“器件损耗”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果626911个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种破冰船推进变频器开关器件选型方法-CN202110247476.5在审
发明人：谢鹏飞;邵俊波;肖烨然;杜立天;刘乐 -专利权人：武汉船用电力推进装置研究所（中国船舶重工集团公司第七一二研究所）
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种破冰船推进变频器开关器件选型方法，该方法将对开关器件发热功率的计算运用于破冰船上的热阻模型，热阻以及损耗数据库等，破冰船上特殊工况下精确计算设备器件的损耗情况，应用特定的热阻模型来准确计算器件的温度上升情况
一种破冰船推进变频器开关器件选型方法

[发明专利]一种测量矩形波导元器件损耗的方法-CN201710486344.1有效
发明人：秦顺友;张文静;陈辉;秦光远 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量矩形波导元器件损耗的方法，属于波导元器件技术领域。本发明通过分别测量标准增益喇叭在不接和接矩形波导元器件情况下，标准增益喇叭指向晴空天顶方向，用频谱分析仪分别测量标准增益喇叭指向晴空和放置常温负载时的噪声功率，由测量的噪声功率计算矩形波导元器件的损耗。
波导元器件损耗测量标准测量矩形矩形波导元器件标准增益喇叭噪声功率计算频谱分析仪元器件技术喇叭指向噪声功率天顶喇叭指向测量应用

[发明专利]微机电系统(MEMS)器件与制造它们的系统和方法-CN200480008168.1有效
发明人： E·巴尔－萨德;A·塔拉尔耶夫斯基;E·金斯伯格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：简要地，减少衬底的微机电系统(MEMS)器件，例如，低损耗薄膜腔声谐振器(FBAR)滤波器或低损耗FBAR射频滤波器，和生产它们的工艺和方法。依据本发明的实施例的减少衬底的MEMS器件可包括粘结在封装部分间的膜片。根据本发明实施例的工艺可包括把第一封装部分粘结至包括支承衬底的MEMS器件，去除支承衬底，并且把第二封装部分粘结至MEMS器件。
微机系统 mems 器件制造它们方法

[发明专利]用于具有外置电极的发光器件的玻璃-CN200580043574.6有效
发明人：约尔格·费希纳;马丁·莱茨;斯特芬·赖歇尔;弗朗茨·奥特;布里吉特·许贝尔 -专利权人：肖特股份公司
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01J61/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于具有外置电极的发光器件的玻璃体的玻璃组合物，其中，损耗角(tanδ[10^－4])和介电常数的比值为(I)，也就是(II)。从而可以针对性地通过玻璃特性使具有外置电极的发光器件的总损耗功率最小化。
用于具有外置电极发光器件玻璃

[发明专利]一种功率分立器件及其控制方法-CN202110217081.0在审
发明人：陈鹏 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：本申请提供了一种功率分立器件及其控制方法，该功率分立器件充分利用了分立器件有限的引脚和面积，通过两个不同类型的可控半导体芯片之间存在至少一个连接点，将两种不同类型的可控半导体芯片合封在该功率分立器件中，可以省去硅基半导体器件的二极管。其封装后得到的控制端口用于实现对于相应可控半导体芯片的通断驱动，以使功率分立器件的主功率电流流经相应功率流端口，以及相应的可控半导体芯片；而不同类型的可控半导体芯片的性能不同，可以依据当前实际应用场景，选择合适的可控半导体芯片承担相应的损耗，进而降低功率分立器件的总损耗；也即，通过控制两类芯片的导通和关断，进而降低整体工作损耗，提高利用率，降低成本。
一种功率分立器件及其控制方法

[发明专利]双层非对称亚波长电介质光栅太赫兹隔离器-CN201510432049.9有效
发明人：范飞;常胜江;杨磊;陈猛 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：该器件最大隔离度接近20dB，正向传输损耗小于5dB。相比于传统磁光隔离器，该器件无需使用外加磁场，对器件工作温度和环境没有特殊要求，大大提高了器件的实用性；采用电介质光栅，与金属光栅相比，降低了器件的材料损耗和插入损耗。器件巧妙地将两块不同的电介质光栅利用紫外胶封装起来，提高器件使用寿命和稳定性，可应用于太赫兹波光谱、成像、通信和雷达等系统。
双层对称波长电介质光栅赫兹隔离器

