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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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C 化学；冶金

D 纺织；造纸

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F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光二极管结构-CN201510521919.X有效
发明人：陈正言;许国君;李允立 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、第一电极以及第二电极。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上，第二电极圈围出至少一封闭区域，且封闭区域位于相邻的两个分支部之间。本发明的发光二极管结构具有高发光效率。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201110064946.0有效
发明人：赖育弘 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2011-03-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，其是设置复数个第一金属导线于一第一半导体层，一主动层设于部分第一半导体层，一第二半导体层设于主动层，主动层与第二半导体层具有复数个凹槽，第一金属导线分别位于复数个凹槽内，复数个绝缘层覆盖第一金属导线与第一半导体层，一透明导电层设于第二半导体层，并覆盖于复数个绝缘层，复数个第二金属导线设于透明导电层，第二金属导线对应第二半导体层。通过第一金属导线与第二金属导线以将发光二极管的电流平均分布，并且藉由绝缘层以避免电流集中于第一金属导线与第二金属导线之间，而透明导电层为连续式覆盖于第二半导体层，以使电流更均匀的分布于第二半导体层，以增加发光二极管结构的发光效率
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201510136259.3有效
发明人：杨程光;冯辉庆;徐健彬;余国辉;潘锡明 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明揭示了一种发光二极管结构，其包括一堆栈半导体层、一接触层以及一介电反射层。堆栈半导体层包括一第一型掺杂层、一第二型掺杂层以及一配置于第一型掺杂层及第二型掺杂层之间的主动层，其中多个开孔穿入第一型掺杂层、主动层及第二型掺杂层。接触层配置于第二型掺杂层上。从发光二极管结构的俯视方向看，介电反射层以小于或等于60%的覆盖率连接接触层及第一型掺杂层。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201010159594.2有效
发明人：陈鹏壬;刘学兴;綦振瀛 -专利权人：国立中央大学
申请日： 2010-04-27 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，用以增加电流的扩散程度，改善发光效率；所述发光二极管结构于N型半导体层之间再添加一N型电流扩散层，用以使流经N型半导体层的电流均匀分布；其中，N型电流扩散层包含三层以上的子层，其通式为InxAlyGa(1-x-y)N(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，并自基板侧朝发光层侧依次由低能隙层叠至高能隙。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN200410073930.6有效
发明人：游正璋;涂如钦;武良文;温子稷;简奉任 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2004-09-06 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管结构，其为表面具有N型氮化镓系材质所形成的N型接触层的基板上，所堆栈的结构，包括：一势垒层，其堆栈于该N型接触层上，其势垒层结构为依序堆栈有一氮化铝铟镓(Al_1－x－yGa_xIn_yN)层、一氮化硅(Si_xN_y)层以及另一氮化铝铟镓层；一发光层，其为堆栈于该势垒层上，所形成的氮化铝铟镓层；另一势垒层，其为堆栈于该发光层上，其势垒层结构为依序堆栈有一氮化铝铟镓层、一氮化硅层以及另一氮化铝铟镓层；一P型接触层，其为堆栈于最顶层的势垒层上，且由镁掺杂(Mg－doped)的P型氮化镓(GaN)
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN200410029460.3有效
发明人：许进恭;赖韦志;温子稷;蔡吉明 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种发光二极管结构，该结构包括一半导体层、一第一电极及一第二电极，其中半导体层至少包括一第一型掺杂半导体层、一第二型掺杂半导体层及一发光层，发光层位于第一型掺杂半导体层部分区域上，第二型掺杂半导体层位于发光层上，且第一电极是位在发光层分布区域以外的第一型掺杂半导体层上，以及第二电极位在第二型掺杂半导体层上。此外发光层包括多数不同量子井结构(多重量子井结构或单一量子井结构)，此多数不同量子井结构相互交错。本发明因采用具有多数不同量子井结构，且彼此交错配置，故载子在经过这些不同量子井结构作用后可发出多种不同波长的光线，且各种波长光线在混光后可得到较低色温白光，其演色性及色温可调整性十分优异。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN200410000148.1有效
发明人：许进恭;赖韦志 -专利权人：元砷光电科技股份有限公司
申请日： 2004-01-06 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种发光二极管结构，包括：一基底；一n型第一束缚层形成于基底上；一第一n型电极形成于第一束缚层上一凹陷区域；一第一主动层形成于第一束缚层上；一p型第二束缚层形成于第一主动层上；一穿隧层形成于第二束缚层上；一n型第三束缚层形成于穿隧层上；一第二n型电极形成于n型第三束缚层上一凹陷区域；一第二主动层形成于第三束缚层上；一p型第四束缚层形成于第二主动层上；一p型第三电极形成于第四束缚层上。其中穿隧层可包括一超晶格穿隧层，可免除p型第二束缚层与n型第三束缚层之间具有整流特性的pn结合面的形成。电压可透过一第二n型电极，施加给p型第二束缚层。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201810339712.4有效
发明人：黄逸儒;罗玉云;吴志凌;黄靖恩;丁绍滢 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-08-01 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。
磊晶层基板半导体发光二极管结构导电结构层反射暴露覆盖配置

