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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的隔热门装置-CN202222279828.8有效
发明人：赵茂生;雷志佳 -专利权人：厦门韫茂科技有限公司
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种原子层沉积设备和原子层沉积设备的隔热门装置，涉及原子层沉积技术领域。其中，这种隔热门装置，其包含连接杆、密封板和隔热板。连接杆构造为能够以可滑动方式配置于原子层沉积设备的主体。密封板构造为能够密封原子层沉积设备的反应腔。隔热板配置于密封板，且隔热板和密封板之间设置有能够供气体流过的第一间隙。通过多层门结构，并在层与层之间设置供气体流过的间隙，从而有效的避免反应腔的热量传递到门表面，避免了用户在镀膜过程中接触门表面被烫伤的情况。
一种原子沉积设备隔热装置

[发明专利]一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法-CN202211236543.4在审
发明人：李中华;熊玉卿;周晖;李毅;何延春;王志民;王虎;王艺;李林;高恒蛟;李坤;李学磊;周超;黄骁 -专利权人：兰州空间技术物理研究所
申请日： 2022-10-10 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C08J7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法，通过等离子体增强原子层沉积技术在有机材料基底上制备SiOx薄膜种子层。采用化学气相沉积技术在SiOx薄膜种子层上制备硅氧烷膜中间层。采用等离子体增强原子层沉积技术在硅氧烷膜中间层上制备SiOx帽子层。其中SiOx种子层可以有效降低硅氧烷涂层中的微观缺陷，防止形成原子氧剥蚀通道。SiOx帽子层可以有效遮盖硅氧烷表面孔洞、裂纹等缺陷，同时增强原子氧防护性能。既发挥了等离子体制备的硅氧烷涂层的柔韧性，又发挥了原子层沉积的涂层的致密性，使防护涂层的综合性能显著提高。
一种致密复合型原子防护薄膜制备方法

[发明专利]用于半导体处理的基于硅的沉积-CN201880025529.5在审
发明人：汤姆·A·坎普;米尔扎菲尔·K·阿巴特切夫 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：通过原子层沉积，经由提供多个循环在所述碳基图案化掩模上沉积氧化硅层，其中，所述多个循环中的每个循环包括提供硅前体沉积阶段，其包括：使原子层沉积前体气体流入所述蚀刻室，其中所述原子层沉积前体气体在没有等离子体的同时沉积，以及使所述原子层沉积前体气体的流动停止；以及提供氧沉积阶段，其包括：使臭氧气体流入所述蚀刻室，其中所述臭氧气体在没有等离子体的同时与所沉积的所述前体气体结合，以及使所述臭氧气体流入所述蚀刻室的流动停止蚀刻所述氧化硅层的一部分。从所述蚀刻室中去除所述堆叠件。
蚀刻室原子层沉积前体臭氧气体堆叠件等离子体图案化掩模碳基沉积沉积氧化硅层蚀刻原子层沉积沉积阶段前体气体氧化硅层硅前体氧沉积去除流动

[发明专利]用于增加原子层沉积前驱体数量的方法-CN201210532057.7有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;石莎莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开一种用于增加原子层沉积前驱体数量的方法，其包括将衬底基片进行表面处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；将载气通入不同反应物瓶内，通过载气带出的反应物在溶剂瓶内进行反应，而生成前驱体；将前驱体输送到原子层沉积反应腔中进行薄膜的沉积本发明提供的用于增加原子层沉积前驱体数量的方法采用不同反应物通过载气输运到溶剂瓶中发生化学反应来生成前驱体的方法，可以在满足ALD沉积条件的同时，增加ALD沉积技术的前驱体范围。
用于增加原子沉积前驱数量方法

[发明专利]栅极电极沉积及由其形成的结构-CN202110032305.0在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本公开涉及栅极电极沉积及由其形成的结构。一种方法包括使用原子层沉积工艺在栅极电介质层之上沉积第一功函数调谐层。原子层沉积工艺包括：沉积一个或多个第一氮化物单层；以及在一个或多个第一氮化物单层之上沉积一个或多个碳化物单层。该方法还包括：沉积第一功函数调谐层的粘合层；以及在粘合层之上沉积导电材料。
栅极电极沉积形成结构