[发明专利]一种功率半导体器件热点温度估计方法和装置-CN201811173223.2有效
发明人：石绍磊;张兴春;韩永杰;李峥;唐自强 -专利权人：上海汽车集团股份有限公司
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种功率半导体器件热点温度估计方法，计算功率半导体器件的平均功率损耗，结合该平均功率损耗，基于功率半导体器件估计的热参考点冷却水温度以及实测的热参考点冷却水温度，对热阻网络参数进行补偿；进而基于参数补偿后的热阻网络，计算功率半导体器件的平均结温以及结温波动的峰峰值，并根据计算的功率半导体器件的平均结温和结温波动的峰峰值，估计功率半导体器件的热点温度。由此保证所估计的热点温度的变化曲线为一条光滑连续、波动较小的曲线，无需逆变器在正常模式和降额控制模式之间反复切换，减少对逆变器的损耗；并且在功率半导体器件老化、冷却系统参数变化等情况下，仍能够保证所估计出的热点温度准确性较高
一种功率半导体器件热点温度估计方法装置

[发明专利]基于SiC MOSFET损耗模型的开关过热保护方法-CN202111483064.8有效
发明人：毛琨;刘壮;张海峰;陈宝栋;周冲;杨全耀 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H02H7/22 文献下载
摘要：本发明公开了基于SiC MOSFET损耗模型的开关过热保护方法，开关为SiC MOSFET，包括以下步骤：构建所述SiC MOSFET的损耗模型，通过采集所述SiC MOSFET的采样电信号，估算所述SiCMOSFET的损耗；基于器件损耗和稳态热网络，通过采集高速/超高速电机控制器上开关器件的散热器的表面温度，估算SiC MOSFET的结温，并与预设的保护阈值进行比较，根据比较结果，对SiC MOSFET进行过热保护；系统包括DSP控制芯片、栅极驱动芯片、三相两电平逆变器、信号采样电路、散热及测温模块，DSP控制芯片用于执行开关过热保护方法；本发明避免器件因过热而失效甚至发生爆炸，危害系统的安全运行。
基于 sic mosfet 损耗模型开关过热保护方法

[实用新型]一种新型高压低损耗IGBT结构-CN202120802484.7有效
发明人：张轩;朱东柏 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型所涉及的是一种新型高压低损耗IGBT结构,此IGBT结构为集成PMOS的沟槽IGBT结构，包括集成PMOS的超级基区IGBT(PSBL IGBT)结构与集成PMOS的GGEE type IGBT(PGE IGBT)结构，PSBL IGBT结构是在SBL IGBT内部集成了PMOS结构，不仅改善了器件的导通特性与耐压特性，同时极大的改善了器件导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系,以及导通损耗Eon与续流二极管(FWD)反向恢复时的dVAK/dt折中关系，PGE IGBT结构是在GE IGBT内部集成了PMOS结构,其极大的改善器件的导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系
一种新型压低损耗 igbt 结构

[发明专利]用于估算功率模块的功率半导体器件的结温的方法和系统-CN202011339979.7在审
发明人：李制桓 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于估算功率模块的功率半导体器件的结温的方法和系统。所述方法包括：基于第一功率半导体器件的功率损耗和热阻来计算第一功率半导体器件的结温预测值，并且基于第二功率半导体器件的功率损耗和热阻来计算第二功率半导体器件的结温预测值。通过将温度传感器感测到的感测温度减去第一功率半导体器件的结温预测值来计算散热器的温度预测值。然后，通过将散热器的温度预测值与第二功率半导体器件的结温预测值相加来最终确定第二功率半导体器件的结温。
用于估算功率模块半导体器件方法系统