[发明专利]发光二极管结构-CN201711217086.3有效
发明人：黄冠杰;庄东霖 -专利权人：新世纪光电股份有限公司
申请日： 2013-04-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管结构，包括一永久基板、一第一图案化金属层、一第二图案化金属层以及一半导体磊晶层。永久基板具有一接合面。第一图案化金属层配置在永久基板的接合面上且暴露出部分接合面。第二图案化金属层对应配置在第一图案化金属层上。第二图案化金属层暴露出第一图案化金属层所暴露出的接合面。第二图案化金属层与第一图案化金属层的接触面形成共晶结合。半导体磊晶层配置在第二图案化金属层上。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201810360915.1有效
发明人：杨程光;冯辉庆;徐健彬;余国辉;潘锡明 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明揭示了一种发光二极管结构，其包括一堆栈半导体层、一接触层以及一介电反射层。堆栈半导体层包括一第一型掺杂层、一第二型掺杂层以及一配置于第一型掺杂层及第二型掺杂层之间的主动层，其中多个开孔穿入第一型掺杂层、主动层及第二型掺杂层。接触层配置于第二型掺杂层上。从发光二极管结构的俯视方向看，介电反射层以小于或等于60%的覆盖率连接接触层及第一型掺杂层。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201910500322.5有效
发明人：郭修邑 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：一种发光二极管结构包含基底层、电性接触层、半导体叠层以及绝缘层。基底层具有最大第一宽度。电性接触层具有最大第二宽度并设置于基底层上。半导体叠层具有最大第三宽度并设置于电性接触层上。半导体叠层包括第一型半导体层、发光层及第二型半导体层依序堆叠，其中第一型半导体层、发光层及第二型半导体层的宽度实质上小于或等于最大第三宽度。最大第二宽度大于最大第三宽度，且最大第二宽度小于或等于最大第一宽度。此发光二极管结构可以提升出光效率。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201980004373.7有效
发明人：陈靖中 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，包括衬底、第一类型半导体层、第二类型半导体层及多量子井发光层；第一类型半导体层设置在衬底上，第一类型半导体层远离衬底的表面具有一图案化结构层；多量子井发光层位于团化结构层与第二类型半导体层之间并覆盖在图案化结构层上；多量子井发光层具有多个第一厚度区域、第二厚度区域及过渡区域；以第一类型半导体层朝向第二类型半导体层的竖直方向为准，第一厚度区域的厚度大于第二厚度区域的厚度；过渡区域的厚度自第一厚度区域朝向第二厚度区域的方向逐渐变小上述发光二极管结构，通过图案化结构层结合多量子井发光层的不同区域的厚度变化，提高了发光亮度，同时提高了内部萃取效益。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN202110659931.2有效
发明人：黄理承;芦玲;程志青;展望;宋长伟;郭园 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料领域，公开了一种发光二极管结构，其中p型半导体层为含铝氮化物层的厚度占其整体厚度95%以上的多层结构，多层结构从下至上至少包括第一至第六子层；第三子层中的铝浓度≥第一子层＞第二子层＞第四子层＞第六子层；第一子层的厚度＜第六子层＜第五子层＜第二子层≤第三子层＜第四子层；第四子层为厚度为50Å~800Å的高温P型Alz4In本申请通过增加P型半导体层通Al厚度的占比并优化各层间Al含量的比例，提升光取出效率，该发光二极管结构具有较佳的出光效率。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN202011229891.X有效
发明人：刘广惟 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：一种发光二极管结构，其包括基板、发光堆叠层、第一电极、导电的第一反射器与第二电极。所述发光堆叠层包括依次层叠设置于所述基板上的多层，所述发光堆叠层靠近与远离所述基板的外表层分别为底层与顶层。所述第一电极位于所述底层远离所述基板的表面上且电性连接所述底层；导电的第一反射器位于所述顶层远离所述基板的表面且电性连接所述顶层，所述第二电极位于所述第一反射器远离所述基板的表面上且电性连接所述第一反射器本发明提供一种倒装的发光二极管结构。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管结构-CN201110439469.1无效
发明人：刘正毓;张正杰;刘晏硕;林治民;刘嘉修 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提出一种发光二极管结构，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一有源层、一第一导电层、一导电材料层及一第二导电层。第二型半导体层配置于第一型半导体层上。有源层配置于第一型半导体层上，且位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一导电层配置且电性连接在第一型半导体层上。导电材料层配置且电性连接在第二型半导体层上。导电材料层至少具有一第一厚度区域及一第二厚度区域，其中第一厚度区域的厚度大于第二厚度区域的厚度。第二导电层配置于且电性连接于导电材料层上。第二导电层位于导电材料层的第二厚度区域上。
发光二极管结构

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