“原子层沉积”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2672872个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]原子层沉积镀膜设备-CN202122978612.6有效
发明人：陈文翰;李哲峰 -专利权人：深圳市原速科技有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种原子层沉积镀膜设备，包括镀膜腔室、等离子体发生器以及将所述等离子体发生器与所述镀膜腔室相连接的扩散腔，还包括与扩散腔相连接的源进气装置、设置于所述等离子体发生器和所述扩散腔之间用于过滤等离子体中预定粒子的屏蔽孔板该原子层沉积镀膜设备通过在等离子体发生器和扩散腔之间设置用于过滤等离子体中预定粒子的屏蔽孔板，可以避免等离子体源中预定粒子持续轰击非金属材料而产生粉尘的问题，可显著镀膜质量，整体提高良品率，降低镀膜成本
原子沉积镀膜设备

[外观设计]原子层沉积设备机柜-CN201930064369.2有效
发明人：逯文冬;耿晨宇;郑锦;黄省三 -专利权人：南京原磊纳米材料有限公司
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：原子层沉积设备机柜。2.本外观设计产品的用途：用于半导体的布线和布管。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
原子沉积设备机柜

[外观设计]原子层沉积加工设备-CN202030785646.1有效
发明人：万军;廖海涛;王斌;王辉 -专利权人：无锡市邑晶半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：原子层沉积加工设备。2.本外观设计产品的用途：为用于基体的原子层沉积的加工。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
原子沉积加工设备

[发明专利]瞬时增强原子层沉积-CN200480011004.4有效
发明人：金基佑;安若简·司瑞瓦斯塔瓦;脱马斯·E·瑟德尔;阿纳·隆德纲;萨散冈·若曼纳瑟恩 -专利权人：集勒思公司
申请日： 2004-03-01 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了一种工艺，其中晶片被暴露于不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率的第一化学反应前驱体剂量，然后被暴露于第二化学反应前驱体剂量，其中前驱体以提供基本均匀的膜沉积的方式被分散。第二化学反应前驱体剂量可以不足以在晶片上导致最大饱和ALD沉积速率，也可以足以在晶片上导致饥饿饱和沉积。该工艺可以在前驱体暴露过程之间或一组暴露过程和另一组之间包括净化，也可以不包括净化。
瞬时增强原子沉积

[发明专利]原子层沉积光刻技术-CN201380009300.X无效
发明人： B·吴;A·库玛;O·那拉玛苏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在本揭示案中提供执行原子层沉积光刻工艺的方法与设备。在一个实施例中，在器件中的材料层上形成特征的方法包括以下步骤：脉冲第一反应剂气体混合物至设置于处理腔室中的基板的表面以在基板表面上形成材料层的第一单层、引导高能辐射以处理第一单层的第一区，及脉冲第二反应剂气体混合物至基板表面以选择性地在第一单层的第二区上形成第二单层
原子沉积光刻技术

[发明专利]原子层沉积的技术-CN200780050199.7无效
发明人：维克拉姆·辛;哈勒德·M·波辛;艾德蒙德·J·温德;安东尼·雷诺;乔治·D·帕帕守尔艾迪斯 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种原子层沉积的技术。在一实施例中，此技术为一种应变薄膜的形成方法。此方法可包括向基板表面供应一种或多种前驱物质，此前驱物质具有至少一第一物种的原子以及至少一第二物种的原子，从而在基板表面上形成一层前驱物质。此方法还包括将基板表面暴露于等离子体产生的第三物种的亚稳态原子，其中亚稳态原子从基板表面脱附所述至少一第二物种的原子，以形成所述至少一第一物种的原子层。通过控制原子层沉积工艺中的一种或多种参数，可达成至少一第一物种的所述原子层内的期望的应力大小。
原子沉积技术

[发明专利]层叠体及阻气膜-CN201480065608.0在审
发明人：堀池乔文;佐藤尽;高岛菜穗 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：层叠体(10)具有：第一基材(11)；原子层沉积膜(12)，其是配置于所述第一基材的第一面(11a)上的无机氧化物层；第二基材(14)，其配置于所述原子层沉积膜的一面上；第一粘接剂层(13)，其配置于所述原子层沉积膜和所述第二基材之间，从而粘接所述原子层沉积膜和所述第二基材。
层叠阻气膜

[发明专利]一种氟化镁薄膜的制备方法及相关设备-CN202210224187.8在审
发明人：明帅强;岳春安;冯嘉恒;王浙加;李明;高圣;夏洋 -专利权人：嘉兴中科微电子仪器与设备工程中心
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：氟化镁薄膜的制备方法，包括：将衬底传送至原子层沉积反应腔室；在所述原子层沉积反应腔室达到制备条件的情况下，向所述原子层沉积反应腔室通入镁源后对所述原子层沉积反应腔室进行气体吹扫；向所述原子层反应腔室通入氟源后对所述原子层沉积反应腔室进行气体吹扫
一种氟化薄膜制备方法相关设备

