpm；等离子体气体H₂：8-18slpm；粉末载气Ar：1.5-5slpm；喷涂距离：100-350mm
一种制备二硅化钽涂层方法

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