[发明专利]一种采用原子层沉积法制备氧化物/金属磁性异质结的方法-CN201610352527.X有效
发明人：刘明;张乐;任巍;张易军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用原子层沉积法制备氧化物/金属磁性异质结的方法，该方法采用原子层沉积法，以二茂铁作为铁源，氧气作为氧源，在金属衬底上沉积四氧化三铁，通过原子层沉积系统将二茂铁与氧气交替通入原子层沉积系统的反应腔内，实现四氧化三铁在不同金属衬底上的沉积，进而构建出氧化物/金属磁性异质结。
一种采用原子沉积法制氧化物金属磁性异质结方法

[发明专利]一种用于原子层沉积设备的进气方法-CN201110339697.1无效
发明人：饶志鹏;夏洋;陈波;李超波;万军;赵珂杰;黄成强;陶晓俊;李勇滔;刘键;石莎莉;江莹冰 -专利权人：嘉兴科民电子设备技术有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及原子层沉积设备技术领域，具体涉及一种用于原子层沉积设备的进气方法。所述进气方法包括：将两种或两种以上前驱体源分别通过载气运输和/或载气吹扫的方式输送到原子层沉积反应腔中。本发明能够实现两路或多路同时进气，在满足ALD沉积方式的同时，增加适合用ALD设备沉积薄膜的前躯体的数量。
一种用于原子沉积设备方法

[发明专利]卷对卷式原子层沉积设备及其使用方法-CN201310046772.4在审
发明人：王东君 -专利权人：王东君
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种卷对卷式原子层沉积设备，包括：用于传动带状的待沉积样品的至少两个卷筒装置；用于向所述卷筒装置输出动力的动力装置，所述动力装置与所述卷筒装置联接；反应腔体，所述反应腔体的内部具有多个气道、以及与所述气道的方向相交的用于所述待沉积样品穿过的通道，所述反应腔体上具有与多个所述气道相对应的多个进气口以及出气口。还公开了一种使用前述卷对卷式原子层沉积设备来沉积原子层的方法。本发明的卷对卷式原子层沉积设备及其使用方法，能够在大气压下甚至大气环境中进行原子层沉积，并且能够连续生产，满足了大规模工业化生产的要求。
原子沉积设备及其使用方法

[发明专利]沉积温度的检测方法-CN03101847.5有效
发明人：周世良;吴琮钦;林宗德;洪天爵;曾国佑;练文政 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-01-22 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种沉积温度的检测方法，适用于检测化学气相沉积机台的反应室的沉积温度，包括：于反应室中置入待沉积物；于待沉积物上形成金属硅化物层；测量金属硅化物层的硅/金属原子比；以及将硅/金属原子比代入硅/金属原子比对温度的关系式以求得沉积温度通过上述方法可实时检测并监控机台的沉积温度。
沉积温度检测方法

[发明专利]光学薄膜的制备方法、卷绕镀膜机和微纳米结构色晶体-CN201980090229.X有效
发明人：郭凌杰;马道远 -专利权人：宁波融光纳米科技有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C09D5/29 文献下载
摘要：制备方法基于卷绕镀膜机，制备方法包括：提供一基带；将基带绕于卷绕镀膜机的放卷辊以及收卷辊上；对卷绕镀膜机的镀膜真空室进行抽真空至镀膜真空室的真空度达到预设阈值；放卷辊与收卷辊带动基带通过卷绕镀膜机的多个溅射、蒸发或原子层沉积室做卷绕运动；其中，多个溅射、蒸发或原子层沉积室包括：第一溅射、蒸发或原子层沉积室以及多个第二溅射、蒸发或原子层沉积室；在基带通过第一溅射、蒸发或原子层沉积室时，脱膜剂蒸镀于基带上形成第一牺牲层；在基带通过多个第二溅射、蒸发或原子层沉积室时，光学介质材料沉积于牺牲层上形成第一光学薄膜；去除牺牲层以得到光学薄膜。
光学薄膜制备方法卷绕镀膜纳米结构晶体