[发明专利]一种定向耦合器、模式相关损耗补偿器件及系统和方法-CN202210461659.1在审
发明人：黄权东;钟立熙;许鸥;秦玉文 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种定向耦合器、模式相关损耗补偿器件及系统和方法，所述系统包括依次连接的复用端、少模光纤、光放大器、模式相关损耗补偿器件和解复用端；其中，复用端将多路基模信号转换成不同模式并行传输的少模信号；少模信号中的不同模式在长距离的少模光纤中传输并受到不同程度的损耗；光放大器对经过少模光纤传输后少模信号中的不同模式进行放大，不同模式得到不同程度的增益，因此不同模式的能量将产生差异；模式相关损耗补偿器件对增益后少模信号中不同模式的能量进行均衡，使不同模式的能量归于相同值；解复用端将均衡后承载着不同模式的少模信号统一转换成多路基模信号输出，实现模式相关损耗的补偿。
一种定向耦合器模式相关损耗补偿器件系统方法

[发明专利]模块化多电平换流器阀损快速评估算法-CN201510365972.5有效
发明人：周国梁;许斌;谢国恩;谢竹君;向往;文劲宇;梁言桥;彭开军;王光平;谢朝;杨金根;张巧玲;张先伟;刘晓瑞;邹荣盛;马亮;王丽杰;李倩 -专利权人：中国电力工程顾问集团中南电力设计院有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种模块化多电平换流器阀损快速评估算法，步骤如下一、根据系统参数和控制方法，建立MMC的快速仿真模型；二、将仿真结果中的子模块电容电压、开关器件触发脉冲和桥臂电流保存为可读取数据文件；三、根据MMC子模块中开关器件的特性参数建立开关器件损耗计算和PN结温度估计的数学模型；四、将数据文件导入损耗计算程序，计算每个数据步长下的单个IGBT和二极管的阀损耗；五、根据IGBT和二极管的阀损耗功率与结温的关系，通过迭代计算进而叠加得到MMC的阀损耗功率。
模块化电平换流器阀损快速评估算法

[发明专利]自同步电压源风电机组短路电流耐受能力提升系统及方法-CN202210878293.8在审
发明人：蔡旭;王晗;邓桢彦;曹云峰;秦垚;徐思莹;王语阳 -专利权人：上海交通大学;国网北京市电力公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本发明实现自同步电压源风电机组的功率器件结温和损耗的实时计算、比较，并根据温度、损耗信息实时改变开关频率，选取最小损耗的调制策略以降低大短路电流下功率器件发热。
同步电压源风电机组短路电流耐受能力提升系统方法

[发明专利]高频介质器件-CN99802224.1无效
发明人： K·霍里 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 1999-11-03 - 公布日： 2001-03-21 - 主分类号： H01P3/08 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有减小了欧姆损耗的介质器件,特别是提供一种高频应用的介质器件,在该介质器件中,能够减小高频分量的损耗,更具体说,是这样一种多层介质器件。按照本发明,该介质器件包括至少一片其上设有导体(6)的介质(1)和层叠在该介质(1)上的另一片介质(7),其特征在于,在导体(6)的侧沿(8)附近设有介电常数低于所述两片介质(1,7)介电常数的介质(9
高频介质器件

[发明专利]一种基于超材料的中红外吸收体和窄带光吸收方法-CN202310281530.7在审
发明人：廖艳林;周衡;祝海鹏;韦肖肖;陈昭旸;陈翔;周俊杰;谌正艮 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳光学器件领域，具体涉及一种基于超材料中红外窄带光吸收方法，本发明利用周期电介质微结构层和电介质膜层材料极低吸收损耗特性，降低器件吸收损耗，同时激发准连续域中束缚态将电磁场局域在顶层光栅结构中，并用低折射率电介质膜层将电磁场与金属膜层分开，实现吸收损耗降低；激发准连续域中束缚态获得极低的辐射损耗，且辐射损耗随着入射角度变化；调节光栅结构层和低折射率膜层结构参数，满足吸收损耗和辐射损耗相等的临界条件
一种基于材料红外吸收体窄带光吸收方法