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[发明专利]一种基于软基叠焊材料的高密度叠焊结构及其串焊方法-CN202110407677.7在审
发明人：庄浩;姜亚帅;孙观;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：一种基于软基叠焊材料的高密度叠焊结构，包括若干片互相交叠在一起的电池片，所述的电池片上设有若干条焊带，所述的焊带穿过相邻两块电池片的交叠处，位于交叠处焊带的形状为扁平状，相邻两块扁平状焊带之间设有软基材料层所述的软基材料层的主要材质为具有低玻璃化转变温度、低模量和低透水率的热固性弹性体，本发明将软基叠焊材料的丝网印刷和后固化技术应用于高密度叠焊组件的电池重叠区，改变了现有技术中高密度组件片间为硬接触的现状，使组件在受到外界压力时，片间完全通过软基材料层发生软接触，软基材料层可通过形变吸收外界传导的压力，并且软基材料的低透水率实现了对外界水汽渗透通道的有效阻隔，保证了高密度叠焊结构的水密性。
一种基于软基叠焊材料高密度结构及其方法

[实用新型]一种基于软基叠焊材料的高密度叠焊结构-CN202120771607.5有效
发明人：庄浩;姜亚帅;孙观;黄国平;李菁楠 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01M10/04 文献下载
摘要：一种基于软基叠焊材料的高密度叠焊结构，包括若干片互相交叠在一起的电池片，所述的电池片上设有若干条焊带，所述的焊带穿过相邻两块电池片的交叠处，位于交叠处焊带的形状为扁平状，相邻两块扁平状焊带之间设有软基材料层所述的软基材料层的主要材质为具有低玻璃化转变温度、低模量和低透水率的热固性弹性体，本实用新型将软基叠焊材料的丝网印刷和后固化技术应用于高密度叠焊组件的电池重叠区，改变了现有的高密度组件片间为硬接触的现状，使组件在受到外界压力时，片间完全通过软基材料层发生软接触，软基材料层可通过形变吸收外界传导的压力，并且软基材料的低透水率实现了对外界水汽渗透通道的有效阻隔，保证了高密度叠焊结构的水密性。
一种基于软基叠焊材料高密度结构

[发明专利]OLED显示面板及其制作方法-CN201910038820.2在审
发明人：唐甲;任章淳 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：提供基板；在所述基板上形成彩膜层、缓冲层、有源区、以及覆盖所述有源区的叠层结构，所述叠层结构自下到上依次包括栅极介质层、透明导电层和金属层；形成位于所述有源区上方的栅极叠层和位于所述彩膜层上方的阳极叠层；形成覆盖所述缓冲层、有源区、栅极叠层和阳极叠层的层间介质层；形成源漏金属层、覆盖所述源漏金属层的平坦化层、覆盖所述平坦化层的发光结构。
源区源漏金属层阳极叠层结构平坦化层栅极叠层覆盖彩膜层缓冲层叠层基板层间介质层透明导电层栅极介质层发光结构金属层制作制造

[发明专利]声界面波装置的制造方法-CN201310070546.X在审
发明人：门田道雄;神藤始 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：该声界面波装置，按顺序叠层第1～第3媒质(1～3)、并且第1媒质(1)与第2媒质(2)间的界面上设有电极(5)。该制造方法中，准备叠层第1媒质(1)与第2媒质(2)，并在第1、第2媒质(1、2)的界面中设有电极(5)的叠层体，在该叠层体阶段，通过调整第2媒质(2)的膜厚来调整频率或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速，实施该调整后，形成声界面波的声速及/或材料与第2媒质不同的第3媒质(3)。
界面装置制造方法

[发明专利]声界面波装置的制造方法-CN200910222851.X有效
发明人：门田道雄;神藤始 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：该声界面波装置，按顺序叠层第1～第3媒质(1～3)、并且第1媒质(1)与第2媒质(2)间的界面上设有电极(5)。该制造方法中，准备叠层第1媒质(1)与第2媒质(2)，并在第1、第2媒质(1、2)的界面中设有电极(5)的叠层体，在该叠层体阶段，通过调整第2媒质(2)的膜厚来调整频率或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速，实施该调整后，形成声界面波的声速及/或材料与第2媒质不同的第3媒质(3)。
界面装置制造方法

[发明专利]声界面波装置-CN200910222850.5无效
发明人：门田道雄;神藤始 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2005-03-24 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：该声界面波装置，按顺序叠层第1～第3媒质(1～3)、并且第1媒质(1)与第2媒质(2)间的界面上设有电极(5)。该制造方法中，准备叠层第1媒质(1)与第2媒质(2)，并在第1、第2媒质(1、2)的界面中设有电极(5)的叠层体，在该叠层体阶段，通过调整第2媒质(2)的膜厚来调整频率或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速，实施该调整后，形成声界面波的声速及/或材料与第2媒质不同的第3媒质(3)。
界面装置

[发明专利]闸极结构的制造方法-CN202310582355.5在审
发明人：郑凯仁;杨建国;孙磊;李全波;黄君;邱岩栈 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种闸极结构的制造方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出NMOS和PMOS的有源区，有源区上形成有目标高度的栅极结构，栅极结构由叠层以及位于叠层侧壁上的侧墙组成，叠层由自下而上依次堆叠的栅氧化层、伪栅多晶硅层、硬掩膜层组成；在衬底上形成覆盖栅极结构的第一刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成填充栅极结构之间间隙的第一层间介质层，之后研磨第一层间介质层至第一刻蚀停止层的上方；回刻蚀第一层间介质层至所需厚度，之后利用离子注入在第一层间介质层上形成第二刻蚀停止层；形成填充栅极结构之间剩余间隙的第二层间介质层，之后研磨第二层间介质层至第一刻蚀停止层的上方。
结构制造方法