[发明专利]一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置-CN201910859313.5在审
发明人：靳伟;崔国东;戴秀海 -专利权人：光驰科技(上海)有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置，其特征在于：所述过滤装置设置在原子层沉积真空腔体与用于抽吸所述原子层沉积真空腔体内工艺残余气体的真空干泵之间；所述过滤装置至少包括冷凝过滤装置以及反应过滤装置，所述冷凝过滤装置的入口与所述原子层沉积真空腔体相连接，出口与所述反应过滤装置的入口相连接，所述反应过滤装置的出口与所述真空干泵相连接。本发明的优点是：1)可实现过滤99%的原子层沉积残余工艺气体；2)大大的减少粉尘进入到干泵中，延长干泵的使用寿命。
原子层沉积干泵反应过滤装置过滤装置冷凝过滤装置工艺残余真空腔体原子层沉积设备薄膜制备技术工艺气体使用寿命真空腔抽吸粉尘过滤出口体内

[发明专利]一种氧化物介质的原子层沉积方法-CN201611244141.3有效
发明人：孙兵;刘洪刚;王盛凯;常虎东;苏玉玉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物介质的原子层沉积方法，属于半导体集成技术领域。所述氧化物介质的原子层沉积方法将多种氧前驱体源依次通入原子层沉积系统的反应腔，利用原子层沉积系统生长氧化物介质，从而获得高质量的高介电常数的氧化物介质薄膜，所述氧化物介质可以是镧基、钇基、铪基和铍基的一种或多种组合本发明所述的一种氧化物介质的原子层沉积方法，可应用于CMOS栅介质的生长过程中，可以有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。
氧化物介质原子层沉积栅介质原子层沉积系统半导体集成技术氧化物介质薄膜高介电常数生长氧化物击穿电压前驱体源生长过程反应腔漏电流减小钇基铪基镧基应用

[实用新型]一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置-CN201921510660.9有效
发明人：靳伟;崔国东;戴秀海 -专利权人：光驰科技（上海）有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及薄膜制备技术领域，尤其涉及一种原子层沉积设备用工艺残余气体的过滤装置，其特征在于：所述过滤装置设置在原子层沉积真空腔体与用于抽吸所述原子层沉积真空腔体内工艺残余气体的真空干泵之间；所述过滤装置至少包括冷凝过滤装置以及反应过滤装置，所述冷凝过滤装置的入口与所述原子层沉积真空腔体相连接，出口与所述反应过滤装置的入口相连接，所述反应过滤装置的出口与所述真空干泵相连接。本实用新型的优点是：1)可实现过滤99%的原子层沉积残余工艺气体；2)大大的减少粉尘进入到干泵中，延长干泵的使用寿命。
一种原子沉积备用工艺残余气体过滤装置

[发明专利]一种原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法-CN201810517106.7在审
发明人：任丽彬;丁飞;刘兴江;桑林;王胜利;石彬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法。本发明属于新能源材料技术领域。原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法，通过原子层沉积方法生长LiPON固态电解质薄膜：只采用普通的原子层沉积设备，不需要等离子体发生器进行辅助或增强；ALD沉积过程中只采用两种反应前驱体源，其中一种为锂前驱体源本发明具有膜层厚度能实现原子层尺度级精确控制、工艺简单、操作方便、离子电导率高等优点。
固态电解质薄膜原子层沉积制备前驱体源等离子体发生器原子层沉积设备反应前驱体离子电导率新能源材料原子层尺度生长膜层一体化

[发明专利]一种碳化硅薄膜的制备方法-CN201110287216.7无效
发明人：饶志鹏;万军;夏洋;李超波;刘键;陈波;黄成强;石莎莉;李勇滔 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明涉及碳化硅薄膜制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备碳化硅薄膜的方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质，含碳物质与硅衬底表面发生碳化学吸附，使得含碳物质中的碳原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含硅物质，含硅物质与硅衬底表面发生卤代反应，含硅物质中的硅原子与硅衬底表面的碳原子形成碳硅键，待反应完全后，硅衬底表面即生成碳化硅薄膜结构。本发明使用原子层沉积设备，利用衬底的晶格结构对生长的影响，使得长出的碳化硅薄膜结构具有完整的晶格，同时也使得在硅基上生长的薄膜的结构性能得到提高。
一种碳化硅薄膜制备方法

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