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[发明专利]功率半导体器件损耗及温度实时在线仿真系统及方法-CN201910292349.X有效
发明人：马柯;徐梦琦;王卫耀 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G05B17/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件损耗及温度实时在线仿真系统，包括：系统实时仿真模块、器件损耗计算模块以及器件热阻抗模块；所述系统实时仿真模块，模拟功率半导体器件及其所在系统的电磁行为，并向所述器件损耗计算模块提供实时电磁信号；所述器件损耗计算模块，模拟功率半导体器件损耗行为，接收所述系统实时仿真模块的实时电磁信号，并向所述器件热阻抗模块输出实时损耗信号；所述器件热阻抗模块，模拟功率半导体器件热行为，接收所述器件损耗计算模块的实时损耗信号本发明可从多时间尺度全面地对复杂电力电子系统中的功率半导体器件损耗及电、热应力特性进行实时分析，增加了器件温度仿真结果的可信度。
功率半导体器件损耗温度实时在线仿真系统方法

[发明专利]电路中开关器件功率损耗计算方法、装置及设备-CN201810282486.0在审
发明人：邢介宇;刘立志;蒋荣勋 -专利权人：北京新能源汽车股份有限公司
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本申请提出一种电路中开关器件功率损耗计算方法、装置及设备，该方法包括：确定电路中开关器件对应的损耗模型集，其中损耗模型集中包括通态损耗模型、导通损耗模型及关断损耗模型；运行电路的仿真模型，获取电路中开关器件在各个状态时的电流值及电压值；根据开关器件在各个状态时的电流值、电压值及损耗模型集，确定开关器件在电路中的功率损耗。由此，通过利用开关器件的损耗模型集，对电路中开关器件功率损耗进行计算，不仅提高了对开关器件功率损耗的计算准确性，还节省了人力资源，提升了用户体验。
开关器件功率损耗损耗模型电路装置及设备状态时导通损耗仿真模型关断损耗获取电路人力资源通态损耗用户体验运行电路申请

[发明专利]磁性器件绕组仿真方法、装置、终端设备和存储介质-CN202110715115.9在审
发明人：任文;廖胜峰 -专利权人：广州视源电子科技股份有限公司
申请日： 2021-06-26 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了磁性器件绕组仿真方法、装置、终端设备和存储介质，该方法通过在仿真界面接收目标磁性器件的基础参数，所述基础参数中的一个为待定参数；根据所述目标磁性器件对应的损耗模型，在仿真界面显示所述目标磁性器件关于待定参数的损耗曲线，以及所述损耗曲线上最低损耗对应的待定参数数值；在仿真界面接收备选待定参数数值，根据所述损耗模型，在所述损耗曲线标识所述备选待定参数数值对应的损耗。通过在仿真界面接收基础参数，基于损耗模型绘制目标磁性器件关于待定参数的损耗曲线，直观准确地呈现了待设计的目标磁性器件的损耗，便于用户快速准确地确认目标磁性器件的设计参数。
磁性器件绕组仿真方法装置终端设备存储介质

[发明专利]功率器件损耗测试方法、系统和装置-CN201611252584.7在审
发明人：侯晓军;张彩霞;雷云;冷丽英;张成民 -专利权人：西安中车永电捷通电气有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率器件损耗测试方法、系统和装置，其中，功率器件损耗测试方法，包括获取功率器件处于工作状态时，将功率器件设置于水冷基板上，功率器件对应的水冷基板两端的第一温度差；水冷基板冷却后，发热模块取代功率器件设置于水冷基板上，调节发热模块通过的电流，使得水冷基板两端的温度差为第一温度差；根据通过发热模块的电流，确定功率器件的损耗。本发明提供的功率器件损耗测试方法在功率器件实际的工作状态下测得，避免了现有的功率器件损耗测试中，由于计算机软件模拟功率器件的工作状况与实际工况具有差别，而带来的误差。从而，本发明提供的功率器件损耗测试方法提高了功率器件损耗测试的准确率。
功率器件损耗测试方法系统装置

[实用新型]功率器件损耗测试系统-CN201621473162.8有效
发明人：侯晓军;张彩霞;雷云;冷丽英;张成民 -专利权人：西安中车永电捷通电气有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种功率器件损耗测试系统，其中，功率器件损耗测试系统，包括获取功率器件处于工作状态时，将功率器件设置于水冷基板上，功率器件对应的水冷基板两端的第一温度差；水冷基板冷却后，发热模块取代功率器件设置于水冷基板上，调节发热模块通过的电流，使得水冷基板两端的温度差为第一温度差；根据通过发热模块的电流，确定功率器件的损耗。本实用新型提供的功率器件损耗测试系统在功率器件实际的工作状态下测试，避免了现有的功率器件损耗仿真过程中，由于计算机软件模拟功率器件的工作状况与实际工况具有差别，而带来的误差。从而，本实用新型提供的功率器件损耗测试系统提高了功率器件损耗测试的准确率。
功率器件损耗测试系统

