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- [发明专利]发光组件-CN201410792411.9有效
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叶志庭;简奉任
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晶元光电股份有限公司
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2014-12-19
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2019-04-23
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F21V5/04
- 本发明提供一种发光组件，包括：发光二极管芯片；以及模造透镜，所述模造透镜直接形成在所述发光二极管芯片上，所述模造透镜包括底部以及对应所述底部的出光面，所述发光二极管芯片位于所述底部的中心线上；其中，所述出光面包括凹部、围绕所述凹部的第一出光区以及围绕所述第一出光区的第二出光区，且所述第一出光区连接于所述凹部与所述第二出光区之间。与现有技术相比，本发明一实施方式提供的发光组件具有能够提供广角度出光效果以及高出光均匀度的有益技术效果。
- 发光组件
- [发明专利]具有广角出光分布的照明装置-CN201510227011.8有效
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叶志庭;简奉任
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晶元光电股份有限公司
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2015-05-06
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2018-11-02
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F21K9/20
- 本发明揭示了一种照明装置，其包含有至少一发光半导体元件、承载座以及灯罩，该发光半导体元件设置于该承载座上，该灯罩设置于该承载座上且遮盖该发光半导体元件；灯罩包含有第一出光部、环绕第一出光部的侧出光部，以及微结构；该微结构设置于第一出光部的一侧且面对发光半导体元件，并用来反射该发光半导体元件所发射的光线。本发明的照明装置包含有复数个微结构，用以增加发光半导体元件发射的光线的反射角度；该复数个微结构设置于该第一出光面上以向下反射光线，以得到更广角或全方向的出光分布，且该微结构的形状、尺寸与排列方式已优化以使照度更佳，也就是说，可提升该照明装置的照度并改善出光分布。
- 具有广角分布照明装置
- [发明专利]照明装置-CN201510114728.1有效
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叶志庭;简奉任;潘锡明
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璨圆光电股份有限公司
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2015-03-16
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2015-09-23
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F21S2/00
- 本发明提供了一种照明装置，包含：至少一个发光组件，发光组件包含：透明基板，具有承载面与第二主表面，承载面与第二主表面彼此相对设置；以及多个发光二极管结构，设置于承载面上，并与未设置发光二极管结构的部分承载面形成可发光的第一主表面，其中多个发光二极管结构中的至少一个发光二极管结构发出的光线穿过透明基板并由第二主表面出光；承载座；以及至少一个支撑件，耦接于承载座；其中发光组件设置于支撑件上，且支撑件的至少局部相对承载座的中心轴向内或向外倾斜。与现有技术相比，本发明的照明装置可大大增加单位面积的发光强度(亮度)，且可实现双向或多方向甚至全方向出光。
- 照明装置
- [实用新型]具有广角出光分布的照明装置-CN201520288020.3有效
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叶志庭;简奉任
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璨圆光电股份有限公司
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2015-05-06
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2015-09-02
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F21S2/00
- 本实用新型揭示了一种照明装置，其包含有至少一发光半导体元件、承载座以及灯罩，该发光半导体元件设置于该承载座上，该灯罩设置于该承载座上且遮盖该发光半导体元件；灯罩包含有第一出光部、环绕第一出光部的侧出光部，以及微结构；该微结构设置于第一出光部的一侧且面对发光半导体元件，并用来反射该发光半导体元件所发射的光线。本实用新型的照明装置包含有复数个微结构，用以增加发光半导体元件发射的光线的反射角度；该复数个微结构设置于该第一出光面上以向下反射光线，以得到更广角或全方向的出光分布，且该微结构的形状、尺寸与排列方式已优化以使照度更佳，也就是说，可提升该照明装置的照度并改善出光分布。
- 具有广角分布照明装置
- [实用新型]照明装置-CN201520148878.X有效
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叶志庭;简奉任;潘锡明
