[发明专利]一种原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201810517106.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110527974A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 任丽彬;丁飞;刘兴江;桑林;王胜利;石彬 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/455;H01M10/0562 |
| 代理公司： | 12101 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李凤<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法。本发明属于新能源材料技术领域。原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法，通过原子层沉积方法生长LiPON固态电解质薄膜：只采用普通的原子层沉积设备，不需要等离子体发生器进行辅助或增强；ALD沉积过程中只采用两种反应前驱体源，其中一种为锂前驱体源，另一种为磷和氮一体化前驱体源；在一定温度下通过ALD生长制备LiPON固态电解质薄膜。本发明具有膜层厚度能实现原子层尺度级精确控制、工艺简单、操作方便、离子电导率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 固态电解质薄膜 原子层沉积 制备 前驱体源 等离子体发生器 原子层沉积设备 反应前驱体 离子电导率 新能源材料 原子层尺度 生长 膜层 一体化 | ||
【主权项】：
1.一种原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法，其特征是：原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备过程，采用普通的原子层沉积设备，通过简单的原子层沉积方法生长LiPON固态电解质薄膜；原子层沉积设备不需要等离子体发生器进行辅助或增强；原子层沉积只采用两种反应前驱体源，一种为锂前驱体源，另一种为磷和氮一体化前驱体源；具体工艺步骤：/n(1)将沉积基体放入ALD反应腔室中；/n(2)加热前驱体源和ALD反应腔室；/n(3)向ALD反应腔室中脉冲通入第一种前驱体蒸汽，在沉积基体表面羟基基团活性点处发生化学吸附反应，直至基体表面达到饱和；/n(4)通入惰性吹扫气体，把未被表面吸附的多余的第一种前驱体蒸汽和反应副产物带出反应腔室；/n(5)向ALD反应腔室中脉冲通入第二种前驱体蒸汽，和已吸附的第一种前驱体进行表面化学反应；/n(6)通入惰性吹扫气体，把多余的第二种前驱体蒸汽和反应副产物带出反应腔室；/n(7)经清洗后，在基体表面得到一层LiPON单分子膜，一个ALD沉积周期完成；重复上述步骤(3)-(6)得到所需厚度的LiPON固态电解质薄膜。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十八研究所，未经中国电子科技集团公司第十八研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810517106.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 稀土掺杂的硫化钼单分子层薄膜及制备方法-201911102900.6
- 刘红军;苏少凯;张福强;景芳丽;杨栋程;任彩霞 - 天津理工大学
- 2019-11-12 - 2020-02-11 - C23C16/30
- 本发明涉及一种稀土掺杂的硫化钼单分子层薄膜及其制备方法，使用化学气相沉积方法，使用单温区管式生长炉，在石英管上游放入硫粉，使用低熔点稀土化合物作为合成的前驱体，将低熔点稀土化合物与MoO混合置于瓷舟内并掺入氯化钠；炉中通入载气，在18‑22分钟内将生长炉从室温加热到600℃，然后在5‑10分钟内将生长炉加热到720‑780℃，在该温度下保温5‑10分钟，获得稀土掺杂的硫化钼单分子层薄膜。本发明通过分段式控温生长，可以减少硫粉的用量同时实现可控掺杂，通过重复实验控制反应条件实现了稀土掺杂硫化钼薄膜的单分子层大面积生长。
- 一种硒化镉薄膜材料的制备方法-201710618018.1
- 刘翔;何利利;张明;吴长树 - 昆明理工大学
- 2017-07-26 - 2020-02-07 - C23C16/30