[发明专利]一种电源端口防护电路-CN201610495912.X有效
发明人：孙超;刘贞;薄伟 -专利权人：北京全路通信信号研究设计院集团有限公司;中国铁路总公司
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H02H3/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种电源端口防护电路，包括：第一低损耗功率器件、第二低损耗功率器件、反接防护电路、欠压防护电路、过压防护电路和过流防护电路；第一低损耗功率器件的第一端与电源输入端相连，第一低损耗功率器件的第二端与第二低损耗功率器件的第一端相连，第二低损耗功率器件的第二端与待防护电源端口的输入端相连；反接防护电路分别与第一低损耗功率器件的第三端和电源输入端相连；欠压防护电路、过压防护电路和过流防护电路均与第一低损耗功率器件的第二端、第二低损耗功率器件的第二端和第二低损耗功率器件的第三端相连
一种电源端口防护电路

[发明专利]一种功率器件损耗计算方法及装置-CN202210878575.8在审
发明人：张良浩;花峰海 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率器件损耗计算方法及装置，其中，功率器件损耗计算方法包括：获取功率器件所处的电路系统的系统电流以及环境温度；基于环境温度，分别提取IGBT的第一性能曲线、二极管的第二性能曲线；基于系统电流和第一性能曲线，对IGBT的损耗进行计算，得到第一损耗结果；基于系统电流和第二性能曲线，对二极管的损耗进行计算，得到第二损耗结果；基于系统电流、第一损耗结果和第二损耗结果，计算得到功率器件的总损耗。在提高计算功率器件损耗准确性的同时，还对损耗情况进行动态计算，为更好地对功率器件的工作效率提供有力的数据支撑。
一种功率器件损耗计算方法装置

[发明专利]一种碳化硅开关器件热损耗实时在线监测方法-CN202310791799.X在审
发明人：李飞;郭英豪;李可欣;郭静 -专利权人：湖北德普电气股份有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/327 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅开关器件热损耗实时在线监测方法，具体包括以下步骤：S1、数据分组处理，S2、热损耗图像生成，S3、图像特征对比，S4、交互处理，本发明涉及电气监测技术领域。该碳化硅开关器件热损耗实时在线监测方法，可实现通过采用多路碳化硅开关器件热损耗分组监测的方法，来进行更加全面的碳化硅开关器件热损耗检测，很好的达到了既快速又准确的实时在线采集到各路碳化硅开关器件的热损耗情况的目的，使碳化硅开关器件热损耗监测更加准确，即使是针对一些多路碳化硅开关器件的热损耗，也能进行快速监测，很好的避免了出现漏检或错检的情况，从而大大方便了人们实时掌握碳化硅开关器件热损耗情况。
一种碳化硅开关器件损耗实时在线监测方法

[发明专利]功率器件的结温估算方法、功率器件、电机控制器及计算机可读存储介质-CN202011641199.8在审
发明人：王宇;韩浩;黄立勇;黄宜坤 -专利权人：联合汽车电子有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种功率器件的结温估算方法、功率器件、电机控制器及计算机可读存储介质，其中所述方法包括：获取第一功率器件的开关损耗和导通损耗，对所述开关损耗和所述导通损耗进行损耗计算得到所述第一功率器件的平均损耗，根据所述第一功率器件的平均损耗计算所述第一功率器件的总温升，确定所述第一功率器件相邻的温度传感器并根据所述温度传感器计算冷却水的水温，对所述第一功率器件的总温升和所述冷却水的水温进行结温估算得到所述第一功率器件的结温通过实施本申请，能准确估算功率器件MOSFET的结温，进而依据该结温对功率器件MOSFET进行过温保护。
功率器件估算方法电机控制器计算机可读存储介质

[发明专利]器件故障率计算方法及装置-CN201810463918.8有效
发明人：查鲲鹏;曹均正;栾洪洲;屈海涛;顾然 -专利权人：中电普瑞电力工程有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种器件故障率计算方法及装置。所述器件故障率计算方法包括：获取静态电压不均时各个器件的导通电压，根据所述导通电压计算得到每个器件中各元件的导通损耗；获取动态电压不均时各个器件开关过程的电压，根据所述开关过程的电压计算得到每个器件中各元件的开关损耗；根据所述开关损耗及所述导通损耗计算分别计算每个器件中各元件的功率损耗；根据每个器件中的各个元件的器件属性计算得到算每个器件中各元件的结温；根据所述功率损耗和结温计算每个器件中的各元件的故障率；以及根据所述目标器件组件中的各个器件中的各元件的故障率计算得到所述目标器件组件的故障率
器件故障率计算方法装置