[发明专利]使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积-CN201010169884.5无效
发明人： N·K·英格尔;Z·袁;P·基;K·萨普瑞 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述沉积氧化硅层于基材上的方法。该方法可包括提供基材至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引至沉积室中的多个步骤。该方法亦可包括引进硅前驱物至沉积室中，其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而形成氧化硅层于基材上，所沉积的氧化硅层可经退火处理。本文亦描述用来沉积氧化硅层于基材上的系统。
使用前驱原子进行质量流体氧化物化学沉积

[发明专利]使用含硅前驱物和原子氧进行高质量流体状硅氧化物的化学气相沉积-CN200780000130.3有效
发明人： N·K·英格尔;Z·袁;P·基;K·萨普瑞 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本文描述沉积氧化硅层于基材上的方法。该方法可包括提供基材至沉积室、在沉积室外产生氧原子前驱物以及将氧原子前驱物引至沉积室中的多个步骤。该方法亦可包括引进硅前驱物至沉积室中，其中硅前驱物和氧原子前驱物先在沉积室内混合。硅前驱物与氧原子前驱物反应而形成氧化硅层于基材上，所沉积的氧化硅层可经退火处理。本文亦描述用来沉积氧化硅层于基材上的系统。
使用前驱原子进行质量流体氧化物化学沉积

[发明专利]原子层沉积的电介质层-CN200480012128.4有效
发明人： K·Y·阿恩;L·福尔布斯 -专利权人：微米技术有限公司
申请日： 2004-03-04 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种原子层沉积的电介质层和制备这种电介质层的方法制造了一种具有比利用SiO₂获得的等效氧化物厚度薄的可靠的电介质层。通过原子层沉积在衬底表面上沉积铪金属层和通过原子层沉积在该铪金属层上沉积氧化铪层，形成了基本上没有氧化硅的氧化铪电介质层。包含原子层沉积的氧化铪的电介质层是热力学稳定的，使得该氧化铪在处理期间具有与硅衬底或其它结构最小的反应。
原子沉积电介质

[发明专利]提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法-CN201110421739.6有效
发明人：万军;赵柯杰;黄成强;饶志鹏;陈波;李超波;夏洋;吕树玲;石莎莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：公开了一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，包括：将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳，使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质，所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构；逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。本发明提供的一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法，使用原子层沉积设备，利用原子层可精确控制沉积薄膜厚度的优点，在PTFE薄膜表面沉积0.5-3纳米厚度的亲水性羟基基团薄膜，可以显著提高PTFE薄膜的亲水性能和时效性能
提高聚四氟乙烯薄膜亲水性原子沉积方法

[发明专利]原子层沉积装置与方法-CN202110067367.5有效
发明人：陈蓉;聂煜峰;曹坤;李邹霜;邓匡举 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积装置与方法。原子层沉积装置包括：主流道；进气口，进气口设置于主流道上；支流道，多个支流道沿主流道的轴向设置，且多个支流道均插入主流道，沿主流道的轴向形成多组支流道区，每组支流道区至少设有一个支流道，在气体沿主流道的流动方向上原子层沉积方法，使用上述的原子层沉积装置，使待沉积气体流入进气口，并从喷气口喷出至待沉积区域。该原子层沉积装置能够实现大面积原子层沉积，且其进气口与喷气口之间的高度较小，整个装置内部的流道结构较为简单，此外，沉积时的均匀性较好。
原子沉积装置方法

[发明专利]一种橙黄光LED器件及其制备方法和应用-CN202210976707.0在审
发明人：苏曦;吴昊;徐红星;刘昌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种橙黄光LED器件及其制备方法和应用，该橙黄光LED器件包括：衬底、沉积在衬底表面的掺杂有氧化锂的氧化镍原子层沉积层以及沉积在氧化镍原子层沉积层表面的氧化锌原子层沉积层。相比于有机荧光材料制备橙黄光LED器件的方法，本发明通过在衬底表面制备p型的掺杂有氧化锂的氧化镍原子层沉积层和n型的氧化锌原子层沉积层，获得发橙黄光的LED器件，制备方法简单、对污染环境小，所使用的原材料相对廉价
一种橙黄 led 器件及其制备方法应用

[发明专利]高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备-CN201810920927.5有效
发明人：陈敏璋;锺镇阳 -专利权人：陈敏璋
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明揭示一种高介电常数介电层、其制造方法及执行该方法的设备。本发明的高介电常数介电层包含依序形成于半导体元件的材料层上的M层原子层沉积薄膜，其中M是大于1的整数。该材料层可以是半导体材料层、金属层或另一介电层。每一层原子层沉积薄膜是由氧化物且通过原子层沉积制程所形成。M层原子层沉积薄膜中的N层选定的薄膜，于原子层沉积制程期间或之后，经非反应性气体等离子体轰击，其中N是自然数且小于或等于M。
介电常数介电层制造方法执行设备