[发明专利]一种大尺寸金属铝化物曲面薄壁构件制备方法-CN202110396560.3有效
发明人：林鹏;鲁羽鹏;孟令健 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C22C1/00 文献下载
摘要：本发明是一种大尺寸金属铝化物曲面薄壁构件制备方法，涉及金属间化合物构件制备成形技术领域；具体步骤为：确定A、B原始板材的厚度比、厚度与层数；原始板材表面处理；热压预复合获得A/B叠层复合板；轧制复合减薄获得A/B微叠层复合板；A/B微叠层复合板气压成形；原位一级反应扩散；原位二级反应合成；本发明把脆性金属铝化物板材的制备与成形转化为塑性良好的纯金属微叠层复合板制备成形，解决了金属铝化物板材直接制备及二次成形难的问题，运用先成形，后成材的反向思路，使纯金属微叠层复合板成形在先，金属铝化物生成在后，金属铝化物生成后不再二次成形，避免了金属铝化物薄壁构件直接高温成形导致的组织性能恶化。
一种尺寸金属铝化物曲面薄壁构件制备方法

[实用新型]用于叠层母排插接端子的焊接结构-CN201420008971.6有效
发明人：盛建华;王聪;李祥 -专利权人：苏州西典机电有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01R25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于叠层母排插接端子的焊接结构，在叠层母排的每个组成铜排的焊接引脚的两侧分别设有直条形引脚，直条形引脚与铜排相连，焊接引脚的其余部分与铜排间存有空隙。该焊接结构相当于将焊接引脚独立出来，使得焊接引脚四周与铜排间存在一定间隙，防止焊接点处热量的快速散失，只通过直条形引脚将该焊接引脚与铜排连接起来，同时通过对所述直条形引脚的长宽进行调整使焊接引脚满足叠层母排的载流能力，保证本实用新型的焊接结构不会对叠层母排性能造成不良影响。如此，可以保证焊接引脚的温度不会迅速散失，使得快速达到焊接熔点要求，并且母排可热压合后再实施焊接、不损坏绝缘膜，不影响插接端子的载流能力。
用于叠层母排插接端子焊接结构

[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法-CN200910203111.1有效
发明人：千叶原宏幸;石井敦司;和泉直生;松本雅弘 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法-CN201310364531.4有效
发明人：千叶原宏幸;石井敦司;和泉直生;松本雅弘 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。
半导体器件制造方法

[发明专利]发光元件及其制法-CN201110210636.5有效
发明人：陈世益;许嘉良;姚久琳;徐子杰;黄建富 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种发光元件及其制法，该发光元件包括：发光叠层，用以产生光线；基板结构形成于发光叠层下，包括：第一基板，形成于发光叠层下方且具有朝向发光叠层的至少一第一表面；及第二基板，为形成于发光叠层下方的透明基板，且具有朝向发光叠层的至少一第二表面；以及至少一反射层，以非垂直于第一表面的角度形成于第一基板与第二基板间。
发光元件及其制法

[实用新型]一种带挂帘的组合衣柜-CN201220409512.X有效
发明人：楼珍瑶 -专利权人：义乌市嘉豪日用品厂
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： A47B61/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带挂帘的组合衣柜，包括内框架和外布套，所述外布套套在内框架的外部，所述内框架包括支撑架和层架，所述层架将内框架的内空间分割成挂衣间和叠放间，所述挂衣间设置有挂衣杆，其特征在于：所述挂衣间位于叠放间的上方，所述挂衣间通过外布套上的挂帘和外界封闭，所述外布套上设置有闭合窗，该闭合窗通过弧形拉链封闭。本实用新型结构简单合理，挂衣间采用挂帘开闭，方便存取衣物，叠放间采用圆弧形拉链闭合，拉合方便。
一种带挂帘组合衣柜

[发明专利]3D NAND闪存及制备方法-CN201910248585.1有效
发明人：肖莉红 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明提供一种3D NAND闪存及制备方法，包括：半导体衬底；叠层结构，位于半导体衬底上，叠层结构包括交替叠置的栅间介质层及栅极层；栅间介质层包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层；沟道通孔，位于叠层结构内；功能侧壁，位于沟道通孔的侧壁表面，功能侧壁包括多个分离且沿沟道通孔的深度方向间隔排布的存储单元，存储单元与栅极层一一对应设置；沟道层，位于沟道通孔内，且位于功能侧壁的表面及沟道通孔的底部。本发明可以有效减小相邻栅极层之间的漏电，提高相邻栅极层之间的栅间介质层的抗击穿能力，降低相邻栅极层之间的耦合效应。
nand 闪存制备方法

[发明专利]金属化叠层及包括其的半导体器件和电子设备-CN201610153583.0有效
发明人：朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：公开了一种金属化叠层及包括该金属化叠层的半导体器件和电子设备。根据实施例，金属化叠层可以包括：层间电介质层，包括电介质材料和负电容材料，其中，该层间电介质层中形成的至少一对彼此之间至少部分相对的第一导电互连部件在它们的相对部分之间包括电介质材料和负电容材料二者，和/或该层间电介质层的上层中形成的至少一个第二导电互连部件与该层间电介质层的下层中形成的与该第二导电互连部件至少部分相对的至少一个第三导电互连部件在它们的相对部分之间包括电介质材料和负电容材料二者。
金属化包括半导体器件电子设备

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