[发明专利]一种IGBT器件的评价方法及装置-CN201811053752.9有效
发明人：冯静波;李强;邓卫华;宗文志;胡榕 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网福建省电力有限公司检修分公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种IGBT器件的评价方法及装置，所述方法包括：根据IGBT器件的导通次数确定IGBT器件的损耗功率；根据所述IGBT器件的损耗功率确定IGBT器件的结温；利用所述IGBT器件的损耗功率和结温对所述IGBT器件进行评价。本发明提供的技术方案，不仅满足了IEC标准对IGBT器件的损耗功率与结温计算的要求，还可以对长期运行后或经过严重短路故障的子模块IGBT器件进行热性能的评估。
一种 igbt 器件评价方法装置

[实用新型]一种应用于充电器的节能电路-CN202221046261.3有效
发明人：汪耀波;王永彬;贺凯建 -专利权人：深圳迈特电源技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种应用于充电器的节能电路，包括一设置于充电器电路的电源输入端上的用于抑制输入的浪涌电流的功率损耗器件，和并联于功率损耗器件两端的感应模块，感应模块在物理空间上与功率损耗器件接壤，其中，感应模块用于：在感应模块感应的功率损耗器件的温度不超过预设范围时，保持断开状态，以使得功率损耗器件导通；在感应模块感应的功率损耗器件的温度超过预设范围时，感应模块的两端触点闭合，以使得功率损耗器件被旁路。本实用新型的应用，相对于同等空间大小的普通充电器，由于工作的后续减少了损耗，可实现更大的输出功率，有效提高充电效率，同时减小发热源，降低充电器外壳的温度和内部器件的温度。
一种应用于充电器节能电路

[发明专利]一种电力电子变流器功率器件损耗实时计算系统-CN201910879651.5有效
发明人：杨嘉伟;何文辉;丁理杰;唐健;韩晓言;田军;胡灿;陈刚;王多平 -专利权人：中国东方电气集团有限公司;国网四川省电力公司电力科学研究院;国网四川省电力公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明属于电力电子变流器技术领域，提出了一种电力电子变流器功率器件损耗实时计算系统，基于RTDS实时仿真装置，利用RSCAD仿真软件，构建电力电子变流器实时仿真模型和功率器件损耗计算模型，电力电子变流器实时仿真模型接入实际控制器形成电力电子变流器‑RTDS硬件在环仿真系统，模拟现场实际运行工况，将功率器件损耗计算所需的电压、电流信息输出至功率器件损耗计算模型，形成电力电子变流器功率器件损耗实时计算系统，实现结合动态控制信息的功率器件损耗精确计算
一种电力电子变流器功率器件损耗实时计算系统

[发明专利]片上光互连分析图形化方法、装置、路由器及评估平台-CN202010931421.1在审
发明人：李慧;茹梦莹;顾华玺;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种片上光互连分析图形化方法、装置、路由器及评估平台，包括分析基本光器件的传输损耗模型得到基本光器件中传输损耗与波导参数的关系；根据基本光器件中所述传输损耗与波导参数的关系编写对应的MATLAB脚本，并运行所述MATLAB脚本得到基本光器件的损耗与串扰结果；调用Lab VIEW中的基本光器件图形化子模块，根据基本光器件图形化子模块对基本光器件的损耗与串扰结果图形化显示。本发明提供的片上光互连分析图形化方法，通过分析基本光器件的传输损耗与波导参数的关系，结合MATLAB与Lab VIEW两种软件，设计基于波导参数的基本光器件组合模型，为路由器级和网络级分析、评估提供更准确的参考
上光互连分析图形方法装置路由器评估平台

[发明专利]一种用于宽禁带半导体功率器件的测试方法-CN201711004816.1在审
发明人：王文博 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体功率器件测试方法，该测试方法包括以下步骤开通过程性能测试；关断过程性能测试；导通过程性能测试；判断开通过程宽禁带半导体功率器件的损耗和关断过程宽禁带半导体功率器件的损耗的大小，当开通损耗大于关断损耗时，该器件适合用于软开通，当开通损耗小于于关断损耗时，该器件适合用于软关断。
一种用于宽禁带半导体功率器件测试方法

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