- 本发明涉及一种硒化镉薄膜材料的制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明在Si衬底上制备得到InAs薄膜材料；在真空条件下，将硒单质、镉单质预沉积在InAs薄膜材料上得到CdSe缓冲层；将硒单质、镉单质沉积生长CdSe缓冲层上，冷却即得硒化镉薄膜。本发明在III‑V族衬底材料上生长II‑VI族薄膜的方法简单，对仪器设备要求低、成本低、易于操作；制备得到的硒化镉薄膜的表面平整、均匀。
- 用于形成含硅和氧的薄膜的汽相沉积方法-201680029525.5
- 让-马克·吉拉尔;张鹏;安东尼奥·桑切斯;马尼什·坎德尔沃;根纳迪·伊多;里诺·佩萨雷西 - 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
- 2016-06-10 - 2020-01-31 - C23C16/30
- 披露了用于使用经单取代的TSA前体形成含硅和氧的膜的ALD方法。这些经单取代的TSA前体具有式：(SiH
- 一种原子层沉积制备二硫化铼薄膜的方法-201911180892.7
- 崔大祥;卢静;白仕亨;郑棣元;蔡葆昉;葛美英;王丹;金彩虹 - 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
- 2019-11-27 - 2020-01-24 - C23C16/30
- 本发明涉及一种原子层沉积制备二硫化铼薄膜的方法，原子层沉积系统腔内沉积温度应加热到350‑450℃的沉积温度；设置Re前驱源C
- 一种单层二硫化钼薄膜的制备方法-201710382686.9
- 蒲红斌;杨勇;杜利祥;张珊;邸君杰 - 西安理工大学
- 2017-05-26 - 2020-01-14 - C23C16/30
- 本发明的公开了一种单层二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1，通过使用真空管式炉设置三个温区，将硫粉置于一温区；将三氧化钼粉置于二温区；将衬底放在带盖的坩埚底部，然后将坩埚放置在三温区；步骤2，向真空管式炉中通载气；步骤3，将二温区加热到150～350℃，将三温区加热到150～350℃；步骤4，将二温区加热到580～800℃，得气态的MoO
- 一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法-201911100861.6
- 丁士进;吴小晗;张卫 - 复旦大学
- 2019-11-12 - 2020-01-10 - C23C16/30
- 本发明属于集成电路制造领域，其公开了一种原子层沉积制备有机无机杂化卤素钙钛矿材料的方法，该方法主要包括两部分：通过对材料基底进行3‑氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)与氢碘酸或者十三氟辛基三乙氧基硅烷(FOTS)等表面处理，实现含铅前体的有效附着，能够形成一层单分子层；通入有机铵盐前体与单层含铅前体反应形成单层材料，多次循环得到最终的有机无机杂化卤素钙钛矿光电材料。本发明方法利用气相的原子层沉积方法，通过调控循环周期数进而得到所需厚度的薄膜材料，并且能够制备出大面积均匀的钙钛矿薄膜，从而拓展有机无机杂化卤素钙钛矿材料在太阳能电池、光探测器、激光器等光电领域的应用。
- 一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法-201910920771.5
- 许小勇;赵恒;潘楼;王成忠 - 扬州大学
- 2019-09-27 - 2019-12-31 - C23C16/30
- 本发明涉及一种化学气相沉积法构造半导体与金属硫化物异质电极的方法，包括以下过程：（1）清洗半导体作为衬底；（2）取金属氧化物粉末和硫粉末；（3）将半导体衬底放在装有金属氧化物的陶瓷舟上，并将陶瓷舟置于真空管式炉中间，随后将装有硫粉的陶瓷舟放置在距离真空管式炉中间上游的15cm处。（4）用真空泵将真空管式炉的石英管内的压强抽至7.5×10
- 一种有效提升单层二维过渡金属硫族化合物产率、品质的方法-201710979013.1
- 李贺楠;时玉萌;李捷妮 - 深圳大学
- 2017-10-19 - 2019-12-31 - C23C16/30
- 本发明属于材料技术领域，特别涉及一种有效提升单层二维过渡金属硫族化合物产率的方法。首先将MO
- 一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法-201910920956.6
- 张希威;孟丹;汤振杰 - 安阳师范学院
- 2019-09-17 - 2019-12-27 - C23C16/30
- 本发明公开了一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法。该方法主要包括方法如下步骤：1)将衬底放入原子层沉积系统反应腔；2)将原子层沉积系统反应腔抽取真空；3)向原子层沉积系统反应腔交替通入前驱体，使之在衬底表面发生自限性化学反应并生长大面积二硫化铪薄膜。本发明具有所涉及的一种基于原子层沉积工艺的大面积二硫化铪薄膜制备方法，能够实现所制备的二维二硫化铪薄膜具有原子级厚度精确可控、大面积、均匀等优点；且反应温度较低，能兼容柔性衬底，并且能与后序的光刻等半导体工艺结合实现所制备薄膜的图案化。