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璨圆光电股份有限公司
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2015-03-16
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2015-07-08
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F21S2/00
- 本实用新型提供了一种照明装置，包含：至少一个发光组件，发光组件包含：透明基板，具有承载面与第二主表面，承载面与第二主表面彼此相对设置；以及多个发光二极管结构，设置于承载面上，并与未设置发光二极管结构的部分承载面形成可发光的第一主表面，其中多个发光二极管结构中的至少一个发光二极管结构发出的光线穿过透明基板并由第二主表面出光；承载座；以及至少一个支撑件，耦接于承载座；其中发光组件设置于支撑件上，且支撑件的至少局部相对承载座的中心轴向内或向外倾斜。与现有技术相比，本实用新型的照明装置可大大增加单位面积的发光强度，且可实现双向或多方向甚至全方向出光。
- 照明装置
- [发明专利]氮化物发光元件-CN200910057070.X无效
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杨光能;陈隆建;简奉任
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山东璨圆光电科技有限公司
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2009-04-14
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2010-10-20
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H01L33/00
- 本发明公开了一种氮化物发光元件，其提供具有光线撷取层的基板，将氮化物发光结构生长于此基板上，通过改变光线路径而提高发光效率。同时通过光线撷取层与生长基板折射率的匹配，可再大幅提升发光效率。此外，本发明还公开了一种高功率氮化物发光元件，其提供一种牺牲层基板，在将氮化物发光结构生长于此基板上后，通过两种以上的金属或合金所构成的结合层，将生长基板上的氮化物发光结构与具有高热导系数的基板相结合；再通过化学溶液将此牺牲层完全刻蚀去除，使此所生长的结构与原基板剥离。最后，使得能将此氮化物发光结构替换设置于具有高热导系数的基板上。因承载基板具有高热导系数，因此，此元件可在高电流操作下，大幅提升其发光效率。
- 氮化物发光元件
- [发明专利]发光半导体连接结构及其方法-CN200910057029.2无效
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潘锡明;简奉任
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山东璨圆光电科技有限公司
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2009-04-07
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2010-10-13
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H01L33/00
- 本发明公开了一种发光半导体连接结构及其方法，其主要是通过一基板连接一发光半导体的结构，且该基板是一具有电气线路的结构，该发光半导体中的N型接触层与P型接触层分别形成一欧姆接触的N电极层与P电极层；以及在该基板表面通过浸镀法或沉积法形成第一金属层以及第二金属层，而分别电气连接至该基板电气线路的对应电气信号输出输入节点，且第一金属层以及第二金属层，分别与发光半导体的N电极层以及P电极层相互配合，使得该第一金属层以及第二金属层通过超音波熔接而分别对应N电极层以及P电极层而相互连接，用以将发光半导体连接于基板上，并形成电气连接。本发明接合力强、电流分散更均匀、散热更佳、可靠度提升，并可减少成本。
- 发光半导体连接结构及其方法
- [发明专利]氮化镓系发光二极管的制造方法-CN200910057027.3无效
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蓝文厚;杨光能;简奉任
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山东璨圆光电科技有限公司
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2009-04-07
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2010-10-13
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H01L33/00
- 本发明公开了一种氮化镓系发光二极管的制造方法。首先，提供一成长基板；然后，在基板上形成一氮化镓系半导体外延层，此氮化镓系半导体外延层依次层叠有一N型氮化镓系层、一发光层及一P型氮化镓系层，在P型氮化镓系层上形成一数码穿透层。接着，再以干法刻蚀工艺依次刻蚀数码穿透层、P型氮化镓系层并终止于发光层，以在发光层形成N-金属形成区。接下来，在数码穿透层上形成一第一欧姆接触电极用于作为P型欧姆接触，在发光层上形成一第二欧姆接触电极，用于作为N型欧姆接触。接着，同时在第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极上分别各形成一黏接垫。最后，在该P/N接面之上覆盖一保护层。本发明可大幅增加氮化镓系发光二极管的发光效率。
- 氮化发光二极管制造方法
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