专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710010912.0有效
  • 李勇 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2017-01-06 - 2021-08-06 - H01L29/06
  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底上形成有介质介质内具有露出部分基底的开口,开口底部和侧壁形成有结构,结构还位于介质的顶部;至少去除位于介质顶部的结构;至少去除部分所述结构,对基底进行退火处理;退火处理,在开口中填充金属,形成栅极结构。本发明通过采用至少去除位于介质顶部的结构的方法,以减小叠结构的长度;从而可以减小叠结构的膨胀量(或收缩量),相应减小叠结构因产生过大应力而发生破裂的可能性,以减小栅极漏电流、改善半导体结构中接触孔插塞和栅极结构之间的隔离效果
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN202110612944.4在审
  • 罗佳明;王建东;李拓;杨永刚;李华东;张莉 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-06-02 - 2021-09-03 - H01L27/1157
  • 本发明公开了一种半导体器件的制备方法,先在衬底上交替堆叠绝缘介质形成以结构,然后形成垂直贯穿结构的沟道结构,再去除介质形成凹槽,最后去除部分层绝缘,并在凹槽内填充栅极导体其中,在形成沟道结构之前,增加了绝缘的厚度且减小了介质的厚度,因此可以降低形成沟道结构的刻蚀工艺难度,且可以减小介质导致的晶圆应力。另外,在最后去除了增加的绝缘,还能保证最终结构中层绝缘介质的厚度为各自所需的厚度。
  • 一种半导体器件制备方法
  • [发明专利]一种多层耐高温复合阳极的制备方法-CN201811585145.7有效
  • 温亚辉;王喆;张腾;张勇;淡新国;刘晨雨;金波;张清 - 西安瑞福莱钨钼有限公司
  • 2018-12-24 - 2021-02-05 - B23K1/00
  • 本发明公开了一种多层耐高温复合阳极的制备方法,该方法包括:一、根据目标产物复合阳极分别制备第一金属、第二金属和非金属,并从上到下依次放;二、在第一金属与第二金属放面添加第一钎料;三、在述非金属与添加第一钎料的第二金属的放面添加第二钎料得复合阳极预焊件;四、将复合阳极预焊件进行高温真空热压焊接,使第二金属和非金属形成过渡,再经加工得到复合阳极。本发明先加工复合阳极的各层,然后将各层依次放并在各层之间添加钎料进行真空热压焊接,得到复合阳极,利用各层的高温扩散连接,使得各层界面过渡规则,界面清晰,保证了复合阳极的耐高温性能,缩小了复合阳极的动平衡偏差
  • 一种多层耐高温复合阳极制备方法
  • [发明专利]Ti-Al金属化合物复合板的制备方法及其模具-CN202011242862.7在审
  • 原梅妮;魏泽源;郑丽荣;王凯;苗雨中;梁广;马健 - 中北大学
  • 2020-11-10 - 2021-03-05 - B21C37/02
  • 本发明涉及复合板的制备方法,具体为Ti‑Al金属化合物复合板的制备方法及其模具。为了解决现有的Ti‑Al金属化合物复合板的制备方法在制备被当作装甲防护材料用的大尺寸的Ti‑Al金属化合物复合板时存在上述缺陷的问题,提供了一种新型的Ti‑Al金属化合物复合板的制备方法及其模具本发明首先将交替好的Ti板/Al板放置于模具中,随后将装有Ti/Al板的模具放入电阻炉中进行非真空热处理,使Ti/Al板发生扩散反应;然后将装有Ti/Al板的模具从电热炉中取出,迅速放置于金属挤压液压机中进行锻压,最终获得大尺寸的Ti‑Al金属化合物复合板。
  • tial金属化合物复合板制备方法及其模具
  • [发明专利]3D存储器件的制造方法-CN202110347772.2有效
  • 王伟哲;何亚东;刘力挽;张莉;王新胜 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-03-31 - 2022-07-15 - H01L27/11556
  • 该3D存储器件包括:栅结构,位于衬底上方,包括交替堆叠的多个栅极导体和多个绝缘;多个沟道柱和多个假沟道柱,贯穿所述栅结构;第一黏附,位于所述假沟道孔的侧壁,且位于多个所述绝缘之间,与多个所述栅极导体相邻接;芯部,位于所述假沟道孔内部,填充所述假沟道孔的侧壁和底部,所述第一黏附为由氮化物氧化形成的氧化物。通过在假沟道孔的侧壁将氮化物氧化成氧化物形成第一黏附,粘接多个绝缘和芯部,以在栅结构中形成支撑框架,保证对结构的支撑,防止后续高温工艺的影响。
  • 存储器件制造方法
  • [发明专利]栅极硬掩膜的去除方法-CN202210625582.7在审
  • 雷海波;孙晨岑;李刚;洪庆旋 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2022-06-02 - 2022-08-30 - H01L21/336
  • 本发明提供一种栅极硬掩膜的去除方法,提供衬底,衬底上形成有由自下而上堆叠的伪栅、第一硬掩膜、第二硬掩膜形成,的侧壁形成有侧墙;刻蚀去除侧墙,在衬底表面形成覆盖的刻蚀停止与覆盖刻蚀停止介质,之后研磨介质至刻蚀停止的上表面;刻蚀介质,使得顶端的刻蚀停止裸露;刻蚀刻蚀停止介质,使得伪栅的顶端裸露。本发明的方法去除硬掩膜,少了一光刻,节约了成本;本发明涉及的工艺及设备均为现有,且工艺成熟;本发明的方法可以改善工艺缺陷,扩大工艺窗口。
  • 栅极硬掩膜去除方法
  • [发明专利]一种甲胺铅碘/可调带隙非晶硅锗薄膜电池组装技术-CN201611216127.2在审
  • 朱晓萌;曹丙强 - 济南大学
  • 2016-12-26 - 2017-05-31 - H01L31/18
  • 本发明属于电池组装技术,特别涉及一种甲胺铅碘/可调带隙非晶硅锗四终端薄膜电池组装技术,电池结构依次包括甲胺铅碘前子电池、可调带隙非晶硅锗子电池以及两电池的空气隔层;所述前子电池光吸收材料为钙钛矿结构的CH3NH3PbI3,子电池为可调带隙的非晶硅锗合金材料。采用这该种子电池具有可调带隙的电池结构,可以实现各电池之间能带的匹配,改善光生载流子的传输效率,拓展了太阳光谱吸收范围。该种电池还采用了四终端的电池结构,避免了子电池电流的匹配,从而构造出高性能的电池。本发明还公开了一种四终端电池的制备方法。
  • 一种甲胺铅碘可调带隙非晶硅锗叠层薄膜电池组装技术

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