- 一种组分递变的Zr-201910920704.3
- 张希威;孟丹;苏意文 - 安阳师范学院
- 2019-09-17 - 2019-12-13 - C23C16/30
- 本发明公开了一种组分递变的Zr
- 一种三元Zr-201910920705.8
- 张希威;孟丹;苏意文 - 安阳师范学院
- 2019-09-17 - 2019-12-13 - C23C16/30
- 本发明公开了一种三元Zr
- 一种大面积二硫化锆薄膜及其原子层沉积制备方法-201910920860.X
- 张希威;孟丹;胡丹 - 安阳师范学院
- 2019-09-17 - 2019-12-10 - C23C16/30
- 本发明公开了一种大面积二硫化锆薄膜及其原子层沉积制备方法，是通过锆前驱体和硫前驱体交替通入反应腔，并在衬底表面发生自限性化学反应生长而成的。制备过程包含10‑5000个生长循环，每个生长循环包含四个步骤：1)首先向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入锆前驱体并使之吸附于衬底表面，2)其次向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入高纯氮气以清洗过量锆前驱体和反应副产物，3)然后向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入硫前驱体并使之与吸附于衬底表面的锆前驱体发生自限性反应并生成二硫化锆原子层，4)最后向原子层沉积系统的反应腔内脉冲通入高纯氮气以清洗过量的硫前驱体和反应副产物。本发明具有原子级厚度精确可控、大面积、均匀等优点。
- 一种原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法-201810517106.7
- 任丽彬;丁飞;刘兴江;桑林;王胜利;石彬 - 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 2018-05-25 - 2019-12-03 - C23C16/30
- 本发明涉及一种原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法。本发明属于新能源材料技术领域。原子层沉积LiPON固态电解质薄膜的制备方法，通过原子层沉积方法生长LiPON固态电解质薄膜：只采用普通的原子层沉积设备，不需要等离子体发生器进行辅助或增强；ALD沉积过程中只采用两种反应前驱体源，其中一种为锂前驱体源，另一种为磷和氮一体化前驱体源；在一定温度下通过ALD生长制备LiPON固态电解质薄膜。本发明具有膜层厚度能实现原子层尺度级精确控制、工艺简单、操作方便、离子电导率高等优点。
- 一种稀土钇掺杂的二硫化钼自润滑复合涂层及其制备方法-201611096673.7
- 易剑;李明磊;王少龙;褚伍波;马洪兵;江南 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 2016-12-02 - 2019-11-22 - C23C16/30
- 本发明提供了一种稀土钇掺杂的二硫化钼自润滑复合涂层及其制备方法。具体地，本发明的二硫化钼自润滑复合涂层中掺杂稀土元素钇，其中，所述的复合涂层中的钇元素摩尔含量为0.1％～5％，按所述复合涂层的总摩尔量计。本发明采用升华硫(S)、六水合氯化钇(YCl3·6H2O)和三氧化钼(MoO3)粉为原料，利用化学气相沉积工艺制备稀土钇掺杂的二硫化钼自润滑复合涂层。本发明的二硫化钼自润滑涂层具有良好的耐磨性和自润滑性，以及优异的绕镀性，可以在形状的大尺寸复杂工件上实施涂层沉积。
- CVD方法制备硫化锌过程中的压力自动控制系统-201822193408.1
- 李冬旭;杨建纯;魏乃光;黎建明;李文江 - 有研国晶辉新材料有限公司
- 2018-12-25 - 2019-11-15 - C23C16/30
- 一种CVD方法制备硫化锌过程中的压力自动控制系统，包括化学气相沉积炉，该化学气相沉积炉连接有压力智能监测表；该化学气相沉积炉顶部设有尾气管路，该尾气管路连接真空泵；该化学气相沉积炉与该真空泵之间的尾气管路上设置有线性定位阀门；该压力智能监测表与可编程PID智能调节仪的信号输入端连接，该可编程PID智能调节仪的信号输出端与该线性定位阀门连接。本实用新型通过控制整个化学气相沉积过程的压力，使实际压力始终保持在设定范围内，实现沉积系统的稳定性和可